高性能RISC-V處理器抗輻照加固設(shè)計(jì)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>1796 K
標(biāo)簽： RISC-V 抗輻照加固設(shè)計(jì) 三模冗余
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文檔介紹：隨著太空技術(shù)的蓬勃發(fā)展，芯片在輻照環(huán)境下的可靠性問(wèn)題日益凸顯?；赗ISC-V指令集架構(gòu)的高性能處理器C501，采用三模冗余方法和糾錯(cuò)檢錯(cuò)技術(shù)分別對(duì)電路層和系統(tǒng)層進(jìn)行抗輻照加固，同時(shí)采取訪存請(qǐng)求強(qiáng)制不命中的策略來(lái)糾正校驗(yàn)錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)塊，提高緩存系統(tǒng)的糾錯(cuò)能力。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，加固后的處理器可以通過(guò)糾正電路修復(fù)輻照引起的緩存數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，同時(shí)其最高工作頻率降低8.8%，面積增加約為64.9%，性能基本保持不變。
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