EDA與制造相關(guān)文章 Rapidus將獲250億日元資金支持其2027年量產(chǎn)2nm制程 Rapidus將獲250億日元資金支持其2027年量產(chǎn)2nm制程 發(fā)表于：9/27/2024 三星兩個(gè)半導(dǎo)體工廠被曝按下暫停鍵 三星韓美半導(dǎo)體工廠被曝按下暫停鍵 發(fā)表于：9/27/2024 新存科技發(fā)布國內(nèi)最大64Gb單芯片容量3D新型存儲(chǔ)器芯片NM101 新存科技發(fā)布國內(nèi)最大64Gb單芯片容量3D新型存儲(chǔ)器芯片NM101 發(fā)表于：9/27/2024 美光宣布今明兩年HBM產(chǎn)能已銷售一空 9月25日，存儲(chǔ)芯片大廠美光科技于美股盤后公布了截至自然年2024年8月29日的2024財(cái)年第四財(cái)季財(cái)報(bào)，同時(shí)披露了2025財(cái)年第一財(cái)季業(yè)績指引。 由于整體業(yè)績及指引均超預(yù)期，推動(dòng)美光盤后股價(jià)上漲超過10%。截至當(dāng)?shù)貢r(shí)間26日美股收盤，美光股價(jià)大漲14.73%。 營收同比暴漲93.3% 得益于存儲(chǔ)需求回暖以及存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲，美光第四財(cái)季度營收為77.5億美元，同比暴漲93.3%，高于分析師預(yù)期76.6億美元，符合公司此前給出的74億至78億美元指引。 發(fā)表于：9/27/2024 新思科技和臺(tái)積電為萬億晶體管AI和多芯粒芯片設(shè)計(jì)鋪平了道路 9月25日，EDA及半導(dǎo)體IP大廠新思科技（Synopsys）宣布與晶圓代工龍頭大廠臺(tái)積電持續(xù)密切合作，基于臺(tái)積電最先進(jìn)的工藝和 3DFabric 技術(shù)，提供了先進(jìn)的 EDA 和 IP 解決方案，以加速 AI 和多芯粒設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。AI 應(yīng)用中無休止的計(jì)算需求要求半導(dǎo)體技術(shù)跟上步伐。從行業(yè)領(lǐng)先的 AI 驅(qū)動(dòng)型 EDA 套件（由 Synopsys.ai? 提供支持以提高生產(chǎn)力和芯片結(jié)果），到促進(jìn)向 2.5/3D 多芯粒架構(gòu)遷移的完整解決方案，新思科技和臺(tái)積電幾十年來一直密切合作，為未來十億到萬億晶體管的 AI 芯片設(shè)計(jì)鋪平了道路。 發(fā)表于：9/27/2024 SK海力士宣布大規(guī)模量產(chǎn)12層HBM3E芯片 9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先開始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量；公司將在年內(nèi)向客戶提供此次產(chǎn)品。 發(fā)表于：9/26/2024 三星電子代工業(yè)務(wù)遇困局不斷 三星電子代工業(yè)務(wù)遇困局：成熟制程水平落后、先進(jìn)制程難獲訂單 發(fā)表于：9/26/2024 美國敲定芯片法案法案首份商業(yè)制造設(shè)施補(bǔ)貼 美國敲定芯片法案法案首份商業(yè)制造設(shè)施補(bǔ)貼，高壓半導(dǎo)體企業(yè)Polar獲1.23億美元 發(fā)表于：9/26/2024 英特爾首款18A芯片正式亮相 9月25日消息，據(jù)Tom's Hardware報(bào)道，處理器大廠英特爾于上周在俄勒岡州波特蘭市舉行的 Enterprise Tech Tour 活動(dòng)中，首次展示了其代號為Clearwater Forest的Xeon芯片，這也是英特爾首款最新的Intel 18A制程芯片，不過該芯片可能需要等到明年下半年才能上市。 發(fā)表于：9/26/2024 英偉達(dá)Blackwell GPU已開始量產(chǎn) 英偉達(dá)Blackwell GPU已開始量產(chǎn)，預(yù)計(jì)四季度將創(chuàng)造100億美元營收 發(fā)表于：9/26/2024 消息稱NAND閃存芯片制造商鎧俠取消10月IPO計(jì)劃 消息稱 NAND 閃存芯片制造商鎧俠取消在 10 月進(jìn)行 IPO 的計(jì)劃 發(fā)表于：9/25/2024 中國存儲(chǔ)模組制造商涌現(xiàn)大批拋貨潮 中國存儲(chǔ)模組制造商涌現(xiàn)大批拋貨潮 發(fā)表于：9/25/2024 臺(tái)積電高雄2nm晶圓廠即將完工 臺(tái)積電高雄2nm晶圓廠即將完工，預(yù)計(jì)12月開始裝機(jī) 發(fā)表于：9/25/2024 長江存儲(chǔ)成功用國產(chǎn)設(shè)備制造3D NAND芯片 9月20日消息，據(jù)媒體報(bào)道，長江存儲(chǔ)在面臨美國出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部分美系設(shè)備。 長江存儲(chǔ)自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有極強(qiáng)的競爭優(yōu)勢。 據(jù)悉，長江存儲(chǔ)已經(jīng)使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備，以及拓荊科技的沉積設(shè)備，成功制造出3D NAND閃存芯片。 發(fā)表于：9/24/2024 美國會(huì)通過芯片豁免法案 美國會(huì)通過芯片豁免法案 加快臺(tái)積電、英特爾在美建廠 發(fā)表于：9/24/2024 ?…52535455565758596061…?
