EDA與制造相關(guān)文章 泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0 為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路,泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0 8 月 1 日消息,泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。 發(fā)表于:8/2/2024 Alphawave發(fā)布業(yè)界首顆24Gbps 3nm UCIe半導(dǎo)體芯粒 8 月 1 日消息,Alphawave Semi 公司最新研發(fā)出業(yè)界首款 3nm UCIe 芯粒(chiplet),為采用臺積電 CoWoS 封裝技術(shù)的系統(tǒng)級封裝(system-in-packages,SiP)實(shí)現(xiàn) die-to-die 連接。 發(fā)表于:8/2/2024 中國成韓國半導(dǎo)體最大市場 8月1日消息,2024年1至7月,韓國對華半導(dǎo)體出口額達(dá)到748億美元,約合人民幣5400億元,超過美國成為韓國半導(dǎo)體最大的出口市場。 這一數(shù)據(jù)顯示了中國在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的重要地位,以及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國市場的強(qiáng)勁增長勢頭。 韓國7月份的出口額同比增長13.9%,達(dá)到574.9億美元,連續(xù)10個月實(shí)現(xiàn)同比增長。 發(fā)表于:8/2/2024 一圖讀懂《工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件(2024版)》 一圖讀懂《工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件(2024版)》 發(fā)表于:8/2/2024 傳應(yīng)用材料申請美國芯片法案補(bǔ)貼被拒 據(jù)彭博社報(bào)道,美國商務(wù)部已于當(dāng)?shù)貢r間7月29日拒絕了美國半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)的芯片法案補(bǔ)貼申請,這或?qū)⒂绊憫?yīng)用材料在硅谷建研發(fā)中心的計(jì)劃。 發(fā)表于:8/1/2024 三星計(jì)劃2024Q3量產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品 8 月 1 日消息,韓媒 Business Korea 昨日(7 月 31 日)報(bào)道,在 2024 年第 2 季度財(cái)報(bào)電話會議上,三星公司高管公布:“第五代 8 層 HBM3E 產(chǎn)品目前已交付客戶評估,計(jì)劃 2024 年第 3 季度開始量產(chǎn)”。 發(fā)表于:8/1/2024 消息稱美國8月將升級對華半導(dǎo)體限制 傳美國將升級對華半導(dǎo)體限制:120個中國實(shí)體將被禁,涉及晶圓廠、設(shè)備商、EDA廠商! 發(fā)表于:8/1/2024 美國推遲對中國電動汽車等產(chǎn)品加征關(guān)稅 8 月 1 日消息,美國計(jì)劃對中國進(jìn)口電動汽車征收 100% 關(guān)稅的政策不僅澆滅了極氪、比亞迪等中國車企進(jìn)軍美國市場的熱情,也給美國本土汽車制造商帶來了不小的麻煩,原本計(jì)劃于 2025 年和 2026 年進(jìn)入美國市場的別克 Electra E5 和 E4 車型因關(guān)稅問題被迫擱置。 發(fā)表于:8/1/2024 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù) 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù):寫入速度比競品快99%! 發(fā)表于:8/1/2024 二季度開始Intel每月為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 Intel從二季度開始,每月可為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 發(fā)表于:8/1/2024 消息稱三星電子V9 QLC NAND閃存尚未獲量產(chǎn)就緒許可 7 月 31 日消息,韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道稱,三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可,對平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設(shè)規(guī)劃造成了影響。 三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),對應(yīng)的 QLC 版本則將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。 然而直到現(xiàn)在,三星電子并未對 V9 QLC NAND 閃存下達(dá) PRA(IT之家注:應(yīng)指 Production Readiness Approval)量產(chǎn)就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務(wù)器存儲需求的熱點(diǎn)。 明星產(chǎn)品前景不明,使得三星電子內(nèi)部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音。 發(fā)表于:8/1/2024 消息指SK海力士400+層閃存明年末量產(chǎn)就緒 消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒 發(fā)表于:8/1/2024 消息稱英特爾挖角臺積電工程師 消息稱英特爾挖角臺積電工程師,芯片代工競爭加劇 發(fā)表于:7/31/2024 英特爾俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元 英特爾宣布將俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元! 發(fā)表于:7/31/2024 工信部發(fā)布2024新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法 工信部發(fā)布 2024 新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法,8 月起實(shí)施 發(fā)表于:7/31/2024 ?…66676869707172737475…?