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铠侠再回应日本工厂污染影响,仍看好NAND市场前景

2022-05-16
來源: 全球半导体观察
關鍵詞: NAND 铠侠

  近日,鎧俠披露了日本工廠污染事件影響以及未來閃存市場展望等內容。

  今年一月下旬,鎧俠與西部數據位于日本的合資工廠發(fā)生原料污染事件,鎧俠在5月13日發(fā)布的最新財報中表示,污染事件影響了部分3D NAND(BICS)的生產,目前污染問題已經解決,公司在2月底恢復了全部產能。

  鎧俠西數原料污染事件對閃存產業(yè)影響重大,全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢認為,該事件將使得閃存市場供應吃緊,第二季NAND Flash價格將上漲5~10%。

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  受污染事件影響,鎧俠一季度營收環(huán)比略微下滑,但鎧俠仍舊看好NAND未來前景。

  該公司預計云計算和企業(yè)IT投資不斷增加的環(huán)境下,數據中心/企業(yè)SSD的需求預計將保持穩(wěn)定;雖然消費類市場低迷,但客戶端SSD需求仍將強勁發(fā)展;智能手機市場隨著5G推廣以及存儲容量提升,該領域存儲需求也將長期增長。

  由于長期看好NAND市場發(fā)展,鎧俠也在持續(xù)推動NAND擴產。

  鎧俠表示已和西部數據敲定正式協議,共同投資四?市??Fab7 (Y7)第一階段,將生產3D NAND閃存,包括112層和162層以及未來一系列節(jié)點的產品。隨著Y7一期建設的完成,2022 年秋季將開始投產。鎧俠北上工廠 Fab2 (K2)則已經開工建設,計劃于2023年完成,有助于擴大3D NAND(BICS)生產。

 

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