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IR推出创新的电源模块组件
發(fā)表于：2013/8/7 下午3:31:45
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摩尔定律将在10年内崩溃？！
發(fā)表于：2012/5/3 下午3:39:59
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晶硅薄膜效率创16.3%新纪录
發(fā)表于：2011/7/15 上午12:00:00
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回顾发展历程、领悟发展哲理
發(fā)表于：2009/9/22 下午2:14:45
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Vishay Siliconix推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%
發(fā)表于：2009/9/10 下午2:03:39
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Vishay Siliconix推出采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET，扩大TrenchFET家
發(fā)表于：2009/8/17 上午10:13:21
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Vishay Siliconix的新款第三代12V TrenchFET功率MOSFET提供了业内最佳的导通电阻性能
發(fā)表于：2009/7/29 下午12:31:49
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Vishay Siliconix推出采用TO-220、TO-220F和TO-247封装的新款500V功率MOSFET
發(fā)表于：2009/7/29 上午11:27:23
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發(fā)表于：2009/7/28 下午5:27:58
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Vishay Siliconix推出新款DrMOS器件，可用于CPU系统中的电压稳压器
發(fā)表于：2009/7/22 上午10:56:08
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Vishay Siliconix发布新款±15V高精度8通道、4通道CMOS模拟复用器
發(fā)表于：2009/6/29 上午9:40:37
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發(fā)表于：2009/6/29 上午8:25:21
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Vishay Siliconix首创将高、低MOSFET集成在同一封装，大幅节省占位空间并降低设计难度
發(fā)表于：2009/6/25 下午2:29:31
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恩智浦硅锗碳BiCMOS QUBIC4技术促进射频创新
發(fā)表于：2009/6/17 上午11:00:36
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恩智浦新一代硅锗碳BiCMOS QUBIC4技术促进射频创新
發(fā)表于：2009/6/12 上午9:28:50
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Vishay Siliconix发布具有业界最低导通电阻的新型第三代20V P通道TrenchFET功率MOSFET
發(fā)表于：2009/5/13 上午11:01:47
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Vishay Siliconix推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET
發(fā)表于：2009/4/30 上午11:17:23
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Vishay Siliconix 推出业内最低导通电阻的新型 20V P 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET
發(fā)表于：2009/3/10 上午9:18:46
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Vishay 推出业界首款采用 MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET? 功率 MOSFET
發(fā)表于：2009/1/19 上午10:10:09
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微电子技术或将推动传感器技术的发展
發(fā)表于：2009/1/8 上午11:35:53
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發(fā)表于：2009/1/8 上午11:35:53
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Vishay Siliconix 推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的 190V N 通道功率 MOSFET
發(fā)表于：2009/1/8 上午9:32:09
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Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET 功率 MOSFET实现业内最低导通电阻
發(fā)表于：2008/12/23 下午5:38:15
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Vishay Siliconix 推出业界最小占位面积的新型 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管
發(fā)表于：2008/12/12 上午9:46:46
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Vishay Siliconix 推出的新型高端负载开关器件为客户提供了更多选择
發(fā)表于：2008/12/10 下午4:57:42
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Vishay Siliconix 推出了首款采用 TurboFET 技术的第三代功率 MOSFET，其切换损耗更低、切换速度更快
發(fā)表于：2008/12/5 上午10:12:40
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Vishay 的新型 Siliconix 20V TrenchFET 第三代功率 MOSFET再创业界最佳导通电阻记录
發(fā)表于：2008/11/21 上午11:36:50
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Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET Gen III 功率 MOSFET 刷新了业界最佳导通电阻记
發(fā)表于：2008/10/29 上午10:34:58
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Vishay Siliconix 推出新型三输出降压控制器 IC，真正实现高效电源转换
發(fā)表于：2008/10/16 下午12:09:05
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發(fā)表于：2008/10/15 下午5:29:06
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