工業(yè)自動化最新文章 2024年全球先進(jìn)封裝設(shè)備將同比增長6%至31億美元 2024年全球先進(jìn)封裝設(shè)備將同比增長6%至31億美元 發(fā)表于：6/18/2024 消息稱三星將推出HBM三維封裝技術(shù)SAINT-D 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟(jì)日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。 發(fā)表于：6/18/2024 韓國專利管理企業(yè)Mimir IP起訴美光索賠34.92億元人民幣 6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 Businesskorea 報道，韓國專利管理企業(yè) Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存儲巨頭美光發(fā)起訴訟，索賠 4.8 億美元（ 發(fā)表于：6/18/2024 黃仁勛：英偉達(dá)有責(zé)任遵守法規(guī)，會盡力服務(wù)中國客戶 黃仁勛：英偉達(dá)有責(zé)任遵守法規(guī)，會盡力服務(wù)中國客戶！ 發(fā)表于：6/18/2024 英特爾投資立訊精密東莞子公司 英特爾投資立訊技術(shù)，產(chǎn)業(yè)鏈人士：將助力立訊敲開北美服務(wù)器市場大門 發(fā)表于：6/18/2024 淺析HBM五大關(guān)鍵門檻 6月17日消息，在當(dāng)前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高帶寬內(nèi)存（HBM），其生產(chǎn)困難點有哪些，為什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星這三家DRAM大廠有能力跨入該市場，外媒對此做了一個綜合性的分析。 報道表示，HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）芯片堆疊在一起，并通過硅穿孔技術(shù)（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，進(jìn)一步達(dá)到高帶寬和低功耗的特點。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個關(guān)鍵的生產(chǎn)手段。 CowoS封裝中的HBM技術(shù)困難度目前歸納了幾項要點： 發(fā)表于：6/18/2024 智源人工智能研究院推出大模型全家桶 智源人工智能研究院推出大模型全家桶 智源研究院此次推出的大模型“全家桶”，包括智源多模態(tài)大模型、具身智能大模型、生物計算大模型等。 發(fā)表于：6/18/2024 國產(chǎn)量子計算用溫度計刷新紀(jì)錄 6月17日消息，量子計算是目前全球主要大國爭相研發(fā)的重點，我國已是世界上第三個具備量子計算機(jī)整機(jī)交付能力的國家，國際量子計算研究領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。 日前，國盾量子宣布自主研發(fā)了氧化釕溫度計ezQ-RX56。 發(fā)表于：6/18/2024 Ethernet-APL：為流程工業(yè)帶來變革 Ethernet-APL（以太網(wǎng)高級物理層）這一關(guān)鍵技術(shù)將實現(xiàn)所有承諾，并將數(shù)字化帶入加工廠的每一個角落：在潛在爆炸區(qū)域內(nèi)可以無障礙且可靠地實現(xiàn)大量數(shù)據(jù)的快速高效通信。 發(fā)表于：6/17/2024 Qorvo® 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET 中國 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點在上述應(yīng)用中至關(guān)重要。 發(fā)表于：6/17/2024 兆易創(chuàng)新亮相SNEC上海光伏展，以“芯”科技助力數(shù)字能源發(fā)展 中國北京（2024年6月12日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，將攜多款數(shù)字能源解決方案，參加6月13日-15日在上海國家會展中心舉辦的SNEC第十七屆（2024）國際太陽能光伏與智慧能源（上海）展覽會（展位：5.1H館D535），集中展現(xiàn)其在光伏、儲能和充電樁、工業(yè)及通訊電源等領(lǐng)域的前沿技術(shù)實力與創(chuàng)新成果。 發(fā)表于：6/17/2024 ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī) 可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了 發(fā)表于：6/17/2024 消息稱鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn) 消息稱鎧俠結(jié)束 NAND 閃存減產(chǎn)，現(xiàn)有工廠開工率均已恢復(fù)至 100% 發(fā)表于：6/17/2024 SK 海力士將提升1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足HBM3E內(nèi)存需求 提升 1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足 HBM3E 內(nèi)存需求，消息稱 SK 海力士正升級 M16 晶圓廠 發(fā)表于：6/17/2024 沒有撤離荷蘭 ASML總部擴(kuò)建計劃獲批 6月17日消息，近日，荷蘭埃因霍溫市議會多數(shù)成員以 34 比 6 的投票結(jié)果通過了ASML在Brainport Industries Campus園區(qū)的擴(kuò)張計劃，這也為這家半導(dǎo)體巨頭繼續(xù)在當(dāng)?shù)財U(kuò)張鋪平了道路。 發(fā)表于：6/17/2024 ?…149150151152153154155156157158…?
