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工業(yè)自動化最新文章

一種用于激光陀螺的組件電源設(shè)計

針對激光陀螺的電源需求，提出了一種多輸出組件電源的設(shè)計方案。首先，根據(jù)電源指標要求，概述了總體技術(shù)方案。隨后進行了詳細的電路設(shè)計，重點對4 500 V升壓電路進行了參數(shù)計算。最后給出了結(jié)構(gòu)設(shè)計方案。經(jīng)過樣機驗證后，設(shè)計的組件電源具有尺寸緊湊、結(jié)構(gòu)輕便和高可靠性等特點，可為激光陀螺應(yīng)用提供小型化和輕量化解決方案。

發(fā)表于：9/4/2024

是德科技推出先進的14-bit精密示波器

是德科技推出先進的14-bit精密示波器，適用于各種普遍的應(yīng)用場景 ? 14-bit 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 示波器相比于其他的通用示波器而言，信號分辨率是其四倍以上，而本底噪聲不到后者的一半 ? 儀器采用定制的專用集成電路和深度內(nèi)存架構(gòu)，可提供快速、準確的測量結(jié)果 ? 可提供在設(shè)計調(diào)試期間內(nèi)識別小幅度和罕見信號故障所需的精度和準確性，加快產(chǎn)品上市時間

發(fā)表于：9/4/2024

Optimality在多個場景的時域仿真中高效性的深度研究

隨著產(chǎn)品的速率及復(fù)雜性越來越高，針對仿真而言，除了要求仿真本身具有非常高的精度外，還對仿真的效率提出了很高的要求。具體到不同的信號模塊，如DDR系統(tǒng)或者高速串行信號上，基于速率越來越高，越來越希望仿真給能出“最優(yōu)解”的配置，例如DDR5顆粒的ODT的最優(yōu)配置，高速信號芯片的加重均衡的最優(yōu)配置等參數(shù)。那么如何在成百上千種組合的參數(shù)中選擇相對最優(yōu)的參數(shù)呢？傳統(tǒng)的軟件只能通過大量的掃描來進行篩選，在仿真時間和工程師的精力兩方面都有比較大的耗費。使用Optimality軟件，通過分享一些具體的仿真案例，展現(xiàn)軟件的智能性，幫助使用者更快速挑選出最優(yōu)的參數(shù)，使DDR及高速串行的仿真工作變得更加輕松，充分體現(xiàn)出Optimality軟件的高效性。

發(fā)表于：9/4/2024

Virtuoso iQuantus Insight及Quantus Insight流程在FINFET先進工藝項目中加速后仿迭代的應(yīng)用

隨著工藝演進，尺寸進一步縮小帶來了更多寄生通路和更大的寄生電阻，后仿結(jié)果和前仿相去甚遠。如何快速縮小前后仿之間的差距成為重要課題。傳統(tǒng)設(shè)計中只能通過Quantus Extracted View相對直觀地對寄生進行分析，無法更詳細地進行分析，這成為設(shè)計者們面臨的艱巨挑戰(zhàn)。同時，后仿發(fā)現(xiàn)問題，只能通過“修改電路-版圖迭代-再次后仿”反復(fù)優(yōu)化，迭代周期長，如何降低時間成本成為各公司關(guān)注的重點。Virtuoso iQuantus Insight （ViQI）/Quantus Insight （QI）可基于寄生網(wǎng)表文件進行寄生分析及結(jié)果可視化。工程師可借此對寄生進行準確的分析及假設(shè)，無需版圖迭代，即可進行設(shè)計優(yōu)化。討論了如何通過ViQI/QI工具在FINFET先進工藝項目中實現(xiàn)快速的后仿迭代，大幅提高工作效率。

發(fā)表于：9/4/2024

Conformal ECO寄存器新增的掃描鏈自動化接入方案

隨著芯片規(guī)模的增加，ECO的需求和大小也隨之增加，其中當新增寄存器數(shù)量達到百位量級時，人工接入掃描鏈難度也將急劇上升?；贑adence的Conformal和Innovus等工具，在綜合考量邏輯正確性和中后端物理實現(xiàn)可行性的基礎(chǔ)上，采用歸一思路下的“S”型連線和room值下的再分組等方法，實現(xiàn)了上述問題的自動化和高效化解決，在邏輯上確保了時鐘域一致性等問題，物理上同時兼顧了布局布線優(yōu)化和最大掃描鏈長度。并且其自動化的高效性，在項目實踐中能夠快速完成上百數(shù)量寄存器的掃描鏈接入。

發(fā)表于：9/4/2024

SEMI硅光子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立

SEMI硅光子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立，臺積電及日月光等30多家企業(yè)加入

發(fā)表于：9/4/2024

日本攜手英特爾建先進半導體研發(fā)中心

日本攜手英特爾建先進半導體研發(fā)中心，將配備EUV光刻機

發(fā)表于：9/4/2024

2023年中國CAD市場達54.8億元同比增長12.8%

IDC：2023 年中國 CAD 市場達 54.8 億元同比增長 12.8%，達索系統(tǒng)、西門子、歐特克三巨頭份額均下滑

發(fā)表于：9/4/2024

憶恒創(chuàng)源發(fā)布基于平頭哥主控的PCIe 5.0 SSD

9月3日消息，在ODCC大會上，國內(nèi)知名企業(yè)級PCIe SSD產(chǎn)品和解決方案供應(yīng)商憶恒創(chuàng)源，正式發(fā)布了國產(chǎn)PCIe 5.0企業(yè)級NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。這款SSD基于阿里平頭哥的鎮(zhèn)岳510 NVMe主控芯片和長江存儲閃存顆粒打造，率先實現(xiàn)了4K隨機寫100萬IOPS的突破，可為AI、數(shù)據(jù)庫、云計算、虛擬化等應(yīng)用帶來強勁的加速能力。

發(fā)表于：9/4/2024

我國超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破

99.99995%以上純度！我國超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破鋰電池/半導體必用材料

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱LG Display連連虧損大規(guī)模裁員

消息稱LG Display連連虧損大規(guī)模裁員，已有1400人自愿退休

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱美國司法部已對英偉達在AI領(lǐng)域主導地位升級反壟斷調(diào)查

消息稱美國司法部已對英偉達在 AI 領(lǐng)域主導地位升級反壟斷調(diào)查

發(fā)表于：9/4/2024

意法半導體正式宣布入股RISC-V公司Quintauris GmbH

意法半導體加入高通/恩智浦/博世/英飛凌/Nordic的RISC-V合資公司

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設(shè)備以改進EUV光刻工藝

消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設(shè)備以改進EUV光刻工藝

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動內(nèi)存2026年后商業(yè)化

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動內(nèi)存2026年后商業(yè)化 9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子和 SK 海力士的“類 HBM 式”堆疊結(jié)構(gòu)移動內(nèi)存產(chǎn)品將在 2026 年后實現(xiàn)商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國內(nèi)存巨頭將堆疊式移動內(nèi)存視為未來重要收入來源，計劃將“類 HBM 內(nèi)存”擴展到智能手機、平板電腦和筆記本電腦中，為端側(cè) AI 提供動力。綜合IT之家此前報道，三星電子的此類產(chǎn)品叫做 LP Wide I/O 內(nèi)存，SK 海力士則將這方面技術(shù)稱為 VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線，即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。三星電子的 LP Wide I/O 內(nèi)存位寬達 512bit，是現(xiàn)有 LPDDR 內(nèi)存的 8 倍，較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬。該內(nèi)存將于 2025 年一季度技術(shù)就緒，2025 下半年至 2026 年中量產(chǎn)就緒。

發(fā)表于：9/3/2024