EDA與制造相關(guān)文章 臺(tái)積電背面供電技術(shù)目標(biāo)2026年量產(chǎn) 7月4日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電提出完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）解決方案，不過(guò)實(shí)施起來(lái)復(fù)雜且成本較高，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)。 當(dāng)前，臺(tái)積電所倚重的超級(jí)電軌（Super Power Rail）架構(gòu)，以其卓越的性能與效率，被業(yè)界公認(rèn)為解決高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品復(fù)雜信號(hào)傳輸與密集供電需求的直接且高效途徑。 發(fā)表于：7/5/2024 AMD Zen 6架構(gòu)芯片被曝最早2025年量產(chǎn) 臺(tái)積電 N3E 工藝，AMD Zen 6 架構(gòu)芯片被曝最早 2025 年量產(chǎn) 發(fā)表于：7/5/2024 消息稱蘋(píng)果繼AMD后成為臺(tái)積電SoIC半導(dǎo)體封裝大客戶 簡(jiǎn)要介紹下 CoWoS 和 SoIC 的區(qū)別如下： CoWoS CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是一種 2.5D 的整合生產(chǎn)技術(shù)，由 CoW 和 oS 組合而來(lái)：先將芯片通過(guò) Chip on Wafer（CoW）的封裝制程連接至硅晶圓，再把 CoW 芯片與基板（Substrate）連接，整合成 CoWoS。 SoIC SoIC 于 2018 年 4 月公開(kāi)，是臺(tái)積電基于 CoWoS 與多晶圓堆疊 (WoW) 封裝技術(shù)，開(kāi)發(fā)的新一代創(chuàng)新封裝技術(shù)，這標(biāo)志著臺(tái)積電已具備直接為客戶生產(chǎn) 3D IC 的能力。 發(fā)表于：7/4/2024 AMD與英偉達(dá)AI GPU需求推動(dòng)FOPLP發(fā)展 AMD與英偉達(dá)需求推動(dòng)FOPLP發(fā)展，預(yù)估量產(chǎn)時(shí)間落在2027-2028年 發(fā)表于：7/4/2024 美國(guó)商務(wù)部今年已撤銷(xiāo)了8張對(duì)華為出口許可證 美國(guó)商務(wù)部：今年已撤銷(xiāo)了8張對(duì)華為出口許可證！ 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱三星電子將為移動(dòng)處理器引入HPB冷卻技術(shù) 消息稱三星電子將為移動(dòng)處理器引入 HPB 冷卻技術(shù)，有望率先用于 Exynos 2500 7 月 3 日消息，韓媒 The Elec 報(bào)道稱，三星電子 AVP 先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)目標(biāo)在今年四季度完成一項(xiàng)名為 FOWLP-HPB 的移動(dòng)處理器用封裝技術(shù)的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)準(zhǔn)備。 發(fā)表于：7/4/2024 （更新：三星否認(rèn)）消息稱三星HBM內(nèi)存芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試 消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，將開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn) 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱英特爾將為L(zhǎng)GA1851平臺(tái)提供可選RL-ILM 消息稱英特爾將為 LGA1851 平臺(tái)提供可選 RL-ILM，解決 CPU 頂蓋彎曲問(wèn)題 發(fā)表于：7/4/2024 鎧俠產(chǎn)能利用率已回升至100% 本月將量產(chǎn)218層NAND Flash 鎧俠產(chǎn)能利用率已回升至100%，本月將量產(chǎn)218層NAND Flash 發(fā)表于：7/4/2024 面臨90000名半導(dǎo)體人才缺口，美國(guó)又通過(guò)一項(xiàng)勞動(dòng)力發(fā)展計(jì)劃 面臨90000名半導(dǎo)體人才缺口，美國(guó)又通過(guò)一項(xiàng)勞動(dòng)力發(fā)展計(jì)劃 發(fā)表于：7/3/2024 巴西子公司Zilia開(kāi)始生產(chǎn)江波龍存儲(chǔ)產(chǎn)品 巴西子公司Zilia開(kāi)始生產(chǎn)江波龍存儲(chǔ)產(chǎn)品，并宣布8.59億元投資計(jì)劃 發(fā)表于：7/3/2024 消息稱三星電子正研發(fā)3.3D先進(jìn)封裝技術(shù) 消息稱三星電子正研發(fā)“3.3D先進(jìn)封裝技術(shù)，目標(biāo) 2026 年二季度量產(chǎn) 發(fā)表于：7/3/2024 臺(tái)積電3nm/5nm工藝計(jì)劃明年漲價(jià) 臺(tái)積電3nm/5nm要漲價(jià)：廠商壓力山大 最終用戶買(mǎi)單 發(fā)表于：7/3/2024 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 發(fā)表于：7/3/2024 廣州增芯科技12英寸晶圓制造產(chǎn)線投產(chǎn) 增芯科技12英寸晶圓制造產(chǎn)線投產(chǎn) 發(fā)表于：7/3/2024 ?…73747576777879808182…?
