全球首個(gè)新一代大型中微子實(shí)驗(yàn)裝置正式運(yùn)行

8 月 26 日消息，中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所宣布，2025 年 8 月 26 日，江門中微子實(shí)驗(yàn)（JUNO）已成功完成 2 萬(wàn)噸液體閃爍體灌注，并正式運(yùn)行取數(shù)。經(jīng)過(guò)十余年的準(zhǔn)備和建設(shè)，JUNO 成為國(guó)際上首個(gè)建成的新一代大型中微子實(shí)驗(yàn)裝置。

發(fā)表于：8/26/2025

匯頂科技總裁被立案調(diào)查

8月25日晚間，匯頂科技發(fā)布公告稱，公司總裁柳玉平于2025年8月22日收到中國(guó)證監(jiān)會(huì)下發(fā)的《立案告知書》，因涉嫌內(nèi)幕交易，中國(guó)證監(jiān)會(huì)決定對(duì)柳玉平進(jìn)行立案。

發(fā)表于：8/26/2025

宇樹科技涉侵害發(fā)明專利權(quán)糾紛被起訴

8月25日，天眼查天眼風(fēng)險(xiǎn)信息顯示，近日，杭州宇樹科技股份有限公司新增1條開庭公告，原告為杭州露韋美日化有限公司，案由為侵害發(fā)明專利權(quán)糾紛，該案將于8月26日在杭州市中級(jí)人民法院開庭審理。

發(fā)表于：8/25/2025

3D DRAM接近現(xiàn)實(shí) 研究人員使用先進(jìn)沉積技術(shù)實(shí)現(xiàn)120層堆棧

近日，比利時(shí)微電子研究中心（imec）和根特大學(xué)的研究人員發(fā)布論文稱，他們成功實(shí)現(xiàn)了在 120 毫米晶圓上生長(zhǎng)了 300 層硅 （Si） 和硅鍺 （SiGe） 交替層——這是邁向3D DRAM 的關(guān)鍵一步。 挑戰(zhàn)始于晶格不匹配。硅和硅鍺晶體的原子間距略有不同，因此當(dāng)堆疊時(shí)，各層自然會(huì)想要拉伸或壓縮?？梢园阉胂蟪稍噲D堆疊一副牌，其中第二張牌都比第一張牌稍大——如果沒(méi)有仔細(xì)對(duì)齊，牌堆就會(huì)扭曲和傾倒。用半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)來(lái)說(shuō)，這些“傾倒”表現(xiàn)為錯(cuò)位，即可能會(huì)破壞存儲(chǔ)芯片性能的微小缺陷。 為了解決這個(gè)問(wèn)題，該研究團(tuán)隊(duì)仔細(xì)調(diào)整了 SiGe 層中的鍺含量，并嘗試添加碳，碳就像一種微妙的膠水，可以緩解壓力。它們還在沉積過(guò)程中保持極其均勻的溫度，因?yàn)榉磻?yīng)器中即使是微小的熱點(diǎn)或冷點(diǎn)也會(huì)導(dǎo)致生長(zhǎng)不均勻。

發(fā)表于：8/25/2025

蘋果起訴跳槽至OPPO的前員工 涉竊取63份機(jī)密文件

綜合彭博社及macrumors報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月22日，蘋果公司在美國(guó)加利福尼亞州圣何塞聯(lián)邦法院起訴了智能手機(jī)制造商OPPO從Apple Watch團(tuán)隊(duì)挖走的前員工Chen shi，稱其竊取了與Apple Watch開發(fā)相關(guān)的商業(yè)機(jī)密，并將這些信息提供給OPPO，以幫助其開發(fā)一款可穿戴設(shè)備。

發(fā)表于：8/25/2025

被大立光起訴專利侵權(quán) 榮耀200系列手機(jī)在印度遭禁售

8月24日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，印度Singh ?& Singh律師事務(wù)所8月20日公布1起代理中國(guó)臺(tái)灣鏡頭大廠大立光，涉及中國(guó)大陸手機(jī)廠商榮耀專利侵權(quán)案的判決結(jié)果。印度法院發(fā)布臨時(shí)禁令，禁止被告榮耀及任何代理人從事榮耀200系列智能手機(jī)，或任何其它侵犯專利的產(chǎn)品要約銷售、銷售、分銷、廣告宣傳、進(jìn)口等行為。

發(fā)表于：8/25/2025

工信部：加快突破GPU芯片等關(guān)鍵核心技術(shù)

8月24日消息，工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)熊繼軍在8月23日召開的2025中國(guó)算力大會(huì)上強(qiáng)調(diào)，工信部將有序引導(dǎo)算力設(shè)施建設(shè)，切實(shí)提升算力資源供給質(zhì)量。

發(fā)表于：8/25/2025

采用 GaN 的 Cyclo 轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計(jì)

本文介紹了一種新型單級(jí)轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì) TIDA-010954，該設(shè)計(jì)使上述終端設(shè)備的實(shí)施更高效、體積更小，同時(shí)降低了成本。功率轉(zhuǎn)換控制算法基于擴(kuò)展相移，降低了對(duì) MCU 速度和軟件復(fù)雜性的要求。

發(fā)表于：8/23/2025

納芯微推出三款用于 GaN、汽車和電池安全的芯片

納芯微正在推出涵蓋各種電源應(yīng)用的器件，包括氮化鎵 (GaN) 驅(qū)動(dòng)器、雙通道汽車驅(qū)動(dòng)器和電池保護(hù) MOSFET。

發(fā)表于：8/23/2025

傳三星HBM4已通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證

8月21日消息，據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)道，三星電子（Samsung Electronics）的第6代高帶寬內(nèi)存HBM4的樣品已獲得英偉達(dá)（Nvidia）的驗(yàn)證通過(guò)，預(yù)計(jì)8月底便可進(jìn)入最終的預(yù)生產(chǎn)（pre-production，PP）階段，若測(cè)試順利，則最快今年底便能開始量產(chǎn)。 一名業(yè)內(nèi)人士透露，據(jù)其了解三星HBM4的各種質(zhì)量項(xiàng)目（包括良率等）皆獲得了英偉達(dá)的正面評(píng)價(jià)，目前已進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)階段?！叭纛A(yù)生產(chǎn)測(cè)試也通過(guò)，估計(jì)11月或12月就可量產(chǎn)?！?/a>