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如何培養(yǎng)稀缺的硅IP專業(yè)人員？

Sanjana Velma于2024年8月加入了全球領(lǐng)先的硅知識產(chǎn)權(quán)（IP）開發(fā)商SmartDV Technologies擔(dān)任應(yīng)用工程師，她在這里發(fā)現(xiàn)了硅IP領(lǐng)域內(nèi)的一種真正重視協(xié)作、創(chuàng)造力和創(chuàng)新能力的職場文化。該公司提供了她一直在尋求的一個可以學(xué)習(xí)和成長的環(huán)境，其結(jié)果是她發(fā)現(xiàn)在SmartDV所得到的要比其預(yù)期的多得多。為此，我們將分享Sanjana在SmartDV的成長心得。

發(fā)表于：11/25/2024

TrendForce發(fā)布 “2025十大重點(diǎn)科技領(lǐng)域市場趨勢預(yù)測”

11 月 24 日消息，TrendForce 于本月 21 日發(fā)布“2025 十大重點(diǎn)科技領(lǐng)域市場趨勢預(yù)測”

發(fā)表于：11/25/2024

臺積電近四年累計(jì)獲中美日超158.9億元補(bǔ)貼

11月23日消息，據(jù)臺媒報(bào)道，臺積電積極擴(kuò)大海外布局，今年前三季從美國、日本和中國大陸累計(jì)獲得了160.43億新臺幣的補(bǔ)貼。而2021年以來，累計(jì)獲得超過714.66億新臺幣（約合人民幣158.9億元）的政府補(bǔ)助。臺積電財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，臺積電子公司TSMC Arizona、JASM及臺積電南京等，因分別計(jì)劃于亞利桑那州、熊本和南京當(dāng)?shù)卦O(shè)廠營運(yùn)，取得美國、日本及中國大陸政府補(bǔ)助款，主要用于補(bǔ)貼不動產(chǎn)、廠房及設(shè)備購置成本，以及建造廠房與生產(chǎn)營運(yùn)所產(chǎn)生的部分成本與費(fèi)用。臺積電熊本一廠12月量產(chǎn)，亞利桑那州一廠明年初量產(chǎn)，中國大陸擴(kuò)展28nm產(chǎn)能已經(jīng)完成，臺積電德國德累斯頓晶圓廠也已經(jīng)開建。臺積電日前與美國商務(wù)部簽署正式協(xié)議，美國商務(wù)部將分階段提供66億美元補(bǔ)貼，推動臺積電在亞利桑那州建設(shè)三座晶圓廠。

發(fā)表于：11/25/2024

英偉達(dá)加速認(rèn)證三星HBM內(nèi)存芯片

11月24日綜合報(bào)道，英偉達(dá)CEO黃仁勛近日在接受媒體采訪時(shí)透露，公司正在加速對三星電子的人工智能內(nèi)存芯片——HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）進(jìn)行認(rèn)證。這一消息引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注。

發(fā)表于：11/25/2024

HBM隨著AI需求的飆升愈發(fā)成為首選內(nèi)存

隨著最先進(jìn)的 AI 加速器、圖形處理單元和高性能計(jì)算應(yīng)用程序需要快速處理的數(shù)據(jù)量不斷激增，高帶寬內(nèi)存（HBM）的銷量正在飆升。目前HBM庫存已售罄，這是由于對開發(fā)和改進(jìn) ChatGPT 等大型語言模型的大量努力和投資。HBM 是存儲創(chuàng)建這些模型所需的大量數(shù)據(jù)的首選內(nèi)存，通過添加更多層來提高密度而進(jìn)行的更改，以及 SRAM 縮放的限制，正在火上澆油。 Rambus 高級副總裁兼硅 IP 總經(jīng)理 Neeraj Paliwal 表示：“隨著大型語言模型（LLM）現(xiàn)在超過一萬億個參數(shù)并繼續(xù)增長，克服內(nèi)存帶寬和容量方面的瓶頸對于滿足 AI 訓(xùn)練和推理的實(shí)時(shí)性能要求至關(guān)重要。

發(fā)表于：11/25/2024

消息稱美政府將減少對英特爾資金補(bǔ)貼

11 月 25 日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間 24 日，《紐約時(shí)報(bào)》援引知情人士消息稱，美國拜登政府計(jì)劃減少英特爾公司初步獲得的 85 億美元《芯片和科學(xué)法案》撥款，將撥款金額從今年早些時(shí)候宣布的 85 億美元降至 80 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 579.51 億元人民幣）以下，這一條件的變化考慮到了英特爾公司獲得的一份價(jià)值 30 億美元的合同，該合同將為美國軍方生產(chǎn)芯片。

發(fā)表于：11/25/2024

臺積電宣布2nm已準(zhǔn)備就緒

11月25日消息，據(jù)報(bào)道，臺積電在其歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上宣布，N2P IP已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，所有客戶都可以基于臺積電的2nm節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)2nm芯片。據(jù)悉，臺積電準(zhǔn)備在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16工藝計(jì)劃在2026年末開始投產(chǎn)。

發(fā)表于：11/25/2024

臺積電宣布A16工藝將于2026年量產(chǎn)

臺積電近期在荷蘭阿姆斯特丹舉行的歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）生態(tài)系統(tǒng)論壇上宣布，該公司有望在2026年底量產(chǎn)其A16（1.6nm級）工藝技術(shù)的首批芯片。新的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)采用臺積電的超級電源軌（SPR）背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN），可實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的供電，將所有電源通過芯片背面?zhèn)鬏?，并提高晶體管密度。但是，雖然BSPDN解決了一些問題，但它也帶來了其他挑戰(zhàn)，因此需要額外的設(shè)計(jì)工作。

發(fā)表于：11/25/2024

傳臺積電放緩2026年CoWoS產(chǎn)能擴(kuò)充

11月21日消息，據(jù)臺媒報(bào)道，由于擔(dān)憂特朗普重新執(zhí)掌白宮后所帶來的半導(dǎo)體政策的不確定性，因此近期業(yè)界傳出消息稱，晶圓代工龍頭臺積電已通知海內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，2026年設(shè)備需求及交機(jī)計(jì)劃暫緩，再等候后續(xù)安排。

發(fā)表于：11/22/2024

Yole報(bào)告指出2029年每車半導(dǎo)體含量將增至1000美元

汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模將增至970億美元，電氣化和ADAS推動增長。OEM進(jìn)軍半導(dǎo)體市場，中國廠商興趣濃厚。800V架構(gòu)流行，SiC器件適用。ADAS采用加速，SDV代表汽車設(shè)計(jì)范式轉(zhuǎn)變。

發(fā)表于：11/22/2024

消息稱三星電子將擴(kuò)大蘇州先進(jìn)封裝工廠產(chǎn)能

11 月 21 日消息，據(jù) Business Korea 周二報(bào)道，行業(yè)消息稱三星電子正在擴(kuò)大國內(nèi)外投資，以強(qiáng)化其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)。封裝技術(shù)決定了半導(dǎo)體芯片如何適配目標(biāo)設(shè)備，而對于 HBM4 等下一代高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品，內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此，三星正集中力量提升封裝能力，以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距。

發(fā)表于：11/22/2024

福特汽車宣布將在歐洲裁員4000人

發(fā)表于：11/22/2024

傳NAND Flash大廠鎧俠將于12月中旬上市

11月21日消息，據(jù)日經(jīng)新聞、路透社等外媒報(bào)道，日本NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）預(yù)計(jì)將在今年12月中旬在日本IPO上市，市值預(yù)估為7,500億日元，將遠(yuǎn)低于原先設(shè)定的1.5萬億日元目標(biāo)。

發(fā)表于：11/22/2024

意法半導(dǎo)體宣布40nm MCU交由華虹代工

11月21日消息，歐洲芯片大廠意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三在法國巴黎舉辦投資者日活動，宣布了將與中國第二大晶圓代工廠合作，在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU），以支持其中長期的營收目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：11/21/2024

TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌

據(jù)TrendForce研報(bào)顯示，第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢。

發(fā)表于：11/21/2024