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台积电无辜 高通骁龙810过热到底谁的错?

2015-05-06
關(guān)鍵詞: 台积电 骁龙810 处理器 纳米

      三星在自己的新旗艦Galaxy S6身上使用了自家最新的14nm工藝Exynos處理器,除了考慮到自身的芯片業(yè)務(wù)發(fā)展以及節(jié)省成本因素考慮之外,還有一個(gè)主要原因就是因?yàn)楫?dāng)年第一批由臺(tái)積電負(fù)責(zé)生產(chǎn)的驍龍810處理器存在發(fā)熱問(wèn)題而導(dǎo)致三星選擇放棄與高通的合作。

  而高通當(dāng)時(shí)在一系列非常罕見(jiàn)的公關(guān)策略后,包括LG、索尼、摩托羅拉等許多廠(chǎng)商也都堅(jiān)持使用驍龍810處理器來(lái)對(duì)高通進(jìn)行聲援。不過(guò)雖然HTC One M9后期通過(guò)系統(tǒng)升級(jí)的方式從一定程度上緩解了發(fā)熱的問(wèn)題,但是似乎驍龍810散熱性能不太好的問(wèn)題似乎一直沒(méi)有徹底解決。

QQ截圖20150505182248.png

  當(dāng)時(shí),驍龍810過(guò)熱的問(wèn)題責(zé)任都被推給了負(fù)責(zé)生產(chǎn)的臺(tái)積電,表示其采用的20nm工藝生產(chǎn)過(guò)程直接導(dǎo)致了這個(gè)問(wèn)題。但是從現(xiàn)在來(lái)看,當(dāng)時(shí)臺(tái)積電從28納米改成20納米,三星也從20納米改成14納米,兩者都使得芯片密度提高,三星芯片卻沒(méi)出問(wèn)題,顯示或許不是制程工藝縮小的問(wèn)題。

  另外,高通的Kyro核心開(kāi)發(fā)過(guò)慢,趕不上用于驍龍810進(jìn)度,只能先采權(quán)宜之計(jì)使用ARM核心,或許因此引發(fā)過(guò)熱。不僅如此,外界盛傳驍龍810的Adreno GPU由高通自行設(shè)計(jì),可能和ARM核心兼容度不夠,也使得自己的旗艦芯片一遇壓力,就容易出現(xiàn)過(guò)熱的問(wèn)題。

  因此,時(shí)至今日,高通是否已經(jīng)解決了驍龍810的過(guò)熱問(wèn)題,或許從本月29日發(fā)布的LG G4身上就可以看到結(jié)論。如果G4真的降級(jí)使用驍龍808,就證明該問(wèn)題高通依然沒(méi)有很好的解決。而這對(duì)于高通來(lái)說(shuō),無(wú)疑又是一次重大的創(chuàng)傷。


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