微波射頻相關(guān)文章 全面解析今年一季全球半导体硅片产能 国际半导体数据统计机构SICAS近期的统计数据中，表示采用MOS工艺以8英寸等值硅片计，另一类工艺为双极工艺，通常用在模拟电路中。除了标有300mm硅片MOS之外，双极数据以5英寸等值硅片计，而分立器件以6英寸等值硅片计。总的半导体SC数据，包括双极数据由5英寸转换成8英寸利用转换率0.391及分立器件由6英寸转换成8英寸，利用转换率0.563。 發(fā)表于：2010/7/13 2010中国电子制造商采购行为调查 中国电子展两年前首次在展览期间推出“中国市场电子元器件领军厂商评选活动”，这一评选活动一经推出，就受到了业界的广泛关注，参与和反响都很不错。今年将于11月3-5日在上海新国际博览中心召开的第76届中国电子展仍然会将这一评选活动作为一场重量级的业内互动交流平台推广。 發(fā)表于：2010/7/12 中国(成都)电子展 数以万计专业观众追捧为哪般？ 中国电子展自07年首次移师西部以来赢得了数以万计买家的大力支持。去年召开的成都展接待观众13109人次，近500家展商参与展示活动，包括了IBM、英特尔、安捷伦、泰克科技、力科、福禄克、德国罗森伯格、罗德与施瓦茨、ESPEC等行业巨头，以及元器件和半导体的国际领军厂商泰科电子、威世国际、村田制作所、安富利、太阳诱电、飞兆半导体、德州仪器、ALTERA、Actel、Xilinx、微芯科技、ADI等。还有很多优秀的国内企业：中科泛华、泉州火炬、常州坚力、常州银河、常州同惠、宁波晨翔等。 發(fā)表于：2010/7/12 基于FPGA的DDR内存条的控制研究与设计 随着数据存储量的日益加大以及存储速度的加快，大容量的高速存储变得越来越重要。内存条既能满足大容量的存储又能满足读写速度快的要求，这样使得对内存条控制的应用越来越广泛。首先介绍了内存条的工作原理，内存条电路设计的注意事项，以及如何使用FPGA实现对DDR内存条的控制，最后给出控制的仿真波形。 發(fā)表于：2010/7/12 Vishay Siliconix推出新款ThunderFET™功率MOSFET 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK® SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161，该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。 發(fā)表于：2010/7/9 Avnet Express推出面向亚洲的电子商务网站 中国北京– 2010年7月8日 - 安富利公司(NYSE: AVT)运营机构之一安富利电子元件(Avnet Electronics Marketing) 旗下Avnet Express近日推出亚洲最完善的电子元件电子商务网站 www.avnetexpress.com/asia ，该网站也是业界首个支持中国在线支付系统的亚洲分销商网站。 發(fā)表于：2010/7/8 AMOLED短缺引发智能手机市场担忧 据iSuppli公司，有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)供应短缺，正在妨碍其在智能手机市场挑战AMLCD技术的主导地位。 發(fā)表于：2010/7/6 2011年DRAM均价将跌三成，众厂商加大投入搏竞争力 针对 DRAM 厂明年获利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均价较今年下跌约30%。然而随着制程转进、成本下降， DRAM 厂营业利益率(OP Margin)成本优势最佳者，今年营业利益率平均为36%，明年平均为26%；而成本优势落后者，今年下半年转亏为营，明年营业利益率约可维持在10%上下。 發(fā)表于：2010/7/6 LED晶粒年底可达供需平衡 LED供需争议未止，昨公布的一项报告指出，电视用LED晶粒缺货状况将到年底，估计第四季就会达成平衡。 發(fā)表于：2010/7/5 磁性材料前景乐观 磁性材料是电子工业的重要基础功能材料，广泛应用于计算机、电子器件、通讯、汽车和航空航天等工业领域和家用电器、儿童玩具等日常生活用品，随着世界经济和科学技术的迅猛发展，磁性材料的需求将空前广阔。 發(fā)表于：2010/7/2 英飞凌推出650V CoolMOS™ C6/E6高压功率晶体管为开关应用带来最高效率和轻松控制 2010年7月2日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台，C6器件针对易用性进行了优化，而E6器件则旨在提供最高效率。 發(fā)表于：2010/7/2 IR 拓展了中压功率 MOSFET 产品组合推出采用 PQFN 封装和铜夹技术的新产品 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。 發(fā)表于：2010/7/2 集成的 5A MOSFET 和 RSENSE提供高度集成的热插拔解决方案 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2010 年 7 月 1 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A 热插拔 (Hot SwapTM) 控制器 LTC4219，用于保护负载电源电压范围为 2.9V 至 15V 的低功率电路板。LTC4219 通过在加电时限制流向负载电源的浪涌电流，允许电路板安全地在一个带电的背板上插入和拔出。热插拔控制器一般需要若干支持组件。然而，LTC4219 在其电源通路中集成了一个电源 MOSFET 和检测电阻器，以限制浪涌电流，从而减少了所需的外部组件数量。该器件的内部 dV/dt 电路意味着无需外部栅极电容器。可调电流限制允许用户在不同的负载条件下改变电流限制门限，例如在磁盘驱动器旋转至正常工作状态时。高集成度和纤巧 DFN 封装使 LTC4219 在空间受限应用中成为使用方便的热插拔解决方案。 發(fā)表于：2010/7/1 基于Blackfin处理器的继电保护完整解决方案 电网改造和坚强智能电网建设的一个重要方面是加强网络的自我故障诊断、保护和自愈功能，电力公司需要电力线监控和保护系统，以对能量的消耗情况、成本和质量进行监视和控制，并对保护昂贵的设备进行保护，从而使电源不至于被浪涌和恶劣的气候所损毁。 發(fā)表于：2010/6/30 新一代视频监控系统应用存储解决方案 监控技术从上个世纪80年代进入我国以来，随着安防需求的急剧增加一直在飞速发展，从技术层面上来看，已经经历了多个不同的发展阶段。随着计算机技术的发展和网络的普及，目前，视频监控已经发展到了网络多媒体监控系统。 發(fā)表于：2010/6/30 <…164165166167168169170171172173…>
