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UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

　　2021年9月14日，美國(guó)新澤西州普林斯頓：領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC（聯(lián)合碳化硅）公司，現(xiàn)已發(fā)布業(yè)界最佳的750V、6mΩ器件，從而響應(yīng)了電源設(shè)計(jì)人員對(duì)更高性能、更高效率的SiC FET的需求。這款6mΩ新器件的RDS（on）值不到最接近的SiC MOSFET競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的一半，并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時(shí)間。今天所發(fā)布的產(chǎn)品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項(xiàng)，額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封裝的方案，同時(shí)18、23、33、44和60mΩ器件還提供了采用TO-247-3L封裝的方案。這一750V擴(kuò)展系列與現(xiàn)有的18和60mΩ器件相輔相成，其為設(shè)計(jì)人員提供了更多的器件方案，實(shí)現(xiàn)了更大的設(shè)計(jì)靈活性，因此可實(shí)現(xiàn)最佳的性價(jià)比權(quán)衡，同時(shí)保持充足的設(shè)計(jì)裕度和電路魯棒性。

發(fā)表于：9/14/2021

高級(jí)封裝將成為“芯”救世主？

在今年芯片工業(yè)界最重要的會(huì)議之一HOTCHIPS上，高級(jí)封裝成為了最熱門的議程之一，Intel、TSMC、AMD等業(yè)界巨頭都紛紛亮相。事實(shí)上，高級(jí)封裝正在逐漸取代晶體管特征尺寸縮小，而在成為新的芯片進(jìn)步的驅(qū)動(dòng)力。

發(fā)表于：9/13/2021

Agile Analog 和 Silex Insight 建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，提供模擬和數(shù)字 IP 組合解決方案

　　可配置模擬IP供應(yīng)商Agile analog與數(shù)字IP核領(lǐng)先供應(yīng)商Silex Insight之間的新協(xié)議，為客戶應(yīng)用、代工廠和節(jié)點(diǎn)優(yōu)化的IP采購(gòu)解決方案開辟了新的途徑和方式。

發(fā)表于：9/10/2021

Sondrel IP平臺(tái)集成Arm安全子系統(tǒng)，提供強(qiáng)大邊緣計(jì)算

　　Sondrel創(chuàng)建了一個(gè)功能強(qiáng)大的四核IP平臺(tái)SFA 200，該平臺(tái)非常適合ASIC（專用集成電路）解決方案，用于遠(yuǎn)程采集和處理視頻和邊緣數(shù)據(jù)，并確保結(jié)果的安全傳輸。由此產(chǎn)生的單通道ASIC可連續(xù)排列，形成可擴(kuò)展解決方案，并以模塊化方式添加附加功能。應(yīng)用包括智能儀表、智能家居、智能工廠、聲控設(shè)備和信息娛樂等。

發(fā)表于：9/10/2021

Nexperia表面貼裝器件通過汽車應(yīng)用的板級(jí)可靠性要求

2021年9月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布，公司研發(fā)的表面貼裝器件-銅夾片F(xiàn)latPower封裝CFP15B首次通過領(lǐng)先的一級(jí)供應(yīng)商針對(duì)汽車應(yīng)用的板級(jí)可靠性 (BLR)測(cè)試。該封裝將首先應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元。

發(fā)表于：9/10/2021

Diodes 訊號(hào)中繼器（ReDriver）新產(chǎn)品組合

　【2021 年 09 月 09 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）的 ReDriver? 系列新產(chǎn)品 PI3EQX12902E ，符合微軟公司提出的新式待命（Modern Standby）模式需求，其線性度更佳，訊號(hào)抖動(dòng) （jitter）極小，能滿足當(dāng)代各種筆記本電腦、工業(yè)計(jì)算機(jī)以及嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求。

發(fā)表于：9/10/2021

貿(mào)澤電子備貨兩款Sensirion液體流量評(píng)估套件SEK-LD20-0600L和SEK-LD20-2600B

2021年9月9日 - 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics ）即日起備貨Sensirion的SEK-LD20-0600L 和SEK-LD20-2600B液體流量評(píng)估套件。這兩款套件讓工程師可以快速便捷地評(píng)估采用Sensirion專有CMOSens®技術(shù)的LD20-0600L和LD20-2600B液體流量傳感器功能，是評(píng)估生物醫(yī)學(xué) 設(shè)備、先進(jìn)輸液治療和可穿戴藥物輸送設(shè)備等應(yīng)用的理想選擇。

發(fā)表于：9/10/2021

英特爾與Leidos共同推進(jìn)COVID-19醫(yī)療計(jì)劃

　　近期，英特爾科技抗疫計(jì)劃（PRTI）取得最新進(jìn)展。英特爾攜手生態(tài)合作伙伴L(zhǎng)eidos，通過科技力量抗擊COVID-19疫情。Leidos是一家進(jìn)入財(cái)富500強(qiáng)榜單的科技公司，為公用事業(yè)、生命科學(xué)等行業(yè)提供信息技術(shù)系統(tǒng)一體化與高級(jí)技術(shù)解決方案。基于英特爾創(chuàng)新技術(shù)和科技抗疫計(jì)劃（PRTI）的支持，Leidos正在通過以區(qū)塊鏈為基礎(chǔ)的數(shù)據(jù)安全技術(shù)來對(duì)抗COVID-19，改進(jìn)疾病控制和預(yù)防中心（CDC）MicrobeTrace Next平臺(tái)，確保并加速追蹤新冠病毒接觸者。該項(xiàng)目是英特爾科技抗疫計(jì)劃（PRTI）的一部分，英特爾將為數(shù)百家旨在通過加速技術(shù)獲取來對(duì)抗新型冠狀病毒的企業(yè)提供資助。

發(fā)表于：9/9/2021

高通CEO：車用芯片愿與歐洲代工廠合作

導(dǎo)讀：在本周三，高通CEO里斯蒂亞諾·安蒙（Cristiano Amon）表示，如果歐盟的汽車芯片生產(chǎn)激勵(lì)計(jì)劃能夠吸引到合適的代工廠商，高通愿意與它們?cè)跉W洲展開合作。

發(fā)表于：9/9/2021

瑞薩電子推出32位RX671 MCU，實(shí)現(xiàn)高性能和高能效可支持非接觸式HMI功能

　　2021 年 9 月 8 日，日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)（TSE：6723）今日宣布，推出32位微控制器（MCU）RX671，為廣受歡迎的RX產(chǎn)品家族增添一款全新高性能、多功能，且具備觸摸感應(yīng)和語(yǔ)音識(shí)別等非接觸式操作方式的單芯片解決方案。作為瑞薩廣受歡迎的主流RX600系列的一部分，RX671 MCU基于RXv3 CPU核構(gòu)建，運(yùn)行速度為120MHz，集成閃存支持60MHz的快速讀取訪問，實(shí)現(xiàn)卓越實(shí)時(shí)性能，CoreMark評(píng)分達(dá)707；電源效率為48.8 CoreMark/mA，在同類產(chǎn)品中名列前茅。

發(fā)表于：9/9/2021

Vishay推出車用高壓厚膜片式電阻，在節(jié)省電路板空間的同時(shí)，還可減少元件數(shù)量并降低加工成本

　　賓夕法尼亞、MALVERN - 2021年9月8日-日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出通過AEC-Q200認(rèn)證的新系列厚膜片式電阻---RCV-AT e3 ，工作電壓達(dá)3 kV，外形尺寸為2010和2512。

發(fā)表于：9/9/2021

彈性供應(yīng)，敏捷制造，雙管齊下破局“缺芯”

隨著智能制造的崛起，現(xiàn)代化的制造生產(chǎn)模式已是大勢(shì)所趨。其中自動(dòng)化生產(chǎn)與柔性生產(chǎn)成為了制造型企業(yè)兩大發(fā)展方向，而如何打通生產(chǎn)與物流的自動(dòng)化銜接，如何適應(yīng)高頻的產(chǎn)線變化，成為了企業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的重中之重。

發(fā)表于：9/9/2021

?國(guó)產(chǎn)MOSFET，實(shí)力幾何？

發(fā)表于：9/8/2021

獲字節(jié)跳動(dòng)聯(lián)想百度投資，這家高端RISC-V創(chuàng)企完成A+輪融資

芯東西9月8日?qǐng)?bào)道，深圳RISC-V創(chuàng)企睿思芯科已完成數(shù)千萬(wàn)美元A+輪融資，持續(xù)加碼自主可控的高端CPU研發(fā)。

發(fā)表于：9/8/2021

ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章

在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于GaN功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力。這些優(yōu)勢(shì)正是當(dāng)下高功耗高密度系統(tǒng)、大數(shù)據(jù)服務(wù)器和計(jì)算機(jī)所需要的。

發(fā)表于：9/7/2021