EDA與制造相關(guān)文章 英特爾官網(wǎng)披露Intel 3 工藝節(jié)點技術(shù)細節(jié) 英特爾詳解Intel 3工藝:應用更多EUV光刻,同功耗頻率提升至多18% 發(fā)表于:6/20/2024 臺積電南京工廠擴產(chǎn)16/28nm芯片 獲美國無限豁免!臺積電南京擴產(chǎn)16/28nm芯片,打壓中國芯? 發(fā)表于:6/20/2024 消息稱美光正在全球擴張HBM內(nèi)存產(chǎn)能 目標相關(guān)領(lǐng)域市占看齊整體 DRAM,消息稱美光正全球擴張 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能 發(fā)表于:6/20/2024 三星電子存儲部門宣布進行重組 三星電子存儲半導體領(lǐng)導宣布下半年重組。這次會議是在新任設(shè)備解決方案(DS)部門負責人全永鉉上任后舉行的,標志著公司可能在高帶寬內(nèi)存(HBM)等核心業(yè)務上尋求新的突破。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士19日透露,三星電子存儲部門前一天召開了會議。存儲部門總經(jīng)理兼總裁Jungbae Lee主持了會議,該部門的主要高管出席了會議。 發(fā)表于:6/20/2024 Intel 3制程已大批量生產(chǎn) 6月20日消息,據(jù)Tom's hard ware報道,當?shù)貢r間周三,處理器大廠英特爾宣布其 3nm 級制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個工廠投入大批量生產(chǎn),并提供了有關(guān)新的制程節(jié)點更多細節(jié)信息。 據(jù)介紹,Intel 3 帶來了更高的性能和更高的晶體管密度,并支持 1.2V 電壓,相比Intel 4 帶來了18%的性能提升,適用于超高性能應用。該節(jié)點面向英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來幾年內(nèi)還將會推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多個演進版本。 發(fā)表于:6/20/2024 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺積電代工 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺積電代工!3nm、6nm的組合 發(fā)表于:6/20/2024 臺積電南京已獲美國商務部VEU授權(quán) 臺積電南京已獲美國商務部VEU授權(quán) 發(fā)表于:6/19/2024 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 發(fā)表于:6/19/2024 三井化學宣布量產(chǎn)新一代CNT光刻薄膜 日本三井化學宣布量產(chǎn)新一代 CNT 光刻薄膜,支持 ASML 新一代光刻機 發(fā)表于:6/19/2024 HBM訂單2025年已預訂一空 據(jù)臺灣電子時報,存儲芯片供應鏈透露,上游存儲原廠HBM訂單2025年預訂一空,訂單能見度可達2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄,2025年訂單也接近滿載,估計合計供應給英偉達的HBM月產(chǎn)能約當6萬多片。 發(fā)表于:6/19/2024 新華三與富士康合作在馬來西亞建設(shè)其首個海外工廠 新華三與富士康合作,在馬來西亞建設(shè)其首個海外工廠 發(fā)表于:6/19/2024 環(huán)球晶圓意大利12英寸晶圓廠將獲1.03億歐元補貼 環(huán)球晶圓意大利12英寸晶圓廠將獲1.03億歐元補貼 發(fā)表于:6/19/2024 士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目開工 總投資120億元,士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目開工 發(fā)表于:6/19/2024 三星宣布與Synposys合作優(yōu)化2nm芯片 三星宣布與Synposys合作優(yōu)化2nm芯片:明年量產(chǎn) 發(fā)表于:6/18/2024 美國將全面禁售大疆無人機 美國眾議院通過“無人機法案”,將全面禁售大疆無人機 發(fā)表于:6/18/2024 ?…101102103104105106107108109110…?