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EDA與制造相關(guān)文章

2nm大戰(zhàn)，全面打響

在芯片制造領(lǐng)域，3nm方興未艾，圍繞著2nm的競爭已經(jīng)全面打響。

發(fā)表于：6/28/2023

重磅！江波龍擬購買力成科技（蘇州）有限公司70%股權(quán)

江波龍將通過其全資子公司，收購力成科技股份有限公司全資子公司力成科技（蘇州）有限公司70%股權(quán)。

發(fā)表于：6/27/2023

應(yīng)用材料公司攜精彩主題演講和成果展示亮相SEMICON China 2023

　　2023年6月25日，上?！猄EMICON China 2023將于6月29日 - 7月1日在上海新國際博覽中心舉辦。同時，中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會（CSTIC）2023將在6月26 - 27日在上海國際會議中心舉辦。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和顯示設(shè)備供應(yīng)商，應(yīng)用材料公司將通過主題演講和論文展示等方式積極參與SEMICON China和CSTIC，內(nèi)容涵蓋異構(gòu)集成和功率電子等多個主題。

發(fā)表于：6/25/2023

選擇合適的集成度來滿足電機設(shè)計要求

　　如果您正在設(shè)計電機驅(qū)動應(yīng)用，以往您可能會使用如雙極結(jié)型晶體管（BJT）等多個分立式元件來實現(xiàn)電機控制。盡管這種方法通常成本更低，但使用的元件總數(shù)更多，占用的布板空間更大，花費的設(shè)計時間更長，復(fù)雜度也更高。使用多個元件還可能會影響系統(tǒng)可靠性。

發(fā)表于：6/16/2023

X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產(chǎn)業(yè)化

　　中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領(lǐng)域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項戰(zhàn)略倡議，旨在推動歐洲半導(dǎo)體和光電子行業(yè)獲得更大自主權(quán)，從而加強歐洲大陸在關(guān)鍵新興領(lǐng)域的制造能力。

發(fā)表于：6/15/2023

英飛凌推出簡單易用的 LCC 設(shè)計工具，賦能高效 LED 驅(qū)動器設(shè)計

　　為了便于工程師的設(shè)計，英飛凌（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出了 LCC 設(shè)計工具，讓工程師的設(shè)計工作變得更快速、更輕松。

發(fā)表于：6/15/2023

線邊緣粗糙度（LER）如何影響先進節(jié)點上半導(dǎo)體的性能

　　由后段制程（BEOL）金屬線寄生電阻電容（RC）造成的延遲已成為限制先進節(jié)點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸（CD）和線間隔，這會導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對此進行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關(guān)鍵尺寸之間的關(guān)系。即使沒有線邊緣粗糙度（LER），該圖也顯示電阻會隨著線寬縮小呈指數(shù)級增長[2]。為緩解此問題，需要在更小的節(jié)點上對金屬線關(guān)鍵尺寸進行優(yōu)化并選擇合適的金屬材料。

發(fā)表于：6/12/2023

晶圓代工|臺積電代工報價曝光：3nm制程19865美元，2nm預(yù)計24570美元！

6月8日消息，國外網(wǎng)友Revegnus (@Tech_Reve)在Twitter上曝光據(jù)稱是臺積電圓代工的報價單，其中一張圖片資料來源于已經(jīng)成立了37年的專業(yè)的研究機構(gòu)The Information Network。

發(fā)表于：6/9/2023

半導(dǎo)體|228億，意法半導(dǎo)體 x 三安光電，他們在謀劃什么？

6月7日，意法半導(dǎo)體和三安光電宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在重慶建立一個新的8吋碳化硅器件合資制造廠，全部建設(shè)總額預(yù)計約達32億美元（約合人民幣228.32億元）

發(fā)表于：6/8/2023

格芯和意法半導(dǎo)體正式簽署法國12英寸半導(dǎo)體晶圓新廠協(xié)議

　　中國，2023年6月6日——全球排名前列、提供功能豐富產(chǎn)品技術(shù)的半導(dǎo)體制造商格芯（GlobalFoundries，簡稱GF；納斯達克證交所代碼：GFS）和服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，雙方于2022年7月公布的將在法國Crolles新建一個高產(chǎn)能半導(dǎo)體聯(lián)營廠的合作，現(xiàn)正式完成協(xié)議簽署。

發(fā)表于：6/7/2023

新思科技與Arm強強聯(lián)手，加快下一代移動SoC開發(fā)

加利福尼亞州山景城，2023年6月5日——為應(yīng)對低至2納米的先進制程上高度復(fù)雜移動芯片設(shè)計挑戰(zhàn)，新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面計算解決方案（TCS23），加強雙方在人工智能增強型設(shè)計方面的合作。

發(fā)表于：6/5/2023

采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計高能效焊機

　　近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應(yīng)運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計方法通過改良設(shè)計提高了能效和功率密度。

發(fā)表于：6/4/2023

中微公司在TechInsights 2023年客戶滿意度調(diào)查榜單中位列兩項第一

　　中國上海，2023年5月19日--中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）宣布在全球技術(shù)分析和知識產(chǎn)權(quán)服務(wù)提供商TechInsights舉辦的2023年客戶滿意度調(diào)查（CSS）中榮獲六大獎項，其中在專用芯片制造設(shè)備供應(yīng)商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）和薄膜沉積設(shè)備（Deposition Equipment）兩個榜單中位列第一。

發(fā)表于：5/30/2023

高性能封裝推動IC設(shè)計理念創(chuàng)新

高性能封裝的一個特征在于芯片、封裝功能融合。高性能封裝的出現(xiàn),使芯片成品制造環(huán)節(jié)已經(jīng)與芯片設(shè)計和晶圓制造環(huán)節(jié)密不可分,融為一體。協(xié)同設(shè)計是高性能封裝的必由之路。

發(fā)表于：5/26/2023

算力革命時代，EDA如何破局？

在金融服務(wù)、智能制造、醫(yī)療保健以及媒體娛樂等行業(yè)的推動下，全球數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)態(tài)勢。根據(jù)IDC Global DataSphere的研究顯示，2020年-2025年，全球數(shù)據(jù)總量將從59ZB大幅增長至175ZB。其中，中國增速最快且體量最大，預(yù)計到2025年數(shù)據(jù)總量將增至48.6ZB，全球市占比達到27.8%。

發(fā)表于：5/26/2023