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SK海力士有望2月啟動業(yè)界最先進1c nm制程DRAM量產
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消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場
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南亞科技稱DRAM市場將于2025年二季度開始復蘇
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美光宣布投資21.7億美元提升美國特種DRAM產能
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TrendForce預估2025年一季度一般型DRAM內存合約價下跌
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三星準備開發(fā)傳統(tǒng)結構1e nm DRAM
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國產DRAM的市場份額有望快速升至15％
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南亞科技宣布攜手補丁科技合作開發(fā)HBM
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三星電子搶建10nm第七代DRAM測試線
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DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向
發(fā)表于：12/16/2024 3:35:53 PM
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消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內存量產設備訂購
發(fā)表于：12/11/2024 11:39:59 AM
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通用PC DRAM內存價格暴跌35.7%
發(fā)表于：12/10/2024 10:39:29 AM
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SK海力士新設AI芯片開發(fā)和量產部門
發(fā)表于：12/6/2024 9:39:33 AM
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美國對華HBM出口管制規(guī)則公布
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三星將展示42.5Gbps超高速24GB GDDR7顯存
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三星電子官宣2025年度重大組織與高管結構調整
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2024Q3全球DRAM市場營收260.2億美元
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TrendForce預計2025年DRAM價格將下跌
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ASML在2024 年投資者日會議上就市場機遇提供最新看法
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TrendForce研報預計2025年DRAM 價格將下跌
發(fā)表于：11/18/2024 8:10:34 PM
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DDR4內存正逐漸被放棄
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鎧俠宣布斥資16.75億元研發(fā)下一代內存
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TrendForce預測2025年DRAM產量同比增長25%
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
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三星半導體業(yè)務三季度獲利環(huán)比大跌40%
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三星前員工涉嫌向韓國泄露國產內存秘密被中國警方逮捕
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消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出
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消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過英偉達認證
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TrendForce預測2024年第四季度DRAM價格漲幅放緩
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