微波射頻相關(guān)文章 Vishay推出业界首款采用紧凑0805封装的0.5W检流电阻 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 9 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip®电阻 --- WSLP0805。该器件是业界首款采用紧凑的0805封装的0.5W检流电阻，具有10mΩ～50mΩ的超低阻值范围，高温性能高达+170℃。 發(fā)表于：2010/9/25 人体接近传感器在ATM监控中的运用 人体接近传感器又称无触点接近传感器，是理想的电子开关量传感器。它广泛地应用于机床、冶金、化工、轻纺和印刷等行业。在自动控制系统中可作为限位、计数、定位控制和自动保护环节。接近传感器具有使用寿命长、工作可靠、重复定位精度高、无机械磨损、无火花、无噪音、抗振能力强等特点。 發(fā)表于：2010/9/25 Vishay发布业界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高纹波电流的表面贴装铝电容器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 9 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高纹波电流的表面贴装铝电容器 --- 146 CTI，低阻抗和高纹波电流能够实现更好的滤波和更高的可靠性。该器件同时满足严格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接标准的苛刻回流焊条件，使加工更加灵活。 發(fā)表于：2010/9/21 物联网传感器芯片3年后30%国产化 近日，中国传感产业研究中心主任张小飞在2010第五届粤港射频识别(RFID)技术应用高峰论坛上表示，作为构成物联网的基础单元，目前国内传感器芯片90%靠进口。未来几年主要靠进口的局面尚不能扭转，但3年后国产芯片占有率可达30%。 發(fā)表于：2010/9/20 DRAM恐续跌20%，DRAM厂Q4营运爆发落空 根据DRAMeXchange调查，9月上旬合约价持续下跌，DDR3 2GB模块合约均价从40美元下跌至36美元，跌幅达10%，为一年来单次最大跌幅，DDR2模块合约价亦受到DDR3影响，下跌约2.8%，来到35美元价位。 發(fā)表于：2010/9/17 瑞萨电子推出3款新型功率MOSFET产品 高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称瑞萨电子）已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET（金属氧化物半导体晶体管）产品——RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器和笔记本电脑等的应用。 發(fā)表于：2010/9/17 高精度低成本车用超声波传感器的研制 本文介绍了利用超声波传感器实现无接触式测距。系统由AT89C2051 单片机、超声波电路、环境温度电路及显示电路组成。该测距仪具有高精度（±1mm）、低成本的特点。 發(fā)表于：2010/9/16 飞思卡尔Xtrinsic加速计延长消费电子器件的电池使用寿命 2010年9月14日，东京（飞思卡尔技术论坛）讯－据iSuppli公司报道，由于动作手机、游戏控制器和数码相机销售出现强劲势头，预计2010年全球MEMS市场将会增长11%。大部分此类设备将动作感应技术用于以下功能，如图像稳定、拍打控制、防盗和方向检测。 随着市场对下一代应用（如直观的用户界面和基于位置的服务）的需求在不断增长，在精度和电池使用寿命方面占据优势显得至关重要。 發(fā)表于：2010/9/16 IR 新型-30V P 沟道功率 MOSFET 使设计更简单灵活 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。 發(fā)表于：2010/9/15 连接器市场迎来上升期 由于消费电子、汽车电子、物联网市场的快速增长以及全球连接器生产能力不断向亚洲及中国转移，亚洲已成为连接器市场最有发展潜力的地方，而中国预计成为全球连接器增长最快和容量最大的市场。 發(fā)表于：2010/9/14 国内传感器产业增长31%却缘何陷入死循环 据中国电子信息产业发展研究院微电子研究所预测，今年中国传感器市场销量将达到905亿元。未来五年，国内传感器市场平均销售增长率将达31%。 發(fā)表于：2010/9/9 NAND Flash跌价深 上游大厂对模块厂让步 NAND Flash价格经历一段大修正后，原本对于价格谈判完全不肯让步的上游NAND Flash大厂，在面对库存节节攀高的情况下，态度已开始松动，部分模块厂开始回补一些库存，不过，全球两大NAND Flash阵营三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)则因为有苹果(Apple)订单的撑腰，对于价格仍是相当强硬，显示苹果仍是NAND Flash产业的唯一大补丸。 發(fā)表于：2010/9/8 意法半导体（ST）引领MEMS产业发展趋势，出货量瞄准十亿大关 全球最大的消费电子与便携设备MEMS（微机电系统）供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）宣布，事业部副总裁兼MEMS、传感器和高性能模拟产品部总经理Benedetto Vigna将于2010年台湾SEMICON 国际半导体展MEMS创新技术趋势论坛发表开幕演讲，以移动市场为主轴，探讨传感器集成技术所面临的挑战及未来智能传感器系统解决方案的发展趋势。 發(fā)表于：2010/9/8 全球电子巨头看好西部工业和电子产业升级大势紧跟西部灾后重建市场，借CEF探路成都 2010年是实施西部大开发战略10周年。7月中共中央、国务院召开了西部大开发工作会议，经过10年不懈努力，西部地区基础设施建设取得突破性进展，经济增长速度高于全国平均水平，西部地区已站在新的历史起点上。今后10年是深入推进西部大开发承前启后的关键时期。作为西部大开发的重要一环，面向西部的产业大转移已拉开帷幕。 發(fā)表于：2010/9/8 Vishay的新款长边接头厚膜电阻可有效提高系统可靠性 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 9 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列长边接头厚膜贴片电阻 --- RCL e3。新电阻的外形尺寸为0612和1218，功率等级高达1.0W，可耐受高温循环。 發(fā)表于：2010/9/8 <…158159160161162163164165166167…>
