11 月 27 日消息，三星宣布其研究團隊在存儲技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，成功開發(fā)出一種新型 NAND 閃存結(jié)構(gòu)，可將功耗降低逾 90%。該成果有望重塑人工智能數(shù)據(jù)中心、移動設備及其他依賴存儲芯片的終端產(chǎn)品的未來。

據(jù) ETNews 報道，三星先進技術(shù)研究院（SAIT）主導研發(fā)了這一超低功耗 NAND 閃存技術(shù)。該新型結(jié)構(gòu)創(chuàng)新性地融合了鐵電材料與氧化物半導體，相關(guān)研究成果已發(fā)表于全球頂尖的多學科科學期刊《自然》（Nature）。

據(jù)了解，NAND 閃存是一種非易失性存儲介質(zhì)，即使斷電亦可長期保存大量數(shù)據(jù)，其工作原理是通過向存儲單元注入電子實現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入。為提升存儲密度，業(yè)界普遍采用堆疊更多存儲層的方式構(gòu)建芯片，但這同時也顯著增加了數(shù)據(jù)讀寫過程中的能耗，尤其在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心場景中，功耗問題已成為亟待解決的關(guān)鍵瓶頸。

而三星研究團隊成功攻克了這一難題。氧化物半導體因閾值電壓不穩(wěn)定而難以控制，過往被視為技術(shù)障礙；然而，研究團隊另辟蹊徑，將其與鐵電結(jié)構(gòu)協(xié)同設計，變“劣勢”為優(yōu)勢：鐵電材料具備自維持電極化特性，無需持續(xù)供電即可保持狀態(tài)。

得益于此項創(chuàng)新設計，新架構(gòu)實現(xiàn)了高達 96% 的功耗降幅。三星表示，該突破完全依托其內(nèi)部自主研發(fā)，由三星電子 SAIT 與半導體研究所共計 34 名研究人員共同完成。

“我們已驗證了實現(xiàn)超低功耗 NAND 閃存的可行性?！比请娮?SAIT 研究員、本研究第一作者 Yoo Si-jeong 表示，“在 AI 生態(tài)系統(tǒng)中，存儲器的角色日益關(guān)鍵。未來我們將持續(xù)推進后續(xù)研究，目標是實現(xiàn)該技術(shù)的商業(yè)化落地?！?/p>

與此同時，三星正著力提升其存儲業(yè)務盈利能力。面對 DDR5、LPDDR5X 及 GDDR7 等 DRAM 產(chǎn)品需求持續(xù)攀升及價格上漲的市場環(huán)境，公司將重點優(yōu)化高附加值產(chǎn)品的供應策略，以強化盈利結(jié)構(gòu)。