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基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管

为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件，优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构，在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术，制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度＞400 kA/cm2，峰谷电流比(PVCR)＞2.4。

發(fā)表于：2019/8/1

基于VO2相变特性的THz波动态调控研究进展

太赫兹(Terahertz，THz)波位于光子学向电子学的过渡区域，在高速宽带通信、雷达、成像等领域具有重要应用前景。但目前用于THz波动态调控的器件仍比较缺乏，这在一定程度上限制了THz技术的发展。VO2具有独特的金属—绝缘体相变特性，相变过程可以应用于动态调控THz波传输。探索超材料与VO2结合以制备高效、动态、灵活的太赫兹功能器件也是近来的研究热点。简述了VO2的相变特性，并分析了微观结构和化学成分等因素对相变特性的影响；系统回顾了VO2薄膜相变过程中的THz波调控性能研究进展，总结了VO2与超材料不同结合方式在THz波动态调控方面的应用；并对基于VO2相变特性的THz波调控功能器件发展前景与挑战进行了展望。

發(fā)表于：2019/7/31

太赫兹固态放大器研究进展

随着半导体技术的发展，晶体管特征频率不断提高，已经进入到太赫兹（THz）频段，使得固态器件可以在THz频段工作。THz放大器可以将微弱的信号进行放大，在THz系统中起着关键作用。介绍了基于氮化镓(Gallium Nitride，GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化铟(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP异质结双极晶体管/双异质结双极晶体管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz单片放大器研究进展。

發(fā)表于：2019/7/31

毫米波人体扫描仪市场：过去、现在和未来

全身扫描仪已经成为全球安全与威胁检测工具包的重要组成部分。随着射频、微波和毫米波技术的不断发展进步，利用这种技术的全身扫描仪也变得流行起来。全身扫描解决方案的总体接受程度在很大程度上取决于其性能、设计和商业可行性。本文讨论了这些全身扫描仪的系统集成商如何做出正确的技术设计和合作伙伴选择，从而更自信地为这个快速增长的市场提供商业上可行的解决方案。

發(fā)表于：2019/7/30

Silicon Labs利用软件定义无线电技术提升广受欢迎的Si479xx汽车调谐器系列产品

中国，北京 - 2019年7月30日 - Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）为领先的汽车收音机解决方案供应商，日前宣布推出新型数模混合一体化软件定义无线电（SDR）调谐器，扩展其产品组合使得单个通用平台上能支持全球所有数字收音机标准以满足汽车收音机制造商不断增长的需求。新型Si479x7器件是Silicon Labs首款支持Digital Radio Mondiale（DRM）标准的汽车收音机调谐器。Si479x7调谐器是Silicon Labs广受欢迎的Global Eagle和Dual Eagle AM/FM接收器和数字收音机调谐器系列产品的扩展，提供同样出色的路试性能、单双调试器兼容的引脚定义和封装、以及物料清单（BOM）成本优势。

發(fā)表于：2019/7/30

复数RF混频器、零中频架构及高级算法：下一代SDR收发器中的黑魔法

RF工程常被视为电子领域的黑魔法。它可能是数学和力学的某种奇特组合，有时甚至仅仅是试错。它让许多优秀的工程师不得其解，有些工程师仅了解结果而对细节毫无所知。现有的许多文献往往不建立基本概念，而是直接跳跃到理论和数学解释。

發(fā)表于：2019/7/24

Matlab 数字滤波入门

这是一篇最简单不过的matlab数字信号处理的介绍，里面涉及数字滤波，简单的图像处理和信号检测。

發(fā)表于：2019/7/24

Luminar用于ADAS的激光雷达解决方案

据外媒报道，2017年，Luminar筹集了3600万美金，从5年的默默无闻终于为人所知。该公司早期的投资来自1517 Fund、Canvas Ventures和GVA Capital。预计到2026年自动驾驶汽车市场市值将达5566.7亿美元，因此，Luminar正在大幅扩大其产品阵容，希望能够垄断自动驾驶汽车市场。当地时间7月11日，该公司除了推出新款用于高级驾驶辅助系统（ADAS）的激光雷达解决方案，还推出了首个面向消费汽车和卡车的生产平台，该平台拥有“全感知”能力。

發(fā)表于：2019/7/19

TI DLP®技术正在以三种方式革新工业印刷和生产

北京2019年7月11日 /美通社/ -- 为满足工业成像和印刷日益增长的需求，制造解决方案必须能够以极快的速度生成具有一致质量的复杂、高分辨率的2D图像。DLP技术已用于使用紫外光源的高通量3D打印和印刷电路板 (PCB) 光刻。现在，针对近红外 (NIR) 光源的扩展支持带来了快速打印速度、精细分辨率和实时适应性的相同优势，扩展了工业打印应用。

發(fā)表于：2019/7/11

5G、毫米波、太赫兹、高速数字设计你期待的干货都在这里

7月12日下午，“2019中国西部微波射频技术研讨会”在成都世纪城新国际会展中心圆满落幕。从5G到Wi-Fi6、从毫米波到相控阵天线、从太赫兹测试到高速PCB设计……，这是一场覆盖射频微波产业前后端的技术盛宴，来自国内外领先半导体厂商、测试测量厂商、系统集成商的技术专家将齐聚一堂，深入剖析中国射频微波产业发展前景及主要技术热点。

發(fā)表于：2019/7/10

红外成像技术助力人工智能，有望定位乳腺癌等症状发生位置？

　　由罗彻斯特理工学院（Rochester Institute of Technology，以下简称RIT）和罗彻斯特地区卫生系统（Rochester Regional Health System，以下简称RRHS）合作开发的非侵入性技术可以提供发现隐藏在致密乳房组织后肿瘤的补充测试选项。

發(fā)表于：2019/7/6

基于二硫化碳的超材料太赫兹透射特性调控

目前，光控太赫兹波超材料主要是利用激光改变半导体材料的载流子浓度来实现的。半导体材料的复合寿命一般为纳秒量级，因此调控时间受到了限制。与半导体材料相比，二硫化碳(CS2)的光响应速度很快，只有1.68 ps，并且也具有较大的光学非线性。以亚波长周期金属块阵列结构为基础，提出了利用CS2来实现超材料太赫兹透射调控的方案。具体利用时域有限差分法(FDTD)研究了该结构的太赫兹波透射调控。

發(fā)表于：2019/7/4

太赫兹片上集成放大器研究进展

针对当前太赫兹科学与技术发展的状态和瓶颈问题，重点讨论太赫兹电路中的核心部件——片上集成放大器的研究进展情况。根据太赫兹芯片设计和加工不同基底材料，比较了磷化铟和砷化镓制成化合物太赫兹放大单片与体硅和锗化硅制成的硅基片上集成放大器两大类，并对不同材料体系下的电路拓扑和指标进行了分析和总结。

發(fā)表于：2019/7/3

基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器

设计了肖特基二极管的结构和尺寸，采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗，根据二极管测试结果和实际结构，分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型，采用平衡式电路设计，将二极管放置在波导内，利用模式正交性很好地实现输入与输出信号的隔离，简化了电路结构，降低了损耗，成功设计并制作出300 GHz二倍频器，在312～319 GHz的倍频效率大于5%，最大倍频效率为10.1%@316 GHz，在307 GHz～318 GHz的输出功率大于4 mW，最大输出功率为8.7 mW@316 GHz。采用较高掺杂浓度材料二极管的倍频器最大效率为13.7%，最大输出功率为11.8 mW。该倍频器的输出功率与已报道水平相当，验证了国产肖特基二极管的设计、工艺以及高频工作等方面的能力。

發(fā)表于：2019/7/3

太赫兹梯度超表面综述

超表面，一种新颖的人工电磁材料，由于厚度可忽略不计，也称二维超材料。由于电磁波的电场或磁场与超表面亚波长单元结构的共振效应使其相位或幅度发生突变，从而经过超表面后出射波矢量场的叠加实现了对电磁波传播特性的调控。与三维超材料相比，超表面拥有损耗低、厚度薄、易于集成等优点，其巨大的应用潜力受到全世界研究人员的关注。太赫兹超表面器件在平面超透镜、涡旋光束、数字编码超表面、全息成像等显示了巨大的潜力和优势。从基本定律出发，总结了几种重要的超表面器件的调控原理和应用领域，并对未来超表面器件的实用价值和前进方向进行展望。

發(fā)表于：2019/7/2