微波射頻相關(guān)文章 IIC-China 2011:F-RAM技术带来UHF标签的新革命 世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 于IIC-China 2011深圳站期间，展示了其MaxArias™无线存储器产品。 發(fā)表于：2011/3/7 Microsemi于electronica China展会上展示行业领先的IC应用技术与高端元器件 致力实现智能、安全，以及互连世界的半导体技术领先供应商─美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) ，宣布将参与3月15至17日在上海新国际博览中心举行的2011年慕尼黑上海电子展(electronica & Productronica China 2011) ，展台号码为1202。 發(fā)表于：2011/3/7 采用图像传感器ME1010的计花器设计 织物上的疵点主要是由纤维上的花结引起的，计花器是纺织业中的一种常用设备，主要用于统计(或清除)纺锭上的花结，是确定纤维质量等级的主要依据。 發(fā)表于：2011/3/7 基于AM402的电流量输出电容式角度传感器 设计了一种新型的电容式角度传感器，并利用电容式信号转换集成电路CAV424和电压一电流转换接口电路AM402，将电容传感器信号转化为4—20 mA标准的工业电流输出。该系统能够有效地降低干扰和测量误差，在0—90°的范围内实现对角度的精确测量，得到线性度良好的直流电流量输出。 發(fā)表于：2011/3/5 一种新型霍尔传感器信号检测分析仪的设计与实现 针对无刷直流电机中霍尔传感器安装工艺上的缺陷，设计实现了一个基于虚拟仪器架构的逻辑信号检测分析仪对电机霍尔传感器信号进行检测。采用AT89S52单片机作为信号采集器，通过RS232串口实现单片机与PC通信，应用VB 设计图形化的界面对采集的数据进行分析。 發(fā)表于：2011/3/5 气体传感器的特性及分类 气体传感器是气体检测系统的核心，通常安装在探测头内。从本质上讲，气体传感器是一种将某种气体体积分数转化成对应电信号的转换器。本文讲述气体传感器的特性、分类及应用。 發(fā)表于：2011/3/5 改善传感器性能的技术途径 传感器内部产生的噪声包括敏感元件，转换元件和转换电路元件等产生的噪声以及电源产生的噪声。例如光电真空管放射不规则电子，半导体载流子扩散等产生的噪声。如何降低噪声是工程师一直苦苦追寻，本文为你详细讲述 發(fā)表于：2011/3/5 Vishay推出超长使用寿命的新款铝电容器 104 PHL-ST电容器在在+105℃下寿命长达5000小时，纹波电流达34.8A，具有从6800μF、450V至33000μF、200V的高容值/电压组合 發(fā)表于：2011/3/4 为便携产品选择合适的低成本USB开关 随着通用串行总线（USB）在便携或手持应用中日趋流行，具有超低功耗的高质量开关在实现这种连接解决方案方面充当着重要角色。受消费者的需求驱动，设计人员需要不断创新、加速设计进程并帮助缩短制造周期，在这种情况下，可靠的低成本的USB开关已经成为其中的关键组件。 發(fā)表于：2011/3/4 基于光纤的温度传感器 温度传感器是基于一个基本的物理量“温度”，自然界中的一切过程无不与温度!密切相关。从伽利略发明温度计开始，人们开始利用温度进行测量。温度传感器是最早开发、应用最广的一类传感器。 發(fā)表于：2011/3/4 LC振荡电路电容和电感的测量设计 文中针对电容和电感的测量，简单介绍了关于LC振荡电路测量电容和电感的设计原理。同时通过实验证明该方案能进行高频电感和电容的测量。测量的精度能达到应有要求。 發(fā)表于：2011/3/3 薄膜电路技术在T/R组件中的应用 采用薄膜技术来制造薄膜电路是薄膜领域中一个重要分支。薄膜电路主要特点：制造精度比较高(薄膜线宽和线间距较小)，可实现小孔金属化，可集成电阻、电容、电感、空气桥等无源元件，并且根据需要，薄膜电路可以方便地采用介质制造多层电路。薄膜多层电路是指采用真空蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺以及湿法刻蚀和干法刻蚀(反应离子刻蚀、等离子刻蚀、激光刻蚀)等图形形成技术，在抛光的基板(陶瓷、硅、玻璃等材料)上制作导体(Cu或Au等)布线与绝缘介质膜(PI或BCB等)相互交叠的多层互连结构。 發(fā)表于：2011/3/3 VGA信号传输技术比较 VGA信号传输是最近的视频信号传输的热点，各种不同的传输方式引发很多工程商的关注，各种不同的宣传也模糊了工程商的正常判断，作为双绞线传输的生产商，就VGA传输的发展及原理做一个小小的论述，希望可以澄清大家可能的误判! 發(fā)表于：2011/3/3 Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 發(fā)表于：2011/3/2 Fox Electronics公司2010年XpressO振荡器销售大幅增长103% 拥有业界最广泛频率控制产品的领先供应商Fox Electronics Asia Ltd.宣布其广泛产品系列的销售显著增长。 發(fā)表于：2011/3/2 <…130131132133134135136137138139…>
