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EDA與制造相關(guān)文章

高塔半導(dǎo)體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠

高塔半導(dǎo)體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠

發(fā)表于：2/11/2024

臺(tái)積電增資日本：將投資52億美元建設(shè)第二座晶圓廠

臺(tái)積電日前宣布在日本熊本建設(shè)第二座晶圓廠，核準(zhǔn)以不超過(guò)52.62億美元的額度增資日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造公司（JASM）。

發(fā)表于：2/11/2024

中芯國(guó)際披露手機(jī)創(chuàng)新急單：暗指華為麒麟9000S

中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上表示，2023年第三季度，智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈更新?lián)Q代，一些有創(chuàng)新的產(chǎn)品公司得到了機(jī)會(huì)，啟動(dòng)急單，開(kāi)始企穩(wěn)回升。趙海軍并未明確提及是哪家公司、哪款產(chǎn)品，但大家都知道，去年第三季度，華為沒(méi)有任何征兆地發(fā)布了劃時(shí)代的Mate 60系列，配備麒麟9000S處理器…… 背后的故事，就不用多說(shuō)了。

發(fā)表于：2/8/2024

SK 海力士與臺(tái)積電建立AI芯片聯(lián)盟

SK 海力士與臺(tái)積電建立 AI 芯片聯(lián)盟合作開(kāi)發(fā) HBM4

發(fā)表于：2/8/2024

Intel 18A工藝拿下大單：代工64核心Arm處理器

芯片設(shè)計(jì)企業(yè)Faraday Technology宣布計(jì)劃開(kāi)發(fā)全球首款基于Arm Neoverse架構(gòu)的64核心處理器，預(yù)計(jì)2025年上半年完成，并采用Intel 18A工藝制造。

發(fā)表于：2/6/2024

韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品今年出口額預(yù)計(jì)低于1000億美元

在價(jià)格上漲、人工智能領(lǐng)域需求增加、主要廠商新推出智能手機(jī)大量出貨的推動(dòng)下，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況近幾個(gè)月在好轉(zhuǎn)，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品的出口額在 11 月份也時(shí)隔 15 個(gè)月再次同比上漲。

發(fā)表于：2/6/2024

vivo與諾基亞簽署5G專利交叉許可協(xié)議

2 月 5 日消息，今日，vivo 宣布與諾基亞達(dá)成全球?qū)＠徊嬖S可協(xié)議，該協(xié)議涵蓋雙方在 5G 和其他蜂窩通信技術(shù)方面的標(biāo)準(zhǔn)必要專利。諾基亞在聲明中指出，“該協(xié)議解決了雙方在所有司法管轄區(qū)的所有待處理專利訴訟。根據(jù)雙方商定的協(xié)議，協(xié)議條款仍將保密”。

發(fā)表于：2/6/2024

2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響！三星2nm時(shí)間表公布

據(jù)媒體報(bào)道，三星計(jì)劃明年在韓國(guó)開(kāi)始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國(guó)投資500萬(wàn)億韓元，建立一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠，將進(jìn)行2nm制造。據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹? 作為三星最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié)，臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái)，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。

發(fā)表于：2/5/2024

3nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)：傳三星良率0% 臺(tái)積電卻已大賺211億

據(jù)韓媒報(bào)道，三星 3nm 工藝存在重大問(wèn)題，試產(chǎn)芯片均存在缺陷，良品率 0%。報(bào)道還指出，由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過(guò)質(zhì)量測(cè)試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無(wú)法量產(chǎn)。當(dāng)三星的 3nm 工藝還被困于良率難自解時(shí)，臺(tái)積電的 3nm 工藝已經(jīng)可以養(yǎng)家了。臺(tái)積電方面表示，2023 年第四季度的營(yíng)收得益于 3nm 工藝產(chǎn)量的持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。在 3nm 先進(jìn)制程工藝上，三星暫時(shí)做不到遙遙領(lǐng)先。

發(fā)表于：2/5/2024

華為公開(kāi)“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利

華為公開(kāi)“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利

發(fā)表于：2/5/2024

蘋(píng)果已完成70萬(wàn)公里自動(dòng)駕駛汽車測(cè)試

蘋(píng)果的神秘汽車項(xiàng)目已經(jīng)悄悄進(jìn)行了六年，外界對(duì)其進(jìn)展幾乎一無(wú)所知。不過(guò)，最近蘋(píng)果向加州一家機(jī)構(gòu)提交的記錄揭示了自動(dòng)駕駛項(xiàng)目的最新動(dòng)態(tài)。數(shù)據(jù)顯示， 2023年，蘋(píng)果在公共道路上的自動(dòng)駕駛測(cè)試?yán)锍碳s72萬(wàn)公里，幾乎較2022年增加了三倍，比2021年更是增加了30多倍。

發(fā)表于：2/5/2024

ASML：High-NA EUV光刻仍是未來(lái)最經(jīng)濟(jì)選擇

ASML 首席財(cái)務(wù)官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當(dāng)?shù)孛襟w Bits&Chips 的采訪。在采訪中，Dassen 回應(yīng)了分析機(jī)構(gòu) SemiAnalysis 的質(zhì)疑，表示 High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機(jī)仍是未來(lái)最經(jīng)濟(jì)的選擇。

發(fā)表于：2/4/2024

1c納米內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)：三星計(jì)劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料

根據(jù)韓媒 The Elec 的報(bào)道，DRAM 內(nèi)存巨頭三星和美光均將在下一個(gè)內(nèi)存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術(shù)。 IT 之家注：1c nm 世代即第六個(gè) 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進(jìn)的內(nèi)存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級(jí)工藝。分析機(jī)構(gòu) TechInsights 高級(jí)副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場(chǎng)研討會(huì)上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點(diǎn)率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內(nèi)存的字線和位線中。鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應(yīng)用的鎢（W）更低，可進(jìn)一步壓縮 DRAM 線寬。不過(guò)釕也存在自身的問(wèn)題：其在工藝中會(huì)反應(yīng)生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護(hù)工作帶來(lái)新的麻煩。Choi Jeong-dong 認(rèn)為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個(gè)世代引入這兩種金屬。

發(fā)表于：2/4/2024

三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗

根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。

發(fā)表于：2/4/2024

美加企業(yè)合作開(kāi)發(fā)移動(dòng)核電廠

2月1日消息，據(jù)媒體報(bào)道，美國(guó)西屋公司（Westinghouse）和加拿大Prodigy公司正在合作開(kāi)發(fā)基于西屋5000千瓦熱管微堆eVinci的移動(dòng)核電廠。據(jù)了解，兩家公司自2019年以來(lái)一直在合作評(píng)估eVinci的部署模式。在2019—2020年一家跨國(guó)礦業(yè)公司資助的研究中，Prodigy評(píng)估是否能將eVinci部署到海岸設(shè)施中，用于為偏遠(yuǎn)的礦山供電。 Prodigy公司專注于將商用小型模塊堆集成到海上電廠系統(tǒng)，用于沿海發(fā)電，與陸上相比，海上建造小型模塊堆電站具有成本更低和工期更短的優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：2/1/2024