工業(yè)自動(dòng)化最新文章 Rapidus 2nm半導(dǎo)體與西門子達(dá)成合作 6 月 24 日消息，日本先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體制造商 Rapidus 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布同西門子數(shù)字化工業(yè)軟件就 2nm 世代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造工藝達(dá)成戰(zhàn)略合作。 發(fā)表于：6/25/2025 2024年全球MEMS市場收入達(dá)154億美元 6月24日消息，據(jù)研究機(jī)構(gòu)Yole Group最新公布的報(bào)告《2025 年 MEMS 行業(yè)現(xiàn)狀》顯示，在經(jīng)歷了2023年的供應(yīng)過剩之后，2024年全球 MEMS 收入為 154 億美元，同比增長 5%，出貨量達(dá)到了 310 億顆。預(yù)計(jì)到 2030 年，MEMS 市場將達(dá)到 192 億美元，從 2024 年到 2030 年的復(fù)合年增長率將達(dá)到 3.7%。 發(fā)表于：6/25/2025 西門子推出面向半導(dǎo)體和PCB設(shè)計(jì)的全新EDA AI工具集 西門子推出面向半導(dǎo)體和PCB設(shè)計(jì)的全新EDA AI工具集 發(fā)表于：6/25/2025 谷歌DeepMind機(jī)器人AI模型實(shí)現(xiàn)本地化運(yùn)行 谷歌 DeepMind 今日發(fā)布博客文章，宣布推出一種全新的 Gemini Robotics On-Device 本地化機(jī)器人AI模型。 該模型基于視覺-語言-動(dòng)作（VLA）架構(gòu)，無需云端支持即可實(shí)現(xiàn)實(shí)體機(jī)器人控制。核心特性包括： 發(fā)表于：6/25/2025 蔡司打造全鏈智聯(lián)解決方案 解碼多元行業(yè)質(zhì)控路徑 在"質(zhì)量強(qiáng)國"戰(zhàn)略的引領(lǐng)下，中國工業(yè)正加速從制造向智造與質(zhì)造跨越式發(fā)展。工業(yè)質(zhì)量管控體系隨之迎來關(guān)鍵轉(zhuǎn)型，從局部優(yōu)化邁向全域賦能，從單點(diǎn)突破轉(zhuǎn)向全鏈協(xié)同。 發(fā)表于：6/24/2025 意法半導(dǎo)體推出新款柵極驅(qū)動(dòng)器 2025 年 6 月 23 日，中國——意法半導(dǎo)體推出新一代集成化柵極驅(qū)動(dòng)器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無刷電機(jī)，提高消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的性能、能效和經(jīng)濟(jì)性。 發(fā)表于：6/24/2025 英特爾再次因財(cái)務(wù)問題推遲俄亥俄州晶圓廠 6月23日消息，據(jù)外媒 NBC4i 報(bào)道稱，由于財(cái)務(wù)問題，英特爾已經(jīng)多次推遲了其在俄亥俄州晶圓廠（曾被稱為 Silicon Heartland）的建設(shè)和設(shè)備采購，現(xiàn)在的量產(chǎn)時(shí)間表已經(jīng)推遲到了2031年，但這將使得英特爾的供應(yīng)商——美國電力 （AEP） 在俄亥俄州的變電站將持續(xù)閑置。 發(fā)表于：6/24/2025 曝三星1.4nm推遲至2028年 6月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星原定于今年第二季度動(dòng)工的1.4nm測試線建設(shè)計(jì)劃已被推遲，預(yù)計(jì)投資將延后至今年年底或最早明年上半年。 發(fā)表于：6/24/2025 富士通2nm CPU仍交由臺(tái)積電代工 6月24日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本富士通（Fujitsu）目前正研發(fā)2nm CPU “MONAKA”，預(yù)計(jì)將交由臺(tái)積電代工生產(chǎn)。不過，富士通也表示，日本初創(chuàng)晶圓代工企業(yè)Rapidus 對(duì)于確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定性來說非常有用。 據(jù)了解，富士通Monaka是一款面向數(shù)據(jù)中心的處理器，采用基于臺(tái)積電的CoWoS-L封裝技術(shù)的博通3.5D XDSiP技術(shù)平臺(tái)，擁有36個(gè)計(jì)算小芯片。其中主要的CPU計(jì)算核心基于Armv9指令集，擁有144個(gè)CPU內(nèi)核，采用臺(tái)積電2nm制程制造，并使用混合銅鍵合 （HCB） 以面對(duì)面 （F2F） 方式堆疊在 SRAM tiles 上（本質(zhì)上是巨大的緩存）。SRAM tiles是基于臺(tái)積電的5nm工藝制造的。計(jì)算和緩存堆棧伴隨著一個(gè)相對(duì)巨大的 I/O 芯片，該芯片集成了內(nèi)存控制器、頂部帶有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以連接加速器和擴(kuò)展器，以及人們期望從數(shù)據(jù)中心級(jí) CPU 獲得的其他接口。 發(fā)表于：6/24/2025 2026年約1/3手機(jī)芯片采用2nm/3nm先進(jìn)工藝 CounterPoint 預(yù)測 2026 年約 1/3 出貨手機(jī)芯片采用 2nm / 3nm 先進(jìn)工藝 發(fā)表于：6/24/2025 阿里云推出自動(dòng)駕駛模型加速框架PAI-TurboX 訓(xùn)練時(shí)間可縮短 50%，阿里云推出自動(dòng)駕駛模型加速框架 PAI-TurboX 發(fā)表于：6/24/2025 西門子宣布計(jì)劃在重慶建立創(chuàng)新研發(fā)中心 6 月 23 日消息，西門子中國今日發(fā)文，當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 19 日，重慶市委書記袁家軍與中國駐德國大使鄧洪波一行，到訪西門子總部（柏林），并與西門子董事會(huì)主席、總裁兼首席執(zhí)行官博樂（Roland Busch）、西門子中國董事長、總裁兼首席執(zhí)行官肖松等管理層進(jìn)行會(huì)談。雙方圍繞中德產(chǎn)業(yè)共創(chuàng)共贏、西門子與重慶戰(zhàn)略合作深化、創(chuàng)新能力共建等話題進(jìn)行了深入交流。 發(fā)表于：6/24/2025 瑞薩電子因Wolfspeed破產(chǎn)將認(rèn)列2500億日元損失 由于碳化硅（SiC）材料大廠Wolfspeed 可能將在近期內(nèi)申請破產(chǎn)，6月23日，曾與Wolfspeed達(dá)成碳化硅供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子，已與 Wolfspeed及其主要債權(quán)人簽署重組支持協(xié)議（以下簡稱“重組支持協(xié)議”），以對(duì) Wolfspeed 進(jìn)行財(cái)務(wù)重組。瑞薩預(yù)計(jì)將認(rèn)列2500億日元損失。 發(fā)表于：6/24/2025 中國科學(xué)院雙向高導(dǎo)熱石墨膜研究獲突破 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所：雙向高導(dǎo)熱石墨膜研究獲突破，為 5G芯片、功率半導(dǎo)體熱管理提供技術(shù)支撐 6 月 23 日消息，近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所聯(lián)合寧波大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在《Advanced Functional Materials》發(fā)表研究，提出以芳綸膜為前驅(qū)體通過高溫石墨化工藝制備低缺陷、大晶粒、高取向的雙向高導(dǎo)熱石墨膜，在膜厚度達(dá)到 40 微米的情況下實(shí)現(xiàn)面內(nèi)熱導(dǎo)率 Kin 達(dá)到 1754W/m·K，面外熱導(dǎo)率 Kout 突破 14.2W/m·K。與傳統(tǒng)導(dǎo)熱膜相比，雙向高導(dǎo)熱石墨膜在面內(nèi)和面外熱導(dǎo)率及缺陷控制上均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。 發(fā)表于：6/23/2025 英特爾公布18A工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié) 6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規(guī)模集成電路技術(shù)與電路研討會(huì)（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)。 發(fā)表于：6/23/2025 ?…18192021222324252627…?
