頭條 東京大學研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據(jù)scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術和電路研討會上，東京大學工業(yè)科學研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結晶實現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領域應用的性能，并在后硅時代延續(xù)摩爾定律的生命力。 最新資訊 AMD宣布3nm工藝APU定格在2026年 AMD處理器一直在有條不紊地推進，現(xiàn)在第一次看到了未來APU的代號名字，非常特殊，叫做——“Sound Wave”(聲波)。 發(fā)表于：3/4/2024 海思有望在本月推出 LCoS 激光投影技術方案 洛圖科技今天發(fā)布 2024 年中國智能投影線上市場分析報告，其中提到今年投影機技術和供應鏈將發(fā)生變化，隨著國產芯片商海思開始向 LCoS 激光投影技術發(fā)力，今年投影儀市場許多廠商會推出搭載相關技術的產品。 發(fā)表于：3/4/2024 三星：考慮將MUF技術應用于服務器 DRAM 內存 據(jù) TheElec，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 內存的 MR MUF 工藝，與 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現(xiàn)了一定惡化。 經(jīng)過測試，該公司得出結論，MUF 不適用于高帶寬內存 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術制造，主要用于服務器。 MUF 是一種在半導體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的 TSV 工藝后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆疊的多個半導體牢固地固定并連接起來。 發(fā)表于：3/4/2024 AMD：無法兼容Intel Wi-Fi 7網(wǎng)卡 Intel 近日發(fā)布了新版 Wi-Fi 7 無線網(wǎng)卡驅動，增加新功能，修復已知 Bug，但遺憾的是，依然和 AMD 系統(tǒng)不對付。 新驅動在 Windows 10/11 64 位下版本號為 23.30.0，Windows 10 32 位下版本號為 22.160.0。 發(fā)表于：3/4/2024 三星SDI敲定匈牙利第三工廠計劃 據(jù) TheElec，三星 SDI 已最終敲定了在匈牙利建造第三座電池工廠的投資計劃。三星 SDI 正在擴建現(xiàn)有的匈牙利第二工廠，預計將在 9 月竣工。 消息人士稱，該公司預計今年將在整體設施擴建上花費超過 6 萬億韓元（當前約 324 億元人民幣），其中超過 1 萬億韓元（當前約 54 億元人民幣）將用于建設第三工廠。據(jù)稱，三星 SDI 還將從菲律賓招募工人到匈牙利工作。 發(fā)表于：3/4/2024 多通道優(yōu)先級放大器的設計與應用 圖1所示的模擬優(yōu)先級放大器最初是作為多輸出電源的一部分進行設計，其中穩(wěn)壓操作基于最高優(yōu)先級通道的電壓。該放大器的另一個應用是帶電子節(jié)氣門控制的引擎控制系統(tǒng)，其中引擎需要對多個輸入命令中優(yōu)先級最高的一個作出響應。 發(fā)表于：3/1/2024 貿澤聯(lián)手Würth Elektronik推出全新電子書 2024年2月26日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子 （Mouser Electronics） 與Würth Elektronik聯(lián)手推出全新電子書，匯聚了八位專家針對物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 技術與設備相關應用的討論。 發(fā)表于：2/29/2024 全球首款“彈性”rSIM助力物聯(lián)網(wǎng)設備“永遠在線” 助力物聯(lián)網(wǎng)設備“永遠在線”——全球首款“彈性”rSIM如何實現(xiàn)？ 全球首款可自動切換網(wǎng)絡的“彈性”rSIM問世！再也不怕物聯(lián)網(wǎng)設備掉線！ 發(fā)表于：2/29/2024 消息稱三星背面供電芯片測試結果良好 據(jù)韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預期的成果，有望提前導入未來制程節(jié)點。 傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來越混亂，對設計與制造形成干擾。 BSPDN 技術將芯片供電網(wǎng)絡轉移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動端 SoC 的小型化。 發(fā)表于：2/29/2024 美光推出緊湊封裝型UFS 4.0 美光宣布開始送樣增強版通用閃存（UFS） 4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領先的緊湊型 UFS 封裝 ( 9 x 13mm ) 。 新款內存基于先進的 232 層 3D NAND 技術， 美光 UFS 4.0 解決方案可實現(xiàn)高達 1TB 容量，其卓越性能和端到端技術創(chuàng)新將助力旗艦智能手機實現(xiàn)更快的響應速度和更靈敏的使用體驗。 發(fā)表于：2/29/2024 ?…181182183184185186187188189190…?
