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歐盟宣布向艾邁斯歐司朗提供2.27歐元補(bǔ)貼

2月25日消息，歐盟委員會(huì)依據(jù)《歐洲芯片法案》（European Chips Act）已批準(zhǔn)一筆 2.27歐元的補(bǔ)貼資金，以支持艾邁斯歐司朗在奧地利斥資14 億歐元建造半導(dǎo)體后端制造工廠，該后端制造工廠也將向其他歐洲客戶開(kāi)放。

發(fā)表于：2/26/2025

【熱門(mén)活動(dòng)】2025年NI測(cè)試測(cè)量技術(shù)研討會(huì)

NI一直致力于“在中國(guó),為中國(guó)”，2025年NI測(cè)試測(cè)量技術(shù)研討會(huì)西安站即將開(kāi)啟，破局智能測(cè)試，歡迎來(lái)聚！研討會(huì)將聚焦LabVIEW最新技術(shù)和全新框架，新產(chǎn)品介紹及應(yīng)用方案展示。歡迎西安的工程師到場(chǎng)與NI資深研發(fā)同事進(jìn)行深入交流，共同探討測(cè)試測(cè)量新技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用。

發(fā)表于：2/25/2025

三星電子公布HBM4E內(nèi)存規(guī)劃

2 月 24 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)的采訪，三星電子在本次會(huì)議上公布了其 HBM 內(nèi)存路線圖，分享了預(yù)設(shè)的性能參數(shù)目標(biāo)：

發(fā)表于：2/25/2025

臺(tái)積電日本子公司第二晶圓廠調(diào)整為今年內(nèi)動(dòng)工

2 月 24 日消息，據(jù)日本熊本縣當(dāng)?shù)孛襟w《熊本日日新聞》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 21 日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電日本子公司 JASM 位于熊本縣的第二晶圓廠動(dòng)工建設(shè)時(shí)間已從 2025 年一季度調(diào)整為 2025 年內(nèi)，不過(guò)該晶圓廠 2027 年投產(chǎn)的計(jì)劃沒(méi)有發(fā)生改變。

發(fā)表于：2/25/2025

英特爾首批兩臺(tái)ASML高數(shù)值孔徑光刻機(jī)已投產(chǎn)

2 月 25 日消息，英特爾公司于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一宣布，其工廠已開(kāi)始使用 ASML 公司的首批兩臺(tái)先進(jìn)光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。早期數(shù)據(jù)顯示，這些新型光刻機(jī)的可靠性優(yōu)于舊款機(jī)型。

發(fā)表于：2/25/2025

CounterPoint：2024全球半導(dǎo)體收入同比增19%

2 月 25 日消息，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) CounterPoint Research 昨日（2 月 24 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱受 AI 需求激增推動(dòng)，2024 年全球半導(dǎo)體收入預(yù)估達(dá)到 6210 億美元（注：當(dāng)前約 4.5 萬(wàn)億元人民幣），同比增長(zhǎng) 19%。內(nèi)存市場(chǎng)表現(xiàn)尤為突出，收入同比增長(zhǎng)高達(dá) 64%，三星鞏固了市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。同時(shí)，邏輯芯片收入也實(shí)現(xiàn)了 11% 的同比增長(zhǎng)。英偉達(dá)憑借在 AI 領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，全年半導(dǎo)體收入更是實(shí)現(xiàn)了 50% 的同比增長(zhǎng)。

發(fā)表于：2/25/2025

消息稱三星V10 NAND將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的混合鍵合專利

2 月 24 日消息，隨著存儲(chǔ)行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，推動(dòng) NAND 技術(shù)不斷進(jìn)步，一個(gè)令人驚訝的消息出現(xiàn)了：據(jù)韓媒 ZDNet 今日?qǐng)?bào)道，三星可能將使用中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的混合鍵合專利，從其 V10（第 10 代）NAND 開(kāi)始。報(bào)道稱，三星計(jì)劃于 2025 年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其 V10 NAND，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約 420 至 430 層。報(bào)道還提到，三星和 SK 海力士據(jù)說(shuō)正在與長(zhǎng)江存儲(chǔ)協(xié)商一項(xiàng)專利協(xié)議。

發(fā)表于：2/25/2025

三星電機(jī)已關(guān)停昆山工廠退出HDI業(yè)務(wù)

2 月 24 日消息，據(jù)韓聯(lián)社，三星電機(jī)今日發(fā)布的 2024 年審計(jì)報(bào)告顯示，三星已于去年底完成 15 年歷史的昆山三星電機(jī)有限公司清算工作，正式退出高密度互連（HDI）智能手機(jī)主板業(yè)務(wù)。國(guó)家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)的記錄也證實(shí)了這一變化，顯示昆山三星電機(jī)有限公司的企業(yè)狀態(tài)在去年 10 月 24 日由存續(xù)變更為注銷(xiāo)，注銷(xiāo)原因?yàn)闆Q議解散。

發(fā)表于：2/25/2025

RoboSense第100萬(wàn)臺(tái)激光雷達(dá)下線并交付

2月21日，RoboSense速騰聚創(chuàng)在深圳舉辦第100萬(wàn)臺(tái)激光雷達(dá)下線儀式，并于2月24日將這臺(tái)激光雷達(dá)正式交付予人形機(jī)器人（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“人形機(jī)器人公司”）。這標(biāo)志著RoboSense速騰聚創(chuàng)成為全球首家達(dá)成百萬(wàn)臺(tái)高線數(shù)激光雷達(dá)下線的企業(yè)。

發(fā)表于：2/25/2025

合見(jiàn)工軟成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)首個(gè)跨工藝UCIe IP互連

2025年2月24日——中國(guó)數(shù)字EDA龍頭企業(yè)上海合見(jiàn)工業(yè)軟件集團(tuán)有限公司（簡(jiǎn)稱“合見(jiàn)工軟”）今日宣布，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)首個(gè)跨工藝節(jié)點(diǎn)的UCIe IP互連技術(shù)驗(yàn)證，在采用臺(tái)積電N6和三星SF5工藝制造的UCIe測(cè)試芯片之間成功完成互操作性測(cè)試，在Die-to-Die (D2D) 場(chǎng)景下支持高達(dá)24GT/s的數(shù)據(jù)傳輸，并進(jìn)一步突破實(shí)現(xiàn)了Chip-to-Chip (C2C)互連應(yīng)用，達(dá)到16GT/s的穩(wěn)定數(shù)據(jù)互操作測(cè)試。

發(fā)表于：2/25/2025

大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案

　　2025年2月20日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件的48V/120A BMS方案。

發(fā)表于：2/24/2025

e絡(luò)盟擴(kuò)展產(chǎn)品組合強(qiáng)化工業(yè)產(chǎn)品類(lèi)別

　　中國(guó)上海，2025 年 2月20日 — 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò)盟擴(kuò)展了其工業(yè)和維護(hù)、維修和運(yùn)營(yíng) （MRO）產(chǎn)品范圍，以確?？蛻裟軌驈男袠I(yè)領(lǐng)先的供應(yīng)商處獲得各種產(chǎn)品和解決方案。

發(fā)表于：2/24/2025

貿(mào)澤開(kāi)售采用先進(jìn)AI實(shí)現(xiàn)環(huán)境檢測(cè)的

　　2025年2月21日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起供應(yīng)Bosch BME690空氣質(zhì)量傳感器。這款四合一MEMS傳感器能有效檢測(cè)揮發(fā)性有機(jī)化合物（VOC）、揮發(fā)性硫化合物（VSC）以及一氧化碳、氫氣等氣體。BME690傳感器還可應(yīng)用于呼吸分析，并通過(guò)檢測(cè)食物即將發(fā)生腐敗的跡象來(lái)減少食物浪費(fèi)。該空氣質(zhì)量傳感器支持可穿戴設(shè)備、智能家電、移動(dòng)和卡片設(shè)備等多種應(yīng)用場(chǎng)景。

發(fā)表于：2/24/2025

自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開(kāi)關(guān)的替代方案

　　本文提出，CMOS開(kāi)關(guān)可以取代自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）廠商使用的PhotoMOS?開(kāi)關(guān)。CMOS開(kāi)關(guān)的電容乘電阻（CxR）性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴(kuò)展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進(jìn)內(nèi)存測(cè)試時(shí)代ATE廠商不斷升級(jí)的需求。

發(fā)表于：2/24/2025

臺(tái)積電今年超70%先進(jìn)封裝產(chǎn)能被英偉達(dá)包下

2月24日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，近日業(yè)界傳出消息，英偉達(dá)（NVIDIA）最新Blackwell構(gòu)架GPU芯片需求強(qiáng)勁，已包下臺(tái)積電今年超過(guò)70%的CoWoS-L先進(jìn)封裝產(chǎn)能，出貨量以每季環(huán)比增長(zhǎng)20%以上逐季沖高，助力臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)熱轉(zhuǎn)。

發(fā)表于：2/24/2025