工業(yè)自動化最新文章 消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產(chǎn)線投資 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。 平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設備，但擱置了二期建設。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 內存生產(chǎn)。 發(fā)表于：8/13/2024 美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心 美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。 發(fā)表于：8/13/2024 武漢光谷實驗室研發(fā)量子點光刻膠 8 月 13 日消息，武漢光谷實驗室宣布與華中科技大學等研究團隊合作研發(fā)出高性能量子點光刻膠（QD-PR），其藍光轉換效率達到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達到 1 μm，各項性能指標為行業(yè)領先水平。 發(fā)表于：8/13/2024 日本研究團隊提出EUV光刻新方案 日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！ 發(fā)表于：8/13/2024 英國牛津大學推出柔性多結太陽能電池板 英國牛津大學推出柔性多結太陽能電池板，轉換效率有望達到45% 發(fā)表于：8/13/2024 夏普考慮將半導體和相機模組事業(yè)出售給鴻海 8 月 12 日消息，夏普于 8 月 9 日宣布，正在考慮在本財年內將半導體業(yè)務和智能手機用相機模組業(yè)務出售給鴻海。對于出售金額，夏普社長沖津雅浩稱由于談判剛剛開始，更多細節(jié)目前不便透露。 發(fā)表于：8/13/2024 美國芯片法案簽署兩周年記 美國芯片法案簽署兩周年：已吸引3950億美元投資，創(chuàng)造115000個工作崗位！ 發(fā)表于：8/13/2024 消息稱聯(lián)發(fā)科首款AI PC芯片明年公布 據(jù)最新消息，聯(lián)發(fā)科將推出首款 PC 芯片以進軍 AI PC 領域，并計劃攜手英偉達，在明年上半年公布具體信息，這無疑是對英特爾、AMD、高通等 PC 芯片陣營的一次挑戰(zhàn)。 此次聯(lián)發(fā)科與英偉達的合作，旨在打造一個集高效能與低功耗于一身的 Arm PC 處理器。這款芯片預計將在今年第三季度完成設計藍圖，并在第四季度進入全面驗證階段，隨后于明年上半年正式亮相。業(yè)內人士普遍認為，聯(lián)發(fā)科此次的優(yōu)勢不僅在于其以往在效能與功耗上的出色表現(xiàn)，更在于其更加親民的價格策略，這有望在價格敏感的市場中掀起一陣風暴。 發(fā)表于：8/13/2024 日本十大半導體設備廠商二季度獲利同比暴漲80% 日本十大半導體設備廠商二季度獲利同比暴漲80%！ 發(fā)表于：8/13/2024 Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性 奈梅亨，2024年8月7日：Nexperia今日宣布，公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS（on）和低Qrr進行了優(yōu)化，可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS（on）選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。 發(fā)表于：8/13/2024 筑波科技與美商泰瑞達攜手共創(chuàng)半導體測試新局面-專訪市場總監(jiān)Aik-Moh Ng 臺灣新竹，2024年08月05日——自2022年以來，筑波科技 （ACE Solution） 與美商泰瑞達 （Teradyne） 展開策略合作，共同推動半導體測試的 ETS 平臺。我們特別專訪 Teradyne 的營銷總監(jiān)Aik-Moh Ng，他自2006年以來一直領導 Teradyne ETS 亞太地區(qū)團隊。 發(fā)表于：8/12/2024 貿澤電子開售適用于壓力傳感器應用的 2024年8月5日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開售Analog Devices, Inc. （ADI） 的MAX40109低功耗精密傳感器接口片上系統(tǒng) （SoC）。該SoC集成了高精度、可編程的模擬前端 （AFE），以及模數(shù)轉換器 （ADC）、校準存儲器和數(shù)字信號處理功能。MAX40109采用TQFN封裝，設計用于應力、壓力、溫度、應變計和惠司通電橋等多種傳感器應用。 發(fā)表于：8/12/2024 意法半導體推出尺寸緊湊的750W家電和工業(yè)設備電機驅動參考板 2024 年 8月 1 日，中國——意法半導體的 EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）電機驅動參考設計在直徑僅為 50 毫米的圓形 PCB 電路板上集成三相柵極驅動器、STM32G0微控制器和750W功率級。該板的睡眠功耗很低，還不到1uA，小巧的外形可直接裝入吹風機、手持式吸塵器、電動工具、風扇等設備，還可以輕松放入無人機、機器人以及電泵、制程自動化系統(tǒng)等工業(yè)設備的電驅裝置內。 發(fā)表于：8/12/2024 英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊 【2024 年8月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份有限公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）推出用于電機驅動的低功耗CIPOS? Maxi智能功率模塊 (IPM) 系列，進一步擴展了其第七代TRENCHSTOP? IGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1 系列基于最新的TRENCHSTOP IGBT7 1200 V和快速二極管EmCon 7技術。 發(fā)表于：8/12/2024 Rapidus計劃打造全自動化的2nm晶圓廠 8月12日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本晶圓廠代工商 Rapidus 近日宣布，計劃使用機器人和人工智能（AI）在日本北部打造全自動的2nm制程生產(chǎn)線。 2nm芯片原型制造將于明年開始，最快將在2027年開始量產(chǎn)。 Rapidus表示，自動化生產(chǎn)將加快生產(chǎn)時間，使交貨芯片時間只有競爭對手1/3，其晶圓廠預計10月完成外部結構建置，EUV光刻設備預計將于12月抵達。 發(fā)表于：8/12/2024 ?…145146147148149150151152153154…?
