微波射頻相關(guān)文章 飞兆半导体150V低RDS(ON) MOSFET在隔离DC-DC应用中实现更高性能 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。该器件利用飞兆半导体先进的工艺技术和封装技术，以及系统专有技术，并采用5mm x 6mm MLP封装，具有效率高、功耗较低和散热较少的特性。 發(fā)表于：2010/7/22 Vishay推出使用寿命长达10000小时的新系列牛角式功率铝电容器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列4接线端、牛角式功率铝电容器 --- 095 PLL-4TSI。电容器具有17种大尺寸外形，电压等级从350V至450V，在85℃下的使用寿命长达10,000小时。 發(fā)表于：2010/7/21 将MEMS传感器用于各种创新的消费类产品设计 MEMS即微机电系统，是利用微米级立体结构实现感应和执行功能的一项关键技术。其中，微米级立体结构是利用被称为“微加工”的特殊工艺实现的微米大小的立体机械结构。 發(fā)表于：2010/7/21 先栅极还是后栅极 业界争论高K技术 随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first（先栅极）工艺流派和以Intel为代表的Gate-last（后栅极）工艺流派，尽管两大阵营均自称只有自己的工艺才是最适合制作HKMG晶体管的技术，但一般来说使用Gate-first工艺实现HKMG结构的难点在于如何控制 PMOS管的Vt电压(门限电压);而Gate-last工艺的难点则在于工艺较复杂，芯片的管芯密度同等条件下要比Gate-first工艺低，需要设 计方积极配合修改电路设计才可以达到与Gate-first工艺相同的管芯密度级别。 發(fā)表于：2010/7/21 Vishay推出业界首类具有75V电压等级的固钽贴片电容器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首类具有高达75V的工业电压等级的固钽贴片电阻器 --- T97和597D，增强了该公司TANTAMOUNT® 高可靠性电容器的性能，扩大其在高压固钽贴片电容器领域的领先地位。 發(fā)表于：2010/7/20 SD协会为 SDXC和SDHC内存卡以及设备定义新的高速性能选择 近日，SD 协会宣布针对速度最快的 SDXC 和 SDHC 设备以及内存卡推出两个全新的高速性能符号。第一个符号是用来表示总线界面速度每秒高达 104 MB、可提高设备性能的产品。第二个符号是用来表示具备允许实时视频录制的性能选项之 SD 内存卡和产品。 發(fā)表于：2010/7/20 Diodes全新小巧晶体管实现小型化产品设计 Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。 發(fā)表于：2010/7/19 NOR Flash产业版图酝酿大挪移 台厂大举扩产 2010年存储器市场最夯产品非NOR Flash莫属，从年初开始供货吃紧且价格一路飞涨，尽管各家NOR Flash厂对于第3季价格都是持续看涨，但产业供需结构却是暗潮汹涌，其中，旺宏与华邦大举扩充12寸厂产能，飞索(Spansion)脱离破产保护而获得重生，加上Microchip旗下超捷(SST)新营运策略出炉，其亚洲独家代理商倍微对于抢回低容量NOR Flash市场龙头信誓旦旦，都让2010年NOR Flash产业版图呈现即将大幅变动的氛围。 發(fā)表于：2010/7/19 半导体材料市场反弹至创新的记录 根据SEMI于SEMICON West上最新的数据报道，由于IC出货量的持续增加，导致半导体材料用量己经回到近08年水平，但是预期2011年的增速减缓。 發(fā)表于：2010/7/19 28nm节点将引发全球代工攻坚战 按Gartner副总裁Dean Freeman看法，能进行先进制程设计的fabless公司目前正处于极好时光。因为Freeman看到顶级代工厂正义无反顾的向40及28nm进军，同时为争夺更大的市场份额，而使硅片代工的价格迅速下降。 發(fā)表于：2010/7/16 使用压电薄膜传感器作为加速度计 加速度计可以用在仪表中，测量加速度(速度对时间的变化率)和测量倾斜度(物体的纵轴和与地球表面相切的平面的垂线之间形成的倾角)。倾斜度测量可以被看成“直流”或稳态测量。在理论上，加速度可以是稳态的，但在实际应用当中，加速度通常是一个短期的暂时现象。 發(fā)表于：2010/7/15 Vishay Siliconix 推出三款新型500V N沟道功率MOSFET 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。 發(fā)表于：2010/7/14 DRAM厂制程转换不顺 新产能变数多 近期DRAM市场供需杂音多，由于终端需求前景不明，7月合约价不见起色，仍持续往下修正，加上随著40和50纳米制程微缩导致产能增加，进而压抑价格走势，然值得注意的是，目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传，新产能是否能如期出笼仍存变量，因此，第3季DRAM价格还有多少修正空间，目前仍处于混沌状态。 發(fā)表于：2010/7/14 美光科技推出第三代低延时内存 2010年7月14日， 北京讯 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延时DRAM (RLDRAM○R 3内存)—一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展，对网络基础设施提出了更高效的要求，以便在线传输大量数据。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。 發(fā)表于：2010/7/14 传感器：物联网成引擎 新技术催生新机遇 作为政府从战略层面进行推进的产业，物联网如何从愿景走向现实应用并得到快速发展已成为业界关注的话题。正所谓“万丈高楼平地起”，作为构成物联网的基础单元，传感器在物联网信息采集层面能否如愿以偿完成它的“使命”，成为物联网成败的关键。并且未来MEMS、MOEMS(微光机电系统)将成为物联网的技术核心，使无线传感网、光网快速加入物联网的应用系统，为其提供更明确的应用方向和更丰富的市场机会，物联网也将成为传感器市场的新引擎。 發(fā)表于：2010/7/13 <…163164165166167168169170171172…>
