美國對中國新能源汽車半導(dǎo)體等即將開始加征100%關(guān)稅

9月27日起開始！美國對中國新能源汽車、半導(dǎo)體等加征100%關(guān)稅

發(fā)表于：9/14/2024

谷歌明年或把Tensor G5生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到臺積電

因三星3納米良率低，谷歌明年或把Tensor G5生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到臺積電

發(fā)表于：9/14/2024

2024Q2企業(yè)級SSD合約價環(huán)比增長超25%

9 月 13 日消息，據(jù) TrendForce 集邦咨詢今日報告，在供不應(yīng)求的大背景下，2024 年二季度企業(yè)級固態(tài)硬盤平均合約價環(huán)比增長超 25%，而 NAND 原廠企業(yè)在該領(lǐng)域營收更是實現(xiàn)了 52.7% 的迅猛提升。 由于英偉達(dá) AI GPU 平臺放量、AI 應(yīng)用推動存儲需求加之服務(wù)器品牌商需求升溫，2024 年二季度企業(yè)級固態(tài)硬盤采購容量明顯增長，但原廠供應(yīng)商未能在上半年及時提升產(chǎn)能，導(dǎo)致了供應(yīng)緊張、價格攀升情況的出現(xiàn)。 而來到三季度，北美云服務(wù)供應(yīng)商客戶需求持續(xù)增加，服務(wù)器品牌商訂單動能不減，將繼續(xù)拉升企業(yè)級固態(tài)硬盤采購容量，供不應(yīng)求情況延續(xù)。TrendForce 預(yù)計第三季度企業(yè)級固態(tài)硬盤平均合約價將再環(huán)比增長 15%，原廠營收升幅則是接近 20%。

發(fā)表于：9/14/2024

美國繼續(xù)施壓韓國對華芯片圍堵

據(jù)《韓國先驅(qū)報》11日報道，美國正加緊向韓國施壓，要求其配合美方對華出口管制，敦促韓國只向盟國提供高帶寬內(nèi)存（HBM）等先進(jìn)芯片。中方此前多次就美國對華芯片出口管制表明立場，堅決反對美方脅迫其他國家搞對華出口限制。 報道稱，美國商務(wù)部負(fù)責(zé)工業(yè)和安全事務(wù)的副部長埃斯特維茲當(dāng)?shù)貢r間10日在美國華盛頓特區(qū)舉行的“2024年韓美經(jīng)濟安全會議”上，呼吁韓國芯片制造商向韓國盟國而不是中國等國供應(yīng)HBM芯片。

發(fā)表于：9/13/2024

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)線以便于專注先進(jìn)HBM內(nèi)存量產(chǎn)

9 月 12 日消息，韓媒 The Elec 當(dāng)?shù)貢r間本月 4 日報道稱，SK 海力士未來將在 HBM 領(lǐng)域采取質(zhì)量優(yōu)先的整體策略，專注于尖端 HBM 內(nèi)存的開發(fā)與量產(chǎn)，而傳統(tǒng) HBM 產(chǎn)品則將被逐步淘汰。 在三星電子計劃把 HBM 內(nèi)存的組裝檢測工藝外包給控股子公司 STeco 的同時，SK 海力士仍計劃自行內(nèi)部解決 HBM 生產(chǎn)的全部工序，在進(jìn)一步提升 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能上較為保守。

發(fā)表于：9/13/2024

英特爾計劃明年年底前關(guān)閉愛爾蘭香農(nóng)研發(fā)中心

9 月 13 日消息，據(jù)《愛爾蘭時報》9 月 6 日報道，英特爾研發(fā)部的員工被告知，該公司計劃在明年年底前關(guān)閉位于愛爾蘭克萊爾郡香農(nóng)的工廠，該公司在愛爾蘭的運營基地將遷往英特爾在萊克斯利普的園區(qū)。 報道稱，英特爾位于香農(nóng)的研發(fā)部門雇用了大約 750 人，那里的員工也獲得了與該集團(tuán)其他部門員工相同的裁員或提前退休選擇。 當(dāng)被問及香農(nóng)研發(fā)中心的未來時，英特爾的一位發(fā)言人表示，該公司正在“改變我們的全球房地產(chǎn)戰(zhàn)略，將重點放在人口更多的地區(qū)。我們?nèi)栽跒槊總€業(yè)務(wù)部門制定計劃。我們將在未來幾個月提供更詳細(xì)的信息?！?

發(fā)表于：9/13/2024

戴爾宣布今年將繼續(xù)執(zhí)行裁員計劃

據(jù)外媒報導(dǎo)，因為擔(dān)心個人電腦（PC）需求尚未復(fù)蘇，且針對人工智能（AI）優(yōu)化的服務(wù)器銷售利潤不如其他產(chǎn)品的情況下，PC大廠戴爾于9月11日宣布，為控制成本，計劃在2024年繼續(xù)執(zhí)行裁員計劃。 戴爾表示，相關(guān)的裁員計劃內(nèi)容，包括限制外部招聘、職缺重組以及其他行動。執(zhí)行這些計劃后，將導(dǎo)致在截至2025年2月的財年期間，戴爾的總員工人數(shù)持續(xù)減少。成本?！?/a>

三星因2nm良率過低已撤出美國泰勒廠人員

9月12日消息，據(jù)韓媒Business Korea報道，由于 2nm 良率持續(xù)存在問題，三星電子已決定從其位于美國的泰勒工廠撤出人員，這標(biāo)志著其先進(jìn)的代工業(yè)務(wù)遭受重大挫折。該決定是在大規(guī)模生產(chǎn)時間表一再推遲之后做出的，現(xiàn)在量產(chǎn)時間已從原來的2024年底推遲到了2026年。 三星對于美國泰勒工廠最初設(shè)想為 4nm以下先進(jìn)工藝的大規(guī)模生產(chǎn)中心，目的是靠近主要的美國客戶，為他們提供本地化的制造服務(wù)。然而，盡管工藝開發(fā)迅速，但三星仍面臨 2nm 良率的挑戰(zhàn)，與其主要競爭對手臺積電相比，不僅性能較低且量產(chǎn)能力不足，良率也更低。

發(fā)表于：9/13/2024

英飛凌成功推出全球首款300mm GaN晶圓

英飛凌成功推出全球首款300mm GaN晶圓

發(fā)表于：9/12/2024

三星電子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式開始量產(chǎn)

三星電子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式開始量產(chǎn)

發(fā)表于：9/12/2024

消息稱三星電子獲Ambarella ADAS芯片2nm代工訂單

消息稱三星電子再獲 2nm 訂單，為安霸 Ambarella 代工高級駕駛輔助系統(tǒng)芯片

發(fā)表于：9/12/2024

臺積電首臺High-NA EUV將放置在其全球研發(fā)中心

臺積電全球研發(fā)中心本月將接收首臺High-NA EUV

發(fā)表于：9/12/2024

高通第五代驍龍8將迎來雙代工廠

此前有報道稱，高通考慮未來驍龍8平臺采用雙代工廠策略，分別采用臺積電（TSMC）和三星的3nm工藝。高通原打算在2024年的第四代驍龍8開始執(zhí)行該計劃，不過由于三星3nm產(chǎn)能擴張計劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終讓高通選擇延后執(zhí)行該計劃。

發(fā)表于：9/12/2024

兩名前三星員工涉嫌泄露價值32億美元商業(yè)機密被捕

9月11日消息，韓國首爾地方警察廳產(chǎn)業(yè)技術(shù)安全搜查隊于10日以違反韓國《產(chǎn)業(yè)技術(shù)保護(hù)法》和《不正當(dāng)競爭防止法》為由，逮捕了兩名前三星高管，指控他們涉嫌向中國泄露價值 32 億美元的三星公司機密。

發(fā)表于：9/12/2024

谷歌Tensor G6將采用臺積電2nm制程代工

傳谷歌Tensor G6將采用臺積電2nm制程代工

發(fā)表于：9/12/2024