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EDA與制造相關(guān)文章

傳美光GDDR6X模塊質(zhì)量問題影響英偉達RTX 40出貨

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發(fā)表于：7/31/2024

Alphawave推出業(yè)界首款支持臺積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP

Alphawave推出業(yè)界首款支持臺積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP

發(fā)表于：7/31/2024

消息指臺積電最快2028年A14P制程引入High NA EUV光刻技術(shù)

消息指臺積電最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技術(shù)

發(fā)表于：7/30/2024

SK海力士推出全球最高性能GDDR7

SK 海力士推出全球最高性能 GDDR7，相比上代運行速度提升 60%

發(fā)表于：7/30/2024

歐盟建晶圓廠補貼進展緩慢

英特爾和臺積電已經(jīng)根據(jù)美國《芯片與科學法案》分別獲得85億美元和66億美元的巨額補貼，用于在美國國內(nèi)建晶圓廠。與此同時，旨在支持歐洲半導體產(chǎn)業(yè)的《歐洲芯片法案》卻動作遲緩，至今英特爾和臺積電的歐洲建廠補貼均未獲批。邀請英特爾和臺積電投資的德國因歐盟委員會的猶豫不決而面臨延誤。盡管德國已為英特爾撥款100億歐元，為臺積電撥款50億歐元，但仍有待歐盟最終批準。德國官員警告稱，如果得不到及時批準，英特爾2024年底開工的計劃可能會受到威脅。歐盟緩慢的審批程序與美國《芯片法案》形成鮮明對比，后者自2024年初以來迅速撥付補貼。這種歐洲官僚主義的拖延招致批評，德國智庫Interface的專家認為，由于建設(shè)延誤和挫折，歐盟在2030年前實現(xiàn)其半導體市場份額20%的目標已經(jīng)越來越難以實現(xiàn)。

發(fā)表于：7/30/2024

國芯新一代汽車電子高性能MCU新產(chǎn)品流片測試成功

7月29日消息，據(jù)蘇州國芯科技官網(wǎng)介紹，近日，由國芯科技研發(fā)的新一代汽車電子高性能MCU新產(chǎn)品CCFC3012PT流片和測試成功。據(jù)悉，國芯科技本次內(nèi)部測試成功的汽車電子高性能MCU新產(chǎn)品CCFC3012PT是基于公司自主PowerPC架構(gòu)C*Core CPU內(nèi)核研發(fā)的新一代多核MCU芯片。適用于智能化汽車輔助駕駛、智能座艙以及高集成度域控制器等應(yīng)用，可以更好地滿足客戶更高算力、更高信息安全等級和更高功能安全等級的應(yīng)用需求。

發(fā)表于：7/30/2024

晶圓代工三巨頭從納米時代轉(zhuǎn)戰(zhàn)埃米時代

英特爾、三星和臺積電這三家領(lǐng)先的芯片代工廠已開始做出關(guān)鍵舉措，為未來幾代芯片技術(shù)吸引更多訂單，并為大幅提高性能和縮短定制設(shè)計的交付時間創(chuàng)造了條件。與過去由單一行業(yè)路線圖決定如何進入下一個工藝節(jié)點不同，這三家世界最大的晶圓代工廠正越來越多地開辟自己的道路。但他們都朝著同一個大方向前進，即采用 3D 晶體管和封裝、一系列使能和擴展性技術(shù)，以及規(guī)模更大、更多樣化的生態(tài)系統(tǒng)。但是，他們在方法論、架構(gòu)和第三方支持方面出現(xiàn)了一些關(guān)鍵性的差異。三者的路線圖都顯示，晶體管的擴展將至少持續(xù)到 18/16/14 埃米（1 埃米等于 0.1nm）的范圍，并可能從納米片和 forksheet FET 開始，在未來的某個時間點出現(xiàn)互補 FET（CFET）。主要驅(qū)動因素是人工智能（AI）/ 移動計算以及需要處理的數(shù)據(jù)量激增，在大多數(shù)情況下，這些設(shè)計將涉及處理元件陣列，通常具有高度冗余和同質(zhì)性，以實現(xiàn)更高的產(chǎn)量。

發(fā)表于：7/30/2024

大陸芯片設(shè)計業(yè)計劃從臺積電轉(zhuǎn)單三星

美大選逼近！大陸芯片設(shè)計業(yè)計劃從臺積電轉(zhuǎn)單三星

發(fā)表于：7/29/2024

全球首顆5nm智能駕駛芯片蔚來神璣NX9031流片成功

超過500億顆晶體管！蔚來宣布全球首顆5nm智能駕駛芯片神璣NX9031流片成功

發(fā)表于：7/29/2024

美國商務(wù)部宣布將向Amkor提供4億美元補貼

美國商務(wù)部宣布將向Amkor提供4億美元補貼當?shù)貢r間7月26日，美國拜登政府宣布，美國商務(wù)部和半導體封測大廠安靠（Amkor）簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT）。美國商務(wù)部將根據(jù)《芯片與科學法案》提供高達 4 億美元的擬議直接資金。

發(fā)表于：7/29/2024

斯坦福大學高能激光芯片新突破介紹

高能激光芯片，新突破！高功率鈦藍寶石激光器的尺寸已經(jīng)縮小，科學家計劃在新芯片的四英寸晶圓上塞入數(shù)百或數(shù)千個激光器。

發(fā)表于：7/29/2024

臺積電高管：摩爾定律存亡無所謂，關(guān)鍵是技術(shù)持續(xù)進步

臺積電高管：摩爾定律存亡無所謂，關(guān)鍵是技術(shù)持續(xù)進步 7 月 28 日消息，臺積電工藝技術(shù)主管張曉強（Kevin Zhang）博士在接受采訪時表示，他并不關(guān)心摩爾定律是否依然有效，只要技術(shù)能夠持續(xù)進步即可。

發(fā)表于：7/29/2024

日月光FOPLP扇出型面板級封裝2025年Q2開始出貨

7 月 26 日消息，據(jù)臺媒《工商時報》今日報道，日月光營運長（首席運營官，COO）吳田玉在 25 日的法人說明會上表示，該企業(yè)的 FOPLP 產(chǎn)能將于 2025 年二季度開始小規(guī)模出貨。 FOPLP，全稱 Fan-Out Panel-Level Packaging，即扇出型面板級封裝，是先進封裝領(lǐng)域目前蓬勃發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。 FOPLP 將封裝基板從最大 12 英寸的圓形晶圓轉(zhuǎn)移到面積更大的矩形面板上。此舉一方面可減少圓形基板帶來的邊角損耗；另一方面可一次實現(xiàn)更大規(guī)模的封裝操作，提高生產(chǎn)效率。

發(fā)表于：7/26/2024

Agile Analog宣布已成功在格芯兩大工藝上提供可定制的模擬IP

Agile Analog宣布已成功在格芯FinFET和FDX FD-SOI工藝上提供可定制的模擬IP

發(fā)表于：7/26/2024

激光制造芯片技術(shù)最新進展介紹

用激光制造芯片，最新進展現(xiàn)代計算機芯片可以構(gòu)建納米級結(jié)構(gòu)。到目前為止，只能在硅晶片頂部形成這種微小結(jié)構(gòu)，但現(xiàn)在一種新技術(shù)可以在表面下的一層中創(chuàng)建納米級結(jié)構(gòu)。該方法的發(fā)明者表示，它在光子學和電子學領(lǐng)域都有著廣闊的應(yīng)用前景，有朝一日，人們可以在整個硅片上制造3D 結(jié)構(gòu)。

發(fā)表于：7/26/2024