經(jīng)歷多次挫折后，三星電子的12層HBM3E高寬帶存儲(chǔ)芯片終于獲得算力巨頭英偉達(dá)的首肯。

據(jù)知情人士透露，三星的第五代12層HBM3E近期剛通過(guò)英偉達(dá)的資格測(cè)試。這一批準(zhǔn)距離三星完成芯片開(kāi)發(fā)已有18個(gè)月之久，期間的數(shù)次測(cè)試均未能滿足英偉達(dá)苛刻的性能要求。

技術(shù)資料顯示，英偉達(dá)的旗艦B300人工智能加速器，以及AMD的MI350等系統(tǒng)均部署這種大容量存儲(chǔ)芯片。三星此前已經(jīng)向AMD出貨該芯片，但一直卡在英偉達(dá)的供應(yīng)商門檻前。因此，這一認(rèn)證也有恢復(fù)三星技術(shù)信譽(yù)的重要作用。

業(yè)內(nèi)人士透露，這一成就很大程度上歸功于三星電子芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人全永賢年初拍板重新設(shè)計(jì)HBM3E的DRAM核心，解決了早期版本的熱性能問(wèn)題。

但由于三星是SK海力士、美光科技后第3家獲得批準(zhǔn)的供應(yīng)商，消息人士稱英偉達(dá)的訂單量仍會(huì)相對(duì)較少。因此一位業(yè)界高管評(píng)價(jià)稱：“供貨英偉達(dá)對(duì)于三星而言，更多是關(guān)乎自豪感，而非營(yíng)收。得到英偉達(dá)的認(rèn)可意味著其技術(shù)已重回正軌?！?/p>

三星HBM4逆襲成功：祭出頂級(jí)1c工藝 性能暴漲37%

前不久SK海力士宣布全球首發(fā)量產(chǎn)HBM4，但他們使用的還是第五代10nm級(jí)工藝1b，三星直接把最先進(jìn)工藝用于HBM4了，在平澤的P5工廠直接上馬了第六代10nm級(jí)DRAM工藝——1c工藝。

憑借1c工藝以及4nm邏輯工藝上的積累，三星將HBM4的頻率做到了11Gbps，這意味著它比標(biāo)準(zhǔn)版HBM4的8Gbps性能提升了37.5%。

NVIDIA為了對(duì)抗AMD明年的MI450系列AI顯卡，正在要求供應(yīng)商將HBM4的頻率提升到10Gbps，三星率先做到11Gbps，顯然有助于他們獲得NVIDIA的訂單。

現(xiàn)在三星算是在技術(shù)上先逆襲了，不過(guò)最終能不能拿下NVIDIA及AMD的訂單，還得看后續(xù)，包括產(chǎn)能及定價(jià)。

誰(shuí)將引領(lǐng)HBM4供應(yīng)？

從目前的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)來(lái)看，SK海力士因其穩(wěn)定的量產(chǎn)能力和與英偉達(dá)深厚的合作歷史，仍處于相對(duì)有利的位置。而三星則需在技術(shù)推進(jìn)和產(chǎn)能保障兩方面同時(shí)發(fā)力，才有可能在HBM4時(shí)代實(shí)現(xiàn)更顯著的市場(chǎng)突破。這一動(dòng)態(tài)也反映出HBM行業(yè)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)正逐漸從堆疊層數(shù)和容量擴(kuò)展，轉(zhuǎn)向制程精度、信號(hào)速率及整體能效的全面提升。

HBM4的市場(chǎng)格局尚未最終確定，供應(yīng)商之間的技術(shù)較量與戰(zhàn)略合作仍將持續(xù)。未來(lái)幾個(gè)季度中，英偉達(dá)的決策、AMD產(chǎn)品的市場(chǎng)表現(xiàn)以及全球AI加速器需求的變化，都將深刻影響HBM4供應(yīng)鏈的權(quán)力分配。無(wú)論結(jié)果如何，行業(yè)技術(shù)的整體進(jìn)步與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的白熱化，最終將推動(dòng)高帶寬內(nèi)存向更高性能、更優(yōu)成本的方向發(fā)展。