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IC十億美元“資本支出俱樂(lè)部” 中芯名列第六

2017-06-07

半導(dǎo)體市場(chǎng)研究企業(yè)IC Insights最新發(fā)布統(tǒng)計(jì),今年資本支出超過(guò)10億美元半導(dǎo)體廠家預(yù)料將增至15家,創(chuàng)下近十年以來(lái)新高點(diǎn)。其中,大陸晶圓代工廠中芯國(guó)際排名第六,預(yù)料隨著愈來(lái)愈多大陸晶圓廠蓋廠與擴(kuò)產(chǎn)需求,這份名單可望愈來(lái)愈多大陸晶圓廠上榜。

IC十億美元“資本支出俱樂(lè)部” 中芯名列第六

根據(jù)最新IC Insights報(bào)告,除了德國(guó)英飛凌科技與日本瑞薩電子公司之外,歐洲芯片制造商STMicroelectronics 與臺(tái)灣地區(qū)南亞科都進(jìn)入“十億美元資本支出”名單。

IC十億美元“資本支出俱樂(lè)部” 中芯名列第六

時(shí)隔五年之后,英飛凌有望再次進(jìn)入十億美元俱樂(lè)部,瑞薩也是十多年來(lái)首次資本支出達(dá)到10億美元線,看好汽車半導(dǎo)體從而加大投資是這兩家進(jìn)入資本支出排行榜前列的主要原因。

去年,只有11家芯片廠商在資本支出方面投入超過(guò)10億美元。而在2013年,這一數(shù)字則僅為8家。

按照IC Insights最新預(yù)測(cè),2017年也將是資本支出超過(guò)10億美元之廠商數(shù)量最多的一年,2007年全球金融危機(jī)爆發(fā),當(dāng)年共出現(xiàn)16家超過(guò)10億美元資本支出的廠家。

根據(jù)IC Insights統(tǒng)計(jì),今年入圍資本支出10億美元俱樂(lè)部的這15家企業(yè)將占2017年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出總額的83%,這也是近十年以來(lái)最高的占比水平。

IC Insights表示,這15家公司當(dāng)中,有一部分可能傾向于從明年開(kāi)始逐步下調(diào)資本支出額度。IC Insights稱,盡管三星、英特爾、臺(tái)積電、SK海力士、美光、中芯、聯(lián)電、GlobalFoundries及東芝等九大全球性巨頭一直保持著極高的資本支出額度,但其它幾家新進(jìn)的廠商恐怕只會(huì)在少數(shù)年份內(nèi)投入超過(guò)10億美元的支出。

IC Insights表示,“南亞科技目前受益于DRAM市場(chǎng)需求的激增,而一旦市場(chǎng)趨于疲軟,其資本支出將快速下滑至10億美元以下。而STMicroelectronics已經(jīng)明確表示,今年的支出屬于特殊情況。英飛凌、索尼與瑞薩這些資本支出略超過(guò)10億美元的廠商將在未來(lái)一到兩年內(nèi)回歸至這條標(biāo)線以下。”

DRAM晶圓廠 進(jìn)入資本擴(kuò)充新階段

英特爾、三星、格芯(GlobalFoundries)和海力士(SK Hynix)四家資本支出計(jì)劃增長(zhǎng)最多。相比2016年,三星預(yù)計(jì)增加32億美元支出,英特爾預(yù)計(jì)增加23.75億美元支出,格芯預(yù)計(jì)增加8.65億美元,海力士預(yù)計(jì)增加8.12億美元,四家公司支出增加值合計(jì)為72.52億美元。2017年全行業(yè)資本支出計(jì)劃比2016年增加80.21億美元,三星、英特爾、格芯和海力士四家資本支出增加值合計(jì)占了90%。

產(chǎn)品類別中,DRAM/SRAM資本支出同比增長(zhǎng)31%,增長(zhǎng)率居首。2016年第三季度開(kāi)始的DRAM價(jià)格瘋漲,讓DRAM制造商再一次步入增加資本支出階段。

2016年投資于閃存的資本支出為146億美元,遠(yuǎn)高于DRAM產(chǎn)品資本支出(85億美元)。IC Insights估計(jì),2016年和2017年投入到閃存的資本支出主要用于3D NAND閃存工藝技術(shù),而不再投入到平面閃存工藝。2017年閃存資本支出增加主要來(lái)自于三星,三星將擴(kuò)大其在韓國(guó)平澤市(Pyeongtaek)超大新晶圓廠的3D NAND產(chǎn)能。

中國(guó)晶圓廠可望后續(xù)新增

IC Insights總裁Bill McClean指出,他認(rèn)為,隨著各新興大陸晶圓企業(yè)崛起,其未來(lái)幾年內(nèi)很可能投入超過(guò)10億美元的資本支出。著眼于未來(lái)幾年內(nèi),本土將有超過(guò)20家新的芯片晶圓廠投入生產(chǎn),而中國(guó)亦計(jì)劃在10年之內(nèi)投資超過(guò)1600億美元強(qiáng)化國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。

以名列第六的中芯國(guó)際來(lái)看,在業(yè)績(jī)?nèi)〉幂^大幅度增長(zhǎng)的同時(shí),資本支出同樣也在大幅增加。中芯國(guó)際2016年資本開(kāi)支為26.26億美元,其中12.4億美元用在了北京合資廠的產(chǎn)能擴(kuò)充上。中芯國(guó)際預(yù)計(jì)2017年資本支出約為23億美元,其中9億美元繼續(xù)用于北京廠的產(chǎn)能擴(kuò)充。另外用于先進(jìn)工藝的如28納米的研發(fā)也是其著墨重點(diǎn)。


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