EDA與制造相關文章 意法半導體突破20納米技術節(jié)點 首款采用新技術的 STM32 微控制器將于 2024 下半年開始向部分客戶出樣片 · 18nm FD-SOI制造工藝與嵌入式相變存儲器(ePCM)組合，實現(xiàn)性能和功耗雙飛 發(fā)表于：4/26/2024 美光獲得美國至多61.4億美元直接補貼和75億美元貸款 4 月 25 日消息，美國政府近日宣布，根據雙方簽訂的不具約束力的初步備忘錄，美國政府將根據《芯片與科學法案》向美光提供至多 61.4 億美元 發(fā)表于：4/26/2024 臺積電宣布背面供電版N2制程2025下半年向客戶推出 4 月 25 日消息，臺積電在近日公布的 2023 年報中表示，其背面供電版 N2 制程節(jié)點定于 2025 下半年向客戶推出，2026 年實現(xiàn)正式量產。 臺積電表示其 N2 制程將引入其 GAA 技術實現(xiàn) —— 納米片（Nanosheet）結構，在性能和能效方面都提升一個時代，預計于 2025 年啟動量產。 而引入背面電軌（Backside Power Rail）方案的 N2 衍生版本“最適用于高效能運算相關應用”，將在標準版 N2 后投入商用。 發(fā)表于：4/26/2024 SK海力士將在年內推出1bnm 32Gb DDR5內存顆粒 SK 海力士將在年內推出 1bnm 32Gb DDR5 內存顆粒 發(fā)表于：4/26/2024 臺積電公布先進工藝進展：N3P 制程今年下半年量產 4 月 25 日消息，臺積電在 2023 年報中公布了包括先進制程和先進封裝在內的業(yè)務情況 發(fā)表于：4/26/2024 臺積電系統(tǒng)級晶圓技術將迎重大突破 4月26日消息，臺積電在系統(tǒng)級晶圓技術領域即將迎來一次重大突破。 臺積電宣布，采用先進的CoWoS技術的芯片堆疊版本預計將于2027年全面準備就緒。這一技術的出現(xiàn)，標志著臺積電在半導體制造領域的又一次重要創(chuàng)新。 發(fā)表于：4/26/2024 SK海力士：12層堆疊HBM3E開發(fā)三季度完成 SK 海力士：12 層堆疊 HBM3E 開發(fā)三季度完成，下半年整體內存供應可能面臨不足 發(fā)表于：4/26/2024 消息稱三星電子探索邏輯芯片混合鍵合 4 月 24 日消息，據韓媒 ETNews 報道，三星電子正探索將混合鍵合技術用于邏輯芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封裝的 2nm 移動端處理器。 發(fā)表于：4/25/2024 臺積電宣布A16芯片制造技術將于2026年量產 臺積電宣布A16芯片制造技術將于 2026 年量產，劍指芯片性能王座 發(fā)表于：4/25/2024 SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 發(fā)表于：4/25/2024 美國政府近日宣布斥資110億美元設立研發(fā)中心 4 月 25 日消息，美國政府近日宣布斥資 110 億美元（當前約 798.6 億元人民幣），設立專門的研發(fā)中心，推進半導體領域的相關研究。 發(fā)表于：4/25/2024 消息稱三星和AMD簽署價值4萬億韓元的HBM3E 12H供貨協(xié)議 4 月 24 日消息，根據韓媒 Bridge Economy 報道，三星和AMD公司簽署了價值4萬億韓元的 HBM3E 供貨合同。 發(fā)表于：4/24/2024 消息稱SK海力士HBM4內存基礎裸片有望采用臺積電7nm制程 消息稱 SK 海力士 HBM4 內存基礎裸片有望采用臺積電 7nm 制程 發(fā)表于：4/24/2024 英偉達將投資2億美元在越南建AI工廠 英偉達與越南科技巨頭 FPT 達成合作，將投資 2 億美元共建 AI 工廠 發(fā)表于：4/24/2024 臺積電：晶圓廠設備恢復率已超過70% 23日地震 臺積電：晶圓廠設備恢復率已超過70% 發(fā)表于：4/24/2024 ?…115116117118119120121122123124…?
