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益登科技与Packet Digital宣布达成代理协议

专业电子元器件代理商益登科技（TSE:3048）与Packet Digital达成代理协议，此次的合作结盟为Packet Digital的PowerSage集成电路产品在全球销售市场的一大进展。PowerSage集成电路产品具备按需用电（On-Demand Power）专利技术，使得益登科技的电源产品线更加完善，并可满足其广大客户的省电需求。

發(fā)表于：2012/2/15

TE电路保护部推出面向各种高数据速率应用的、业界最低电容的硅静电放电保护器件

TE Connectivity旗下的一个业务部门TE电路保护部日前发布一个系列8款全新的单/多通道硅静电放电（SESD）保护器件，可提供市场上最低的电容（双向：典型值为0.10pF，单向：典型值为0.20pF）、最高的ESD保护（20kV空气放电和接触放电）和最小尺寸封装（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度为0.31mm）。

發(fā)表于：2012/2/15

同步降压型控制器利用 mΩ 以下的 DCR 检测提供真正的电流模式控制

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出电流模式同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3866，该控制器采用了一种新颖的 DCR 检测架构，此架构可改善电流检测信号的信噪比，从而允许使用非常低 DC 电阻的功率电感器。可采用一个低至 0.17mΩ 的功率电感器 DC 电阻，以最大限度地提高转换器效率并增加功率密度。这种新型 DCR 检测方法大幅降低了低 DCR 电阻应用中常见的开关抖动。DCR 温度补偿功能电路可在宽广的温度范围内保持一个恒定和准确的电流限制门限。

發(fā)表于：2012/2/9

恩智浦推出最高支持1.5A的突破性0.37mm超平封装肖特基整流器

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣布推出面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器，标志着其为小型化发展设立了新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅为0.37 mm，尺寸为1.6 x 0.8 mm，是市场上支持最高1.5A电流的最小器件。DFN1608D-2共包括六个型号的肖特基势垒整流器：其中三款为针对极低正向电压的20V型号，另外三款为针对极低反向电流的40V型号。平均正向电流范围为0.5至1.5A。

發(fā)表于：2012/2/9

飞兆半导体和英飞凌科技进一步扩展功率MOSFET兼容协议为客户保证供货稳定性

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。

發(fā)表于：2012/2/8

双输出、多相降压型 DC/DC 控制器可与 Power Block 及 DrMOS 器件运行

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3861，该控制器可与外部功率链器件 (如 Power Block 和 DrMOS)、以及分立式 N 沟道 MOSFET 和相关的栅极驱动器配合工作，从而实现了灵活的设计配置。可并联多达 12 相和异相定时运作，以最大限度地减少输入和输出滤波，从而满足非常高的电流要求 (高达 300A)。其应用包括高电流功率分配以及工业系统、DSP 和 ASIC 电源。

發(fā)表于：2012/2/8

瑞萨宣布开发出在单芯片中集成电源转换电路的低损耗碳化硅（SiC）功率器件

全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与瑞萨联合开发的技术，有助于实现低功耗。与瑞萨采用传统硅（Si）的现有功率器件相比，其功耗大约降低了40%。

發(fā)表于：2012/2/8

瑞萨宣布开发出在单芯片中集成电源转换电路的低损耗碳化硅（SiC）功率器件

全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与瑞萨联合开发的技术，有助于实现低功耗。与瑞萨采用传统硅（Si）的现有功率器件相比，其功耗大约降低了40%。

發(fā)表于：2012/2/8

富士通半导体推出基于0.18 µm技术的全新5V I2C接口FRAM

富士通半导体（上海）有限公司近日宣布推出其基于0.18µm技术的全新系列FRAM产品家族。该系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 两个型号，均支持I2C接口且可在5V电压下工作，即日起即可供货。　

發(fā)表于：2012/2/7

Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器

　世界领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16 kb器件的型号为FM25P16，是业界功耗最低的非易失性存储器，为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品，其能耗仅为EEPROM 器件的千分之一，并具有快速读/写特性和几无乎无限次的耐用性。

發(fā)表于：2012/2/7

安森美半导体公布“2011代理合作伙伴奖”获奖名单

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)公布其2011年最佳代理合作伙伴名单。此奖项表彰在各个区域市场引领渠道销售、增加市场份额、谋取安森美半导体所收购公司之产品销售增长以及总体流程表现优异的代理商。

發(fā)表于：2012/2/7

源科荣膺2011年度中国创新存储企业奖

被喻为固态存储元年的2011年中，存储领域可谓风云迭起，市场颇为活跃。固态硬盘（SSD）由于比较昂贵的价格而一直定位于军事和金融等高可靠性应用中，近年来随着大众消费市场需求的激增，固态存储行业即将进入爆发性增长阶段。　

發(fā)表于：2012/2/7

科锐推出封装型1700V碳化硅肖特基二极管为太阳能、电机驱动和牵引应用提高效率并节约成本

碳化硅（SiC）功率器件的市场领先者科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。科锐1700V Z-Rec®肖特基二极管从根本上消除了硅PiN二极管替代品中存在的反向恢复损耗，能够使系统实现超高效率并且更小、更轻，同时提高了整体的可靠性。此次发布的全新封装产品采用1700V Z-Rec技术，进一步提升分立器件设计低功率应用的性能并且节约系统成本。

發(fā)表于：2012/2/3

菲尼克斯电气：2012连接器市场不冷，厚望四大热点应用

“从整体市场来讲，只要整体经济不疲软，连接器市场将稳步发展，因为大都数连接器具备技术应用复制性，不受某一具体行业的市场发展形势而影响，从技术应用角度来讲，连接器市场2012有如下四大热点应用市场。”近日，菲尼克斯电气市场部的计勤先生接受了慕尼黑上海电子展主办方的采访，就连接器市场在2012年的发展以及菲尼克斯电气的策略重点进行了交流，采访全文如下(以问答形式给出)：　

發(fā)表于：2012/2/2

问道JAE之连接器：小薄型连接器迎来发展机遇

在电子产品中，连接器所发挥的作用甚至要大于某些核心平台，连接器技术的发展直接决定了电子产品的超薄、超轻化，2012年，连接器产品会有哪些变化？应用的热点市场是哪些？近日，我们采访了位列全球连接器十大品牌之一的JAE公司，JAE中文名为“日本航空电子”，是日本一家专业制造连接器的国际公司，其产品主要应用于LCD、计算机、手机等领域领。JAE在板对线、FPC、板对板以及卡座 I/O等连接器方面具有相当强势的竞争优势，在NEC、MOTO、Samsung、LG、SHARP、苹果等知名厂家都有相当的市场份额。2012年3月JAE也是第一次亮相于慕尼黑上海电子展的连接器专区，他们将与广濑电机HRS、欧达可OTAX、米思米Misumi、山一电机YAMAICHI等众多日本连接器厂商同台展示。此次我们采访了JAE公司的三位高管，他们分别就热点问题进行了交流。

發(fā)表于：2012/2/2