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新品快遞

Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保护的共模滤波器

Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保护的共模滤波器

2020年9月29日：半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C，这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准，能够轻松通过眼图测试。

發(fā)表于：2020/9/29 上午8:40:52

赛昉科技重磅发布全球首款基于RISC-V人工智能视觉处理平台：惊鸿7100

赛昉科技重磅发布全球首款基于RISC-V人工智能视觉处理平台：惊鸿7100

该平台是全球首款基于RISC-V集深度学习、图像处理、语音识别、机器视觉为一体的多功能平台，由赛昉科技独立自主开发，可广泛应用于自动驾驶、智能无人机、公共安全、交通管理、智能家电、视觉扫地机器人、工业机器人等智能应用领域。“惊鸿7100”的出现，标志着RISC-V在智能音视频生态系统，取得了跨越式的迈进。

發(fā)表于：2020/9/29 上午8:00:00

低功耗、低电压传感器——MLX 92214了解一下

低功耗、低电压传感器——MLX 92214了解一下

　　前段时间，全球微电子工程公司（Melexis ）正式推出了一款全新的霍尔效应锁存器—— IC MLX 92214。该传感器可以十分有效的简化设计并且确保稳定的磁特性。

發(fā)表于：2020/9/28 下午5:14:00

Melexis 推出可靠的高性能通用型霍尔效应锁存器IC，面向成本敏感型应用

Melexis 推出可靠的高性能通用型霍尔效应锁存器IC，面向成本敏感型应用

2020 年 9 月 25 日，比利时泰森德洛 - 全球微电子工程公司 Melexis 宣布，推出可靠的霍尔效应锁存器 IC MLX 92214，可简化设计并确保稳定的磁特性。该器件面向电动工具、个人电脑、服务器和家用电器等成本敏感型应用。

發(fā)表于：2020/9/27 下午5:15:00

意法半导体发布面向节能型楼宇自动化的KNX-RF软件

意法半导体发布面向节能型楼宇自动化的KNX-RF软件

中国，2020年9月27日——意法半导体发布与S2-LP超低功耗射频收发器配合使用的KNX软件，让智能楼宇的节能控制具有标准化的无线通信功能。

發(fā)表于：2020/9/27 下午5:06:16

Melexis推出可靠的高性能通用型霍尔效应锁存器IC，面向成本敏感型应用

Melexis推出可靠的高性能通用型霍尔效应锁存器IC，面向成本敏感型应用

2020 年 9 月 25 日,比利时泰森德洛 - 全球微电子工程公司 Melexis 宣布,推出可靠的霍尔效应锁存器 IC MLX 92214,可简化设计并确保稳定的磁特性。该器件面向电动工具、个人电脑、服务器和家用电器等成本敏感型应用。

發(fā)表于：2020/9/26 下午10:10:00

碳基计算机时代来临，首个完全碳基的晶体管金属线被成功制造

碳基计算机时代来临，首个完全碳基的晶体管金属线被成功制造

当前智能手机、电脑登电子设备已成为人们生活中不可或缺的一部分,更高的运行速度、更加持久的用电量一直是我们追求的目标,如何实现这些更优的性能,离不开晶体管研究领域的技术突破。

發(fā)表于：2020/9/26 下午9:35:53

理想第二款车将首发英伟达最新自动驾驶芯片

理想第二款车将首发英伟达最新自动驾驶芯片

未来十年，汽车上发展速度最快，也是最核心的部件，将不再是发动机，而是自动驾驶芯片。

發(fā)表于：2020/9/25 上午5:40:00

TT Electronics 推出新系列的高可靠性抗硫化薄膜芯片电阻器

TT Electronics 推出新系列的高可靠性抗硫化薄膜芯片电阻器

英国沃金，2020 年 9 月 23 日 - 全球关键性能应用工程电子产品供应商 TT Electronics 今日宣布推出 APC 系列电阻器，其高可靠性表面安装电阻器系列已被证明可用于含硫气体环境中。APC 电阻器具有高稳定性和高精度，针对部署在受污染环境中的高精度模拟电路进行了优化，其烟雾中的硫化合物可能会与标准器件电极中的金属发生反应。经过严格的抗硫标准验证，APC 电阻器旨在减少要求苛刻的汽车、工业和仪器应用中的故障，例如汽车电池管理、道路监控、车辆维护设备、工业过程控制、便携式测试和测量以及橡胶、葡萄酒、石化产品和废料加工等。

發(fā)表于：2020/9/23 下午3:48:00

Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平，提高系统功率密度且节省能源

Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平，提高系统功率密度且节省能源

宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。

發(fā)表于：2020/9/23 上午11:37:00