富士通半導(dǎo)體攜手武漢力源推出富士通FRAM免費樣片申請活動

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，攜手武漢力源信息技術(shù)股份有限公司（P&S）推出了富士通鐵電存儲器(FRAM)免費樣片申請活動。本次活動面向廣大電子工程師群體，旨在通過本次活動讓更多人了解、熟悉富士通半導(dǎo)體的FRAM系列產(chǎn)品。

發(fā)表于：11/19/2013

恩智浦推出用于NFC天線的ESD保護二極管

發(fā)表于：11/12/2013

瑞薩電子推出全新的先進低功耗SRAM產(chǎn)品 可有效提高用戶系統(tǒng)的可靠性

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723），今日推出了12 款新產(chǎn)品版本的旗艦SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)品，這些產(chǎn)品屬于RMLV0416E、RMLV0414E 及RMLV0408E 系列先進低功耗SRAM（先進LP SRAM）。新推出的存儲器設(shè)備擁有高達4 兆位（Mb）的密度，并采用極為精密的110 納米（nm）線寬制造工藝。

發(fā)表于：10/22/2013

Vishay推出新款精密薄膜片式電阻實驗室樣品套件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司現(xiàn)在提供特定精密薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---MCS 0402(LCS 96/4)和MCT 0603(LCT 96/4)套件，幫助工程師開發(fā)各種各樣電子系統(tǒng)的原型和加快產(chǎn)品上市時間。

發(fā)表于：10/16/2013

意法半導(dǎo)體(ST)最新的雙極功率晶體管媲美MOSFET的能效且具備緊湊封裝，節(jié)省電路板空間

意法半導(dǎo)體的3STL2540提供雙極晶體管的成本優(yōu)勢和硅面積使用效率，同時兼具同級MOSFET的能效，為設(shè)計人員提供一個節(jié)省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉(zhuǎn)換器（DC-DC converters）轉(zhuǎn)換解決方案。

發(fā)表于：10/15/2013

德州儀器推出最小型 2.5kVrms 數(shù)字隔離器件

日前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界第一個數(shù)字隔離器件系列，其可通過5 毫米x 6 毫米小型 QSOP 封裝提供2.5 kVrms 的最高隔離額定值。該ISO71xx 系列不僅比傳統(tǒng)SOIC 隔離器件小50%，而且還可在相同封裝中提供比同類競爭器件高2.5 倍的隔離額定值。在不影響針對較低隔離額定值或EFT 浪涌的保護性能的同時縮小板級空間，在可編程邏輯控制器(PLC) 與傳感器等工業(yè)自動化應(yīng)用以及DeviceNet、CAN 與RS-485 等Fieldbus 應(yīng)用中已變得日益重要。

發(fā)表于：10/12/2013

LSI Nytro? WarpDrive®閃存加速卡顯著提高VMware虛擬桌面密度和性能

LSI公司（NASDAQ: LSI）日前宣布，其正與VMware進行密切合作，為部署VMware Horizon View?帶來了突破性的虛擬桌面密度。與VMware Horizon View的協(xié)作測試采用了單一的LSI® Nytro? WarpDrive®應(yīng)用加速卡，可在雙節(jié)點集群上同時支持200臺活動虛擬桌面基礎(chǔ)架構(gòu)（VDI）的工作負載，且不會出現(xiàn)存儲延遲。

發(fā)表于：9/26/2013

恩智浦NextPowerS3可提供帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能的MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術(shù)。NextPowerS3是業(yè)界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或類似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能，而且這種MOSFET沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3 30V的產(chǎn)品適合于各種應(yīng)用，包括用于通信和云端計算機所需要的高效率電源、高性能便攜式計算機電源和電池供電式電機控制，如可充電電動工具。

發(fā)表于：9/26/2013

JEDEC® 發(fā)布通用閃存標準 （UFS）2.0版

微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標準制定機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天發(fā)布通用閃存（UFS）標準2.0版。該標準專為需要高性能低功耗的移動應(yīng)用和計算系統(tǒng)而設(shè)計。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以提高性能，延伸安全功能，并進一步降低功耗。

發(fā)表于：9/23/2013

Molex子公司 Polymicro改進用于深紫外線應(yīng)用的FDP光纖產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司子公司Polymicro Technologies最近宣布提升其FDP光纖產(chǎn)品，最新的性能提升改進了光纖產(chǎn)品在深紫外線應(yīng)用(190nm - 325nm)中的曝曬。

發(fā)表于：9/18/2013

德路推出用于智能消費設(shè)備微透鏡的新型高科技材料

德路工業(yè)膠粘劑公司開發(fā)了新型的、用于透鏡生產(chǎn)的光固化環(huán)氧樹脂和丙烯酸酯。用于微透鏡的創(chuàng)新型光學(xué)材料對全球消費電子產(chǎn)業(yè)來說具有劃時代意義，因為這些材料最大程度滿足了微光學(xué)系統(tǒng)所有的質(zhì)量要求，并且使快速和低成本生產(chǎn)成為可能。如今，高科技透鏡應(yīng)用于陣列相機、手機、LED閃光燈以及3D屏幕中。

發(fā)表于：9/6/2013

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間及提高效率而設(shè)計的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

發(fā)表于：9/6/2013

LSI發(fā)布SandForce閃存控制器創(chuàng)新技術(shù)

LSI 公司(NASDAQ: LSI)發(fā)布其最新LSI®SandForce®閃存控制器的創(chuàng)新技術(shù)，并在近期舉行的美國加州閃存存儲器峰會上進行了演示。

發(fā)表于：9/5/2013

Vishay的新款MOS勢壘肖特基整流器具有10A和15A器件中業(yè)內(nèi)最低的正向壓降

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS®Trench MOS勢壘肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。這兩款器件是業(yè)內(nèi)首批在10A和15A下的典型正向壓降低至0.40V和0.41V，兼具優(yōu)化的漏電流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封裝，可用于智能手機和平板電腦的充電器。

發(fā)表于：9/5/2013

意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布擁有頂級性能的MEMS加速度計， 提升豐富的用戶體驗

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、世界最大的MEMS產(chǎn)品制造商、世界最大的消費電子及便攜設(shè)備MEMS傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）日前發(fā)布了最新的高性能3軸MEMS加速度計LIS344AHH。新產(chǎn)品擁有達±18g的滿量程、高帶寬、低噪聲、高機械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，可提升游戲、用戶界面和增強實境的用戶體驗，以及工業(yè)控制和碰撞監(jiān)視的性能。

發(fā)表于：9/3/2013