微波射頻相關(guān)文章 Vishay发布新款IFSC系列低外形、高电流电感器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高电流电感器---IFSC。IFSC器件具有低至1.0mm的超薄外形和高的最大频率，提供0.47µH～47.0µH的标准感值。 發(fā)表于：2011/4/20 Ramtron增强管理团队 世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布，任命萧颖担任客户满意度部门副总裁。在此新设立的职位上，萧颖负责Ramtron公司的质量保证计划，并管理公司的产品和测试工程技术机构。 發(fā)表于：2011/4/20 日本311地震打击CMOS图像传感器产业 IHS iSuppli公司的研究显示，日本发生的311地震正在冲击日本两家工厂的CMOS图像传感器生产，影响了手机摄像头的生产与分配。 發(fā)表于：2011/4/20 不会再弄混 编辑为你详解ROM/RAM的区别 在智能手机还没有普及的年代，人们购买手机很少人会去关注手机的硬件配置，更不会有多少人去关心硬件配置中ROM和RAM的大小，但是随着目前智能手机爆发式的增长，越来越多人开始关注手机的硬件，因为硬件水平目前在很大程度上会制约手机的用户体验，特别是RAM和ROM的参数，这会直接制约手机的运行流畅程度。不过目前很多朋友不太清楚RAM和ROM的具体含义，只是简单的知道越大肯定越好，那么今天笔者就来为大家详细的解释一下这两个参数的具体指向，这样以后大家购买手机时就不怕再弄混了。 發(fā)表于：2011/4/20 中国IGBT市场销售额四年后将翻一倍 据IHS iSuppli公司的研究，由于工业与消费领域的需求增长，中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场未来几年将快速增长，2014年销售额将从2009年的4.297亿美元上升到9.75亿美元，增长一倍以上。 發(fā)表于：2011/4/19 激光焊接技术在传感器生产中的应用 根据国家标准GB7665-87，传感器定义为：能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件装置。传感器作为检测工具，要求检测研究对象的物理或化学的信息，其工作过程要求稳定、可靠、精度高，所以对传感器有以下几个要求 發(fā)表于：2011/4/19 阻抗匹配在RFID系统中的应用 匹配关乎着系统的性能，使匹配则是使系统的性能达到约定准则下的最优。其实，阻抗匹配的概念还可扩展到整个电学之中，包括强电(以电能应用为主)与弱电(以信号检测与处理为主)两个大的领域。再进一步，如果去掉阻抗的概念单就匹配而言，则其覆盖的范围将更为广阔，比如：在RFID技术应用中，技术与需求的满足涉及到匹配的问题等。 發(fā)表于：2011/4/19 光纤预制棒技术及发展趋势[详讲] 2011年4月18日消息，目前，已形成光纤光缆全球性大发展的良好气候，美国KMI公司预测， 今后10年，全球光纤光缆需求将持续增长，为适应全球光纤光缆需求的增长，国际上各大光纤生产厂商正进行新一轮的扩产，同时，国内光纤产业的发展势头也很强劲，有的光纤生产企业正在扩产，还将新建几个大型光纤厂。这里，技术路线的选择是很重要的。 發(fā)表于：2011/4/18 晶圆代工可能很快出现大规模供过于求 据多家市场分析机构指出，今年下半年起，晶圆代工可能面临供过于求情况。 發(fā)表于：2011/4/18 闪存芯片迎春 20nm制程技术完全解析 近日IDF2011大会圆满闭幕，但是就在会后时隔1个工作日，Intel和美光爆出猛料20nm制程研发成功。对于整个闪存乃至半导体产业的刺激巨大。而在日本311之后，整个闪存产业经历了巨大的惊涛风波之后，现在恢复的如何？下面就且听小编我一一道来。 發(fā)表于：2011/4/18 支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器设计 先对ONFI标准进行了介绍，然后再设计了一种支持ONFI2．1标准源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括状态机的设计，接口的设计等。对设计中遇到的源同步模式下，信号的对齐问题进行了说明，并提出了一种解决方法。同时设计中还会遇到数据跨时钟域传输的问题，本文也给出了解决办法。最后仿真和综合结果表明，本文的设计完全满足标准要求，具有实际的使用价值。 發(fā)表于：2011/4/16 Vishay精密电阻阵列使电子电路稳定和小型化 本文将介绍薄膜芯片电阻阵列如何积极地影响电路的电气稳定，同时减少需要的面积。以分压器作为例子，我们将在文章中解释相对参数“容差匹配”和“TCR跟踪”，并讨论电阻阵列的温度行为。此外，这篇文章还会展示如何在生产过程中控制电阻的容差和温度系数。 發(fā)表于：2011/4/15 利用模拟开关实现T1/E1/J1的N+1冗余 具有多端口T1/E1/J1线卡的现代通信系统通过增加冗余来满足电信网络的高可用性要求。过去，这些系统曾经用继电器来实现N＋1冗余切换。随着每个线卡上的T1/E1/J1端口数和每个系统内的线卡数的增加，继电器方案不再可行，因为它们要占用大量的板上空间和供率。设计者正在用模拟开关代替继电器。 發(fā)表于：2011/4/15 Vishay发布三款采用小尺寸封装的高性能单通道和双通道负载开关 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V电压下工作的单通道和双通道2A负载开关--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低开关导通电阻能够提高效率，150μs的典型受控软启动斜率能够限制涌入电流，使受控的启动过程更加平滑，从而将开关噪声降至最小。 發(fā)表于：2011/4/14 电容爆炸的原因及处理方法 我曾经在400V开关室使用了PGJ1-5型无功功率补偿屏，屏内装有BCMJ型并联电容器10只，每只额定输出16kVar，额定电压0.4kV，额定电流25A，温度类别-25℃/45℃接法。 發(fā)表于：2011/4/14 <…123124125126127128129130131132…>
