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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

能源、清潔科技和可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)

　　二十多年來(lái)，科學(xué)家和氣候?qū)W家一直在發(fā)出警示，提醒人們關(guān)注全球變暖的影響及其與溫室氣體（GHG）排放之間的聯(lián)系。但如今，全球社會(huì)的注意力已經(jīng)轉(zhuǎn)向具體的行動(dòng)，以及如何解決氣候變化的根本原因和相關(guān)影響。半導(dǎo)體是現(xiàn)代設(shè)備、電動(dòng)汽車（EV）、智能手機(jī)、機(jī)器人等產(chǎn)品的大腦中樞。通過(guò)定制創(chuàng)新和自適應(yīng)邊緣智能，半導(dǎo)體或可抓住解決可持續(xù)發(fā)展危機(jī)的關(guān)鍵。

發(fā)表于：1/3/2025

非常見問題解答第224期：熱插拔控制器中的寄生振蕩

　　使用高端N溝道MOSFET （NFET）的熱插拔控制器、浪涌抑制器、電子保險(xiǎn)絲和理想二極管控制器，在啟動(dòng)和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊(cè)通常會(huì)簡(jiǎn)要提到這個(gè)問題，并建議添加一個(gè)小柵極電阻來(lái)解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設(shè)計(jì)人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受到振蕩的影響。本文將討論寄生振蕩的原理，以幫助設(shè)計(jì)人員避免不必要的電路板修改。

發(fā)表于：1/3/2025

使用熱插拔控制器增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性

　　在電子產(chǎn)品中，在不中斷系統(tǒng)運(yùn)行的情況下安全地插入和拔出電源模塊的能力至關(guān)重要。眾所周知，熱插拔1已成為從數(shù)據(jù)中心到電信系統(tǒng)等許多應(yīng)用的基本功能。為了確保系統(tǒng)在這些操作期間的安全性和完整性，需要專門的控制器。ADI公司的LTC4287在這類產(chǎn)品中具有明顯優(yōu)勢(shì)。本文深入探討了這款熱插拔控制器在系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用中的性能、特性、益處和優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：1/3/2025

學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn)：調(diào)諧放大器級(jí)—第2部分

　　本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是延續(xù)“ADALM2000實(shí)驗(yàn)：調(diào)諧放大器級(jí)”中開始的調(diào)諧放大器級(jí)研究。

發(fā)表于：1/3/2025

三星電子已啟動(dòng)4nm制程HBM4邏輯芯片試生產(chǎn)

1 月 3 日消息，韓媒《Chosun Biz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子 DS 部門內(nèi)存（注：即存儲(chǔ)器）業(yè)務(wù)部最近完成了 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片設(shè)計(jì)；Foundry 業(yè)務(wù)部現(xiàn)已根據(jù)該設(shè)計(jì)采用 4nm 制程啟動(dòng)試生產(chǎn)。待完成邏輯芯片的最終性能驗(yàn)證后，三星電子將向客戶提供其開發(fā)的 HBM4 內(nèi)存樣品。

發(fā)表于：1/3/2025

Globalfoundries與IBM達(dá)成和解協(xié)議

當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月2日，格芯（Globalfoundries）和 IBM 共同在一份聲明中宣布，兩家公司已在正在進(jìn)行的訴訟中達(dá)成和解，解決了所有訴訟事項(xiàng)，包括兩家公司之間的違約、商業(yè)秘密和知識(shí)產(chǎn)權(quán)索賠。此次和解標(biāo)志著正在進(jìn)行的法律糾紛的結(jié)束，并允許兩家公司在共同感興趣的領(lǐng)域探索新的合作機(jī)會(huì)。

發(fā)表于：1/3/2025

消息稱英偉達(dá)及高通正考慮將部分2nm芯片生產(chǎn)交給三星

1 月 3 日消息，綜合韓媒《Chosun Daily》和 SamMobile 報(bào)道，有消息稱英偉達(dá)和高通正在考慮將旗下部分 2 納米工藝訂單從臺(tái)積電轉(zhuǎn)至三星，這是出于“產(chǎn)能和成本考慮”。

發(fā)表于：1/3/2025

Weebit Nano宣布向安森美提供ReRAM技術(shù)授權(quán)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間 2025年1月1日，以色列先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)廠商Weebit Nano宣布，已將其電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM或RRAM）技術(shù)授權(quán)給了一級(jí)半導(dǎo)體供應(yīng)商安森美（Onsemi）。

發(fā)表于：1/3/2025

盤點(diǎn)2024年半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

過(guò)去的2024年，國(guó)際形勢(shì)依然錯(cuò)綜復(fù)雜，全球半導(dǎo)體行業(yè)在充滿挑戰(zhàn)的大環(huán)境中迎來(lái)了復(fù)蘇，AI熱潮對(duì)行業(yè)的影響持續(xù)加劇，而半導(dǎo)體企業(yè)在產(chǎn)業(yè)發(fā)展中各有悲歡。歲末已至，小編梳理2024年度半導(dǎo)體行業(yè)十大事件，與大家共同回顧過(guò)去這一年。

發(fā)表于：1/3/2025

英偉達(dá)今年將超越蘋果成臺(tái)積電最大客戶

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，花旗分析師看好英偉達(dá)推動(dòng)臺(tái)積電AI相關(guān)營(yíng)收增長(zhǎng)，有望超越蘋果成為最大客戶。

發(fā)表于：1/3/2025

2024年度央企十大國(guó)之重器揭曉

1 月 2 日消息，據(jù)“國(guó)資小新”公眾號(hào)，綜合網(wǎng)友投票情況和專家意見，“2024 年度央企十大國(guó)之重器”結(jié)果已經(jīng)于 1 月 1 日出爐。

發(fā)表于：1/3/2025

臺(tái)積電美國(guó)工廠4nm成本將增加30％

1月2日消息，臺(tái)積電在美國(guó)的巨額投資即將開花結(jié)果，位于亞利桑那州鳳凰城的新工廠即將量產(chǎn)4nm工藝，但卻不得不面臨成本激增的尷尬，相比在臺(tái)灣省本土至少要貴30％！

發(fā)表于：1/3/2025

國(guó)家大基金三期斥資1640億元參股兩支投資基金

1月2日消息，根據(jù)企查查資料顯示，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司（簡(jiǎn)稱“國(guó)家大基金三期”）近日參股兩支投資基金。

發(fā)表于：1/3/2025

中國(guó)商務(wù)部將28家美國(guó)實(shí)體列入出口管制管控名單

2025年1月2日下午，中國(guó)商務(wù)部發(fā)布2025年第1號(hào)文件，宣布將28家美國(guó)實(shí)體列入出口管制管控名單。商務(wù)部公告稱，根據(jù)《中華人民共和國(guó)出口管制法》和《中華人民共和國(guó)兩用物項(xiàng)出口管制條例》等法律法規(guī)有關(guān)規(guī)定，為維護(hù)國(guó)家安全和利益，履行防擴(kuò)散等國(guó)際義務(wù)，決定將通用動(dòng)力公司等28家美國(guó)實(shí)體列入出口管制管控名單（見附件），并采取以下措施：

發(fā)表于：1/3/2025

今年臺(tái)積電CoWoS半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)能將翻倍

中國(guó)臺(tái)灣省媒體《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》今天（1 月 2 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱臺(tái)積電正積極提高 CoWoS 先進(jìn)封裝產(chǎn)能，預(yù)估 2025 年產(chǎn)能接近翻倍，達(dá)到每月 7.5 萬(wàn)片晶圓，而且因市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，會(huì)在 2026 年繼續(xù)提高產(chǎn)能。

發(fā)表于：1/3/2025