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SK海力士將1c DRAM制造引入六層EUV工藝

2025-08-12
來源:芯智訊
關(guān)鍵詞: SK海力士 DRAM EUV HBM 光刻

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8月11日消息,據(jù)韓國媒體ZDNet報道,SK 海力士在 1c DRAM 制造方面取得重大進展,首次使用了6層EUV光刻,這將使 DDR5 和 HBM 產(chǎn)品的性能和良率更上一層樓,并使該公司成為該領(lǐng)域的領(lǐng)導者。

報道稱,10nm級的DRAM已經(jīng)開始引入了EUV光刻技術(shù),但通常只有很少的關(guān)鍵層數(shù)應(yīng)用,絕大部分依然是DUV光刻。但是,SK海力士在其1c制程DRAM制造上,首次升級到了6層EUV光刻,這將有助于提升產(chǎn)品的性能和良率,使得SK海力士能夠推出存儲位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5內(nèi)存以及更高容量的HBM堆棧。此前的傳聞顯示,SK海力士的 1c DRAM 已經(jīng)實現(xiàn)了 80%-90% 的良率。

雖然,目前SK海力士的1c DRAM尚未應(yīng)用于任何傳統(tǒng)的消費類內(nèi)存解決方案,但 SK 海力士正在探索各種選擇,我們很可能會看到更大容量的 DDR5和HBM。預計SK海力士將會在 1d 和 0a DRAM 等下一代產(chǎn)品上更多的使用EUV光刻,最終將為使用更先進的High NA EUV奠定基礎(chǔ)。


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