據(jù)媒體報道，中國領先的存儲企業(yè)長鑫存儲 ( CXMT ) 已經(jīng)開始準備必要設備，計劃制造自己的 HBM 高帶寬內(nèi)存，以滿足迫切的 AI、HPC 應用需求。

報道稱，長鑫已經(jīng)在向美國、日本的供應商下單采購制造、組裝、測試 HBM 內(nèi)存的必要設備。

這說明，相關開發(fā)設計工作已經(jīng)完成，可以轉入投產(chǎn)階段。

消息人士稱，早在 2023 年中，Applied Materials、Lam Research 等美國設備供應商就獲得了美國政府的許可，可以向長鑫出口 HBM 制造設備。

考慮到 HBM 內(nèi)存需要先進、復雜的制造和封裝技術，這似乎暗示中芯國際在這方面也已經(jīng)取得了突破。

目前，長鑫已經(jīng)在合肥有了一座 DRAM 內(nèi)存工廠，正在籌錢建設第二座，會導入更先進的工藝，有可能會同時用來制造 HBM。

暫時還不清楚長鑫要生產(chǎn)的 HBM 是第幾代，可能是 HBM3，而國際上已經(jīng)有了更先進的 HBM3E，SK 海力士還計劃在 2026 年搶先投產(chǎn) HBM4。

根據(jù)規(guī)劃，HBM4 將拋棄用了將近十年的 1024-bit 位寬，首次升級到 2048-bit 位寬，并有望堆疊更多層級，從而在容量、帶寬上都實現(xiàn)一次重大飛躍。