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我國(guó)首個(gè)大型鋰鈉混合儲(chǔ)能站投產(chǎn)

5月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，我國(guó)新型儲(chǔ)能技術(shù)發(fā)展迎來(lái)重要突破。近日，國(guó)家新型儲(chǔ)能試點(diǎn)示范工程——南方電網(wǎng)寶池儲(chǔ)電站在云南文山州正式投產(chǎn)運(yùn)行。作為國(guó)內(nèi)首座大型鋰鈉混合儲(chǔ)能站，該項(xiàng)目集成了全球首套構(gòu)網(wǎng)型鈉離子儲(chǔ)能系統(tǒng)、全球最大單機(jī)高壓直掛式構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng)等多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，標(biāo)志著我國(guó)新型儲(chǔ)能技術(shù)邁向多元化發(fā)展新階段。

發(fā)表于：5/26/2025

傳鴻海將30億美元競(jìng)標(biāo)UTAC 加速半導(dǎo)體垂直整合

5月26日消息，據(jù)媒體報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣電子代工巨頭鴻海集團(tuán)（富士康）正考慮競(jìng)標(biāo)新加坡半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè)聯(lián)合科技控股（UTAC），交易估值或達(dá)30億美元。據(jù)知情人士透露，UTAC母公司北京智路資本已聘請(qǐng)投行杰富瑞主導(dǎo)出售事宜，預(yù)計(jì)本月底前接收首輪報(bào)價(jià)。目前各方均未對(duì)此置評(píng)。值得關(guān)注的是，UTAC在中國(guó)大陸的業(yè)務(wù)布局使其成為非美資戰(zhàn)略投資者的理想標(biāo)的。作為全球最大電子代工商和蘋(píng)果核心供應(yīng)商，鴻海近年來(lái)持續(xù)加碼半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。

發(fā)表于：5/26/2025

貿(mào)澤開(kāi)售Raspberry Pi用于嵌入式和IIoT應(yīng)用的RP2350微控制器

　　2025年5月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開(kāi)售Raspberry Pi的新款RP2350 微控制器。RP2350建立在Raspberry PI RP2040的成功基礎(chǔ)上，旨在以實(shí)惠的價(jià)格提供更高的性能和安全性，非常適合嵌入式計(jì)算和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

發(fā)表于：5/23/2025

如何設(shè)計(jì)與現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)無(wú)關(guān)的智能工廠(chǎng)傳感器

　　如果您即將開(kāi)始設(shè)計(jì)智能工廠(chǎng)傳感器，請(qǐng)閱讀這篇文章了解更多信息，從而盡可能快速高效地完成設(shè)計(jì)，使其能夠?yàn)楦嗫蛻?hù)帶來(lái)裨益。這篇博文介紹了智能工廠(chǎng)傳感器（溫度和壓力）的設(shè)計(jì)理念，無(wú)論工廠(chǎng)流程中使用何種類(lèi)型的現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)或工業(yè)以太網(wǎng)，這些傳感器都能與PLC進(jìn)行通信。

發(fā)表于：5/23/2025

開(kāi)啟工業(yè)4.0：集成EtherCAT和萊迪思FPGA實(shí)現(xiàn)高級(jí)自動(dòng)化

　　隨著工業(yè)領(lǐng)域向?qū)崿F(xiàn)工業(yè)4.0的目標(biāo)不斷邁進(jìn)，市場(chǎng)對(duì)具備彈性連接、低功耗、高性能和強(qiáng)大安全性的系統(tǒng)需求與日俱增。　　然而，實(shí)施數(shù)字化轉(zhuǎn)型并非總是一帆風(fēng)順。企業(yè)必須在現(xiàn)有環(huán)境中集成這些先進(jìn)系統(tǒng)，同時(shí)應(yīng)對(duì)軟件孤島、互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代前的老舊設(shè)備以及根深蒂固的工作流程等挑戰(zhàn)。它們需要能夠在這些限制條件下有針對(duì)性地應(yīng)用高性能軟硬件的解決方案。

發(fā)表于：5/23/2025

大聯(lián)大連續(xù)榮登2025年度中國(guó)品牌價(jià)值500強(qiáng)

　　2025年5月21日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，憑借卓越的市場(chǎng)表現(xiàn)和強(qiáng)大的品牌影響力，成功躋身英國(guó)品牌評(píng)估機(jī)構(gòu)Brand Finance 5月9日發(fā)布的“2025中國(guó)品牌價(jià)值500強(qiáng)”榜單并位列第218位，較去年再進(jìn)一步。品牌價(jià)值排名的連續(xù)提升，深刻詮釋了大聯(lián)大“以科技創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)品牌增值、以生態(tài)協(xié)同深化市場(chǎng)布局”的戰(zhàn)略卓見(jiàn)成效！

發(fā)表于：5/23/2025

利用理想二極管，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的電源

　　摘要　　穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個(gè)電源。使用多個(gè)不同電源為器件供電時(shí)，需要部署若干開(kāi)關(guān)以將電源相互分隔開(kāi)，以防損壞。對(duì)此，固然可在電源路徑中使用多個(gè)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類(lèi)理想二極管的優(yōu)勢(shì)。文中將展示兩個(gè)版本的理想二極管：一個(gè)是無(wú)需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個(gè)版本則更加簡(jiǎn)單，始終由更高的電壓為系統(tǒng)供電。

發(fā)表于：5/23/2025

HBM4制造難度及成本將更高

5月22日消息，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新發(fā)布的研究報(bào)道稱(chēng)，受益于A(yíng)I芯片需求的帶動(dòng)，三大DRAM原廠(chǎng)正積極推動(dòng)HBM4 產(chǎn)品進(jìn)度。但因HBM4的I/O 數(shù)量增加，復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)也使得所需的晶圓面積增加，且部分供應(yīng)商產(chǎn)品改為采邏輯基低芯片構(gòu)架以提高性能，這些都將帶來(lái)成本的提升。鑒于HBM3e剛剛推出時(shí)溢價(jià)比例約20%，制造難度更高的HBM4的溢價(jià)幅度或突破30%。

發(fā)表于：5/23/2025

Deca攜手IBM打造北美先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地

當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月22日，Deca Technologies 宣布與IBM 簽署協(xié)議，將Deca 旗下的M-Series 與Adaptive Patterning 技術(shù)導(dǎo)入IBM 位于加拿大魁北克省Bromont 的先進(jìn)封裝廠(chǎng)。根據(jù)此協(xié)議，IBM 將建立一條大規(guī)模生產(chǎn)線(xiàn)，重點(diǎn)聚焦于Deca 的M-Series Fan-out Interposer 技術(shù)（MFIT）。通過(guò)結(jié)合IBM 的先進(jìn)封裝能力與Deca 經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的技術(shù)，雙方將攜手?jǐn)U展高效能小芯片整合與先進(jìn)運(yùn)算系統(tǒng)的全球供應(yīng)鏈。

發(fā)表于：5/23/2025

三星押注1c DRAM挑戰(zhàn)SK海力士HBM霸主地位

5 月 23 日消息，HBM4 已成為內(nèi)存巨頭的新競(jìng)技場(chǎng)，三星正通過(guò)激進(jìn)投資縮小與 SK 海力士的差距?？萍济襟w ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）報(bào)道稱(chēng)，三星計(jì)劃在韓國(guó)華城和平澤擴(kuò)大 1c DRAM（第六代 10nm 級(jí)）生產(chǎn)，相關(guān)投資將在年底前啟動(dòng)。 IT之家援引博文介紹，SK 海力士和美光選擇 1b DRAM 作為 HBM4 的基礎(chǔ)技術(shù)，而三星大膽押注更先進(jìn)的 1c DRAM，表明三星有信心提升 1c DRAM 良率。

發(fā)表于：5/23/2025

京東發(fā)布行業(yè)首個(gè)以供應(yīng)鏈為核心的工業(yè)大模型Joy industrial

5 月 23 日消息，5 月 22 日，京東工業(yè)于上海對(duì)外發(fā)布行業(yè)首個(gè)以供應(yīng)鏈為核心的工業(yè)大模型 Joy industrial。京東發(fā)布行業(yè)首個(gè)以供應(yīng)鏈為核心的工業(yè)大模型 Joy industrial

發(fā)表于：5/23/2025

中國(guó)團(tuán)隊(duì)攻克鈣鈦礦規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)難題

我國(guó)企業(yè)和高校創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)提出太陽(yáng)能電池材料鈣鈦礦的涂層革新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了平米級(jí)鈣鈦礦組件的穩(wěn)定批量生產(chǎn)，推動(dòng)鈣鈦礦技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從實(shí)驗(yàn)室到規(guī)?；瘧?yīng)用的跨越。22日，該項(xiàng)研究成果發(fā)表于《科學(xué)》雜志。

發(fā)表于：5/23/2025

全國(guó)700家5G標(biāo)桿工廠(chǎng)產(chǎn)能平均提升近20%

一是基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)提檔升級(jí)。我國(guó)累計(jì)建設(shè)5G基站超過(guò)439萬(wàn)個(gè)，標(biāo)識(shí)注冊(cè)量突破6700億，具備一定影響力的平臺(tái)超過(guò)240家，連接工業(yè)設(shè)備超過(guò)1億臺(tái)套，安全技術(shù)監(jiān)測(cè)服務(wù)體系日益完善。二是轉(zhuǎn)型升級(jí)作用不斷顯現(xiàn)?；诠I(yè)互聯(lián)網(wǎng)的個(gè)性化定制、平臺(tái)化設(shè)計(jì)、智能化生產(chǎn)等新模式廣泛普及，有力促進(jìn)企業(yè)的提質(zhì)降本增效和創(chuàng)新，全國(guó)700家5G標(biāo)桿工廠(chǎng)產(chǎn)能平均提升近20%，運(yùn)營(yíng)成本下降近15%，5G、人工智能、區(qū)塊鏈等技術(shù)與工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)深度融合，涌現(xiàn)出智能分解、智能合約等典型應(yīng)用場(chǎng)景，賦能賦質(zhì)賦智產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的作用日益凸顯。

發(fā)表于：5/23/2025

TLSM系列輕觸開(kāi)關(guān)為高使用率設(shè)備提供200萬(wàn)次長(zhǎng)使用壽命

2025年5月22日訊，伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日隆重推出適用于表面貼裝技術(shù)(SMT)的TLSM系列輕觸開(kāi)關(guān)。

發(fā)表于：5/22/2025

全球首款基于神經(jīng)形態(tài)的RISC-V邊緣AI芯片發(fā)布

5月22日消息，荷蘭芯片廠(chǎng)商 Innatera 近日正式發(fā)布了第一款使用基于神經(jīng)形態(tài)架構(gòu)的商用RISC-V微控制器Pulsar ，主要用于A(yíng)I傳感器應(yīng)用。據(jù)介紹，Pulsar 是將模擬和數(shù)字神經(jīng)形態(tài)模塊與傳統(tǒng)卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器和 RISC-V 內(nèi)核相結(jié)合。與傳統(tǒng)的 AI 處理器相比，它的延遲降低了 100 倍，能耗降低了 500 倍，芯片尺寸為 2.6 x 2.8 毫米，采用臺(tái)積電的標(biāo)準(zhǔn) 28nm 工藝制造。

發(fā)表于：5/22/2025