基于碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路设计
所屬分類：技术论文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>6563 K
標(biāo)簽： 碳化硅MOSFET 驱动电路 有源米勒钳位
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文檔介紹：针对碳化硅MOSFET驱动电路设计难度较大、门极易受串扰、保护功能不齐全以及全国产化的问题，基于国产芯片设计了一款碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路。重点分析总结了碳化硅MOSFET有源米勒钳位保护、退饱和保护以及桥臂互锁保护原理与模型。在隔离原边信号与副边信号的同时，采用18 V/-3.3 V的高低电平，实现对上、下桥臂碳化硅MOSFET的控制，同时集成了欠压锁定、退饱和保护、桥臂互锁、有源米勒钳位保护的功能。与国际先进水平Wolf Speed的碳化硅MOSFET驱动板CGD1200HB2P-BM2进行了参数对比和功能测试。实验结果表明，该电路开关参数与CGD1200HB2P-BM2驱动板相近，满足碳化硅MOSFET驱动需求，并能可靠触发保护功能。电路已实际应用于碳化硅MOSFET的驱动中。
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