微波射頻相關(guān)文章 Vishay Siliconix的新款N沟道功率MOSFET再次刷新业内最低导通电阻记录 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。 發(fā)表于：2011/3/31 物联网技术：无线传感器及无线传感节点应用 物联网技术：无线传感器及无线传感节点应用传感器信息获取技术已经从过去的单一化渐渐向集成化、微型化和网络化方向发展，并将会带来一场信息革命。无线传感器网络（WirelessSensorNetwork）综合了微电子技术、嵌入式计算技术、现代网络及无线通信技术、分布式信息处理技术等先进技术，能够协同地实时监测、感知和采集网络覆盖区域中各种环境或监测对象的信息，并对其进行处理，处理后的信息通过无线方式发送，并以自组多跳的网络方式传送给观察者。传感器网络的应用前景十分广阔，在军事、工农业、环境监测，医疗护理、抢险救灾、危险区域远程控制以及智能家居等领域都有潜在的使 發(fā)表于：2011/3/31 一种光传感器高性能放大电路的设计研究 以物联网应用为背景，根据光传感器放大电路的应用场景和特点设计放大电路，得出了制作传感器放大电路的理论依据、设计方法、电路改进措施等。采用计算加实验的方法，在给出一系列设计技巧、注意事项和经验的基础上，研究出了一种使用CMOS型集成运算放大器等新型器件制作的光传感器高性能放大器的实际电路。基于三级级联的方式，该放大器具有灵敏度高，波动性好，低能耗，微型化等特点。 發(fā)表于：2011/3/31 电容式边缘传感器的设计 电容测微方法能够检测到微小的位移变化，在此利用电容测微法设计制作电容式边缘传感器，该传感器可以用来检测拼接在一起或者相互平行的两平板之间的位置变化。给出了电容式边缘传感器的设计原理，传感器的主要结构以及设计过程中遇到的问题和解决方案。并在实验室进行了验证，给出了实验结果。实验结果换算到位移变化达到了检测到小于5 nm的位置变化的科研目标。该传感器可以广泛应用于拼接望远镜，法珀等天文仪器控制领域和其他工业控制领域。 發(fā)表于：2011/3/31 Vishay发布业内首款采用3232外形尺寸的电感器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款IHLP®低外形、高电流电感器--- IHLP-3232DZ-11，该器件在同类器件当中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面积为8.3mm x 8.8mm，高度仅有4.0mm，低至1.35mΩ的最大DCR和从0.22µH至47.0µH的标准感值可提供系统所需的高效率。 發(fā)表于：2011/3/30 细品NS传感器模拟前端电路特性 美国国家半导体秉承“简易设计”理念，推出两款可配置的传感器模拟前端(AFE)集成电路LMP90100和LMP91000。两款产品均采用美国国家半导体的独创技术，并获得多款全新设计工具的支持，令系统设计工程师可以使用各大厂商生产的各类传感器产品完成信号路径设计，帮助他们将产品快速推向市场。美国国家半导体亚太区市场经理林伟山、精密信号路径产品部副总裁James Ashe和精密系统业务部门应用工程技术经理Chuck Sins出席了产品发布会，并接受记者采访。 發(fā)表于：2011/3/29 2011年慕尼黑上海激光、光电展圆满落幕，各项数据再创新高 2011年慕尼黑上海激光、光电展于2011年3月15至17日在上海新国际博览中心隆重召开，各项指标再创历届新高，再次验证了展会在亚洲激光、光电市场的领先地位。 發(fā)表于：2011/3/29 分析显示DRAM产业形势大好 美光执行长SteveAppleton表示，看好3~5月的DRAM报价逐渐触底反弹;再者，日前三星电子(SamsungElectronics)也开始调涨DRAM合约价，南亚科也认为4月合约价将会续涨，市场弥漫春燕将至的气氛。 發(fā)表于：2011/3/29 基于无线传感器网络的河流自动监测站设计 河流作为水资源的重要组成部分对日常生活、经济发展有着重要影响。因此建立完备的监测系统，提高河流监测效率对生产、生活都有着重要意义。针对现有河流监测系统自动监测站存在的监测范围小、灵活性差的问题，提出基于无线传感器网络的河流自动监测站。通过利用无线传感器网络节点部署容易、无线自组织网络的特点，扩充自动监测站，扩大监测范围，提高监测密度。 發(fā)表于：2011/3/29 Vishay的新款精密薄膜电阻，大幅扩大工作温度范围 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出可在-55℃～+215℃宽温范围内工作的新款精密低TCR薄膜电阻---PLTT。与传统薄膜电阻相比，PLTT电阻的工作温度范围几乎扩大了100℃，并具有低至±5ppm/℃的标准TCR和低至±0.02%的容差。 發(fā)表于：2011/3/28 Vishay接近与环境光光学传感器和功率MOSFET荣获EN-Genius的年度产品奖 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其VCNL4000接近与环境光光学传感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET荣获EN-Genius Network (www.en-genius.net)颁发的年度产品奖，该网站在为电子设计工程师提供信息来源方面走在业界前列。 發(fā)表于：2011/3/28 DDR2 SDRAM×32布局和布线经验谈 最近忙于一块以CycloneIII为核心主控芯片的六层板设计，开发环境是Capture+Allegro+CAM350，从原理图修改到PCB的布局、布线这整个过程中我遇到了相当多的问题，值得庆幸的是有一些问题的解决倒是可以说是一劳永逸，比较典型的就是DDR2的布局与布线。 發(fā)表于：2011/3/28 H.264视频解码芯片中与滤波相关的存储器的设计 本文对H.264解码芯片中的滤波部分所需的数据、数据的存取及芯片中所用到的存储器做了深入的分析，同时涉及到DRAM及SRAM的设计，并支持宏块级帧场自适应。为了实现H.264解码芯片中的数据的快速存取，本文提出了对数据存储的一种优化方法，通过此方法可完全达到滤波过程中对大量数据的处理。 發(fā)表于：2011/3/28 简介光纤光栅传感系统 本文介绍了光纤光栅传感系统的构成，阐述了光纤光栅传感器的工作原理和各种不同的温度和应力的区分测量方法，提出适应未来的需要如何对光纤光栅传感系统的光源、光纤光栅传感器和信号解调进行优化。 發(fā)表于：2011/3/28 电涡流式传感器测量电路原理图 电桥电路电桥法是将传感器线圈的阻抗变化转化为或电流的变化。图4.3.5是电桥法的电原理图，图中线圈A和B为传感器线圈。传感器线圈的阻抗作为电桥的桥臂，起始状态，使电桥平衡。 發(fā)表于：2011/3/27 <…126127128129130131132133134135…>
