三星電機(jī)已關(guān)停昆山工廠退出HDI業(yè)務(wù)

2 月 24 日消息，據(jù)韓聯(lián)社，三星電機(jī)今日發(fā)布的 2024 年審計(jì)報(bào)告顯示，三星已于去年底完成 15 年歷史的昆山三星電機(jī)有限公司清算工作，正式退出高密度互連（HDI）智能手機(jī)主板業(yè)務(wù)。 國(guó)家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)的記錄也證實(shí)了這一變化，顯示昆山三星電機(jī)有限公司的企業(yè)狀態(tài)在去年 10 月 24 日由存續(xù)變更為注銷(xiāo)，注銷(xiāo)原因?yàn)闆Q議解散。

發(fā)表于：2/25/2025

合見(jiàn)工軟成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)首個(gè)跨工藝UCIe IP互連

2025年2月24日——中國(guó)數(shù)字EDA龍頭企業(yè)上海合見(jiàn)工業(yè)軟件集團(tuán)有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“合見(jiàn)工軟”）今日宣布，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)首個(gè)跨工藝節(jié)點(diǎn)的UCIe IP互連技術(shù)驗(yàn)證，在采用臺(tái)積電N6和三星SF5工藝制造的UCIe測(cè)試芯片之間成功完成互操作性測(cè)試，在Die-to-Die (D2D) 場(chǎng)景下支持高達(dá)24GT/s的數(shù)據(jù)傳輸，并進(jìn)一步突破實(shí)現(xiàn)了Chip-to-Chip (C2C)互連應(yīng)用，達(dá)到16GT/s的穩(wěn)定數(shù)據(jù)互操作測(cè)試。

發(fā)表于：2/25/2025

臺(tái)積電今年超70%先進(jìn)封裝產(chǎn)能被英偉達(dá)包下

2月24日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱(chēng)，近日業(yè)界傳出消息，英偉達(dá)（NVIDIA）最新Blackwell構(gòu)架GPU芯片需求強(qiáng)勁，已包下臺(tái)積電今年超過(guò)70%的CoWoS-L先進(jìn)封裝產(chǎn)能，出貨量以每季環(huán)比增長(zhǎng)20%以上逐季沖高，助力臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)熱轉(zhuǎn)。

發(fā)表于：2/24/2025

臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)2nm制程將如期在下半年量產(chǎn)

2 月 23 日消息，中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》昨晚報(bào)道稱(chēng)，業(yè)界消息稱(chēng)臺(tái)積電 2nm 制程月產(chǎn)今年底前有望達(dá)到 5 萬(wàn)片，甚至有機(jī)會(huì)邁上 8 萬(wàn)片。 臺(tái)積電對(duì)此不予評(píng)論，僅強(qiáng)調(diào) 2nm 制程技術(shù)進(jìn)展良好，將如期在今年下半年量產(chǎn)。

發(fā)表于：2/24/2025

Intel 18A工藝正式開(kāi)放代工

2月23日消息，Intel官方網(wǎng)站悄然更新了對(duì)于18A(1.8nm級(jí))工藝節(jié)點(diǎn)的描述，稱(chēng)已經(jīng)做好了迎接客戶(hù)項(xiàng)目的準(zhǔn)備，將在今年上半年開(kāi)始流片，有需求的客戶(hù)可以隨時(shí)聯(lián)系。 Intel宣稱(chēng)，這是在北美地區(qū)率先量產(chǎn)的2nm以下工藝節(jié)點(diǎn)，已經(jīng)有多達(dá)35家行業(yè)生態(tài)伙伴，涵蓋EDA芯片設(shè)計(jì)工具、IP知識(shí)產(chǎn)權(quán)、設(shè)計(jì)服務(wù)、云服務(wù)、航空國(guó)防等各個(gè)領(lǐng)域。

發(fā)表于：2/24/2025

三星量產(chǎn)Exynos 2500良率仍低于50%

2月22日消息，據(jù)外媒Thebell報(bào)道，三星電子已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)新一代旗艦移動(dòng)處理器Exynos 2500，晶圓測(cè)試最早將于 3 月開(kāi)始，可能將首發(fā)于三星今年下半年發(fā)布的入門(mén)級(jí)折疊屏新機(jī)Galaxy Z Flip FE。但由于3nm GAA 良率低的問(wèn)題依然存在，因此目前無(wú)法擴(kuò)大規(guī)模，初期的產(chǎn)能只有每月5000片。

發(fā)表于：2/24/2025

AMD擬40億美元出售服務(wù)器制造工廠

2月23日消息，根據(jù)彭博資訊引述知情人士說(shuō)法報(bào)道稱(chēng)，處理器大廠AMD有意出售此前收購(gòu)的ZT Systems公司旗下的服務(wù)器制造工廠，目前正與一些臺(tái)系服務(wù)器代工廠洽談中，包括仁寶、英業(yè)達(dá)、和碩、緯創(chuàng)在內(nèi)，都已表達(dá)有收購(gòu)意愿。

發(fā)表于：2/24/2025

三星將LPDDR5速率提高到12.7Gb/s

2月22日消息，三星電子近日在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 （ISSCC） 上引入了 LPDDR5 規(guī)范的另一項(xiàng)擴(kuò)展，將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 12,700 Mb/s （12.7 Gb/s），成為了全球速度最快的 LPDDR5 DRAM。為了提高速度，三星在其 DRAM 芯片（稱(chēng)為 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM）中添加四相自校準(zhǔn)和交流耦合收發(fā)器均衡等技術(shù)。

發(fā)表于：2/24/2025

Silicon Labs獲得德克薩斯州2300萬(wàn)美元補(bǔ)貼

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2025年2月19日，互聯(lián)安全及智能無(wú)線(xiàn)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs宣布，其已獲得由《德克薩斯州芯片法案》設(shè)立的德克薩斯半導(dǎo)體創(chuàng)新基金 （TSIF） 提供的 2300 萬(wàn)美元補(bǔ)貼，將支持其在奧斯汀建立新的研發(fā) （R?&D） 實(shí)驗(yàn)室，幫助創(chuàng)造和維持當(dāng)?shù)鼐蜆I(yè)機(jī)會(huì)，并加強(qiáng) Silicon Labs 對(duì)維護(hù)德克薩斯州中部作為首屈一指的技術(shù)中心地位的決心。

發(fā)表于：2/24/2025

消息稱(chēng)三星電子4nm良率已近80%

2 月 21 日消息，韓媒 Newdaily 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子的 4nm 先進(jìn)制程良率已升至接近 80%（未指定芯片尺寸），并在近期陸續(xù)獲得了來(lái)自中國(guó)企業(yè)的 ASIC 代工訂單。 報(bào)道指出，在先進(jìn)制程連續(xù)遭遇商業(yè)困境后三星電子的新管理層調(diào)整了先進(jìn)制程戰(zhàn)略，不再一味地同臺(tái)積電展開(kāi)“納米競(jìng)賽”，而是將工作重心放在以可靠良率贏得客戶(hù)信任上，保障能從非最前沿節(jié)點(diǎn)獲得穩(wěn)定收益，使代工業(yè)務(wù)在經(jīng)濟(jì)上可持續(xù)。 韓媒認(rèn)為 DeepSeek 近期的火爆也提升中國(guó)科技企業(yè)開(kāi)發(fā) AI ASIC 的熱情，而三星電子先進(jìn)制程的價(jià)格、產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)在這波行情下成為吸引下單的重要?jiǎng)恿Α?/a>

消息稱(chēng)臺(tái)積電對(duì)獨(dú)立經(jīng)營(yíng)或參股英特爾晶圓廠毫無(wú)興趣

2月21日消息，據(jù)美國(guó)財(cái)經(jīng)網(wǎng)站Quartz報(bào)導(dǎo)，針對(duì)臺(tái)積電將控制或參股英特爾晶圓廠的傳聞，長(zhǎng)期關(guān)注臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新聞平臺(tái)Culpium創(chuàng)辦人高燦鳴（Tim Culpa）表示，臺(tái)積電并未有意愿入股英特爾，因?yàn)闊o(wú)論是獨(dú)立經(jīng)營(yíng)或合資英特爾晶圓廠，都毫無(wú)吸引力。

發(fā)表于：2/21/2025

應(yīng)用材料發(fā)布SEMVision H20 AI助力檢測(cè)速度提升3倍

2 月 21 日消息，應(yīng)用材料（Applied Materials）公司于 2 月 19 日發(fā)布博文，宣布推出新型芯片檢測(cè)設(shè)備 SEMVision H20，速度提升三倍，助力提升先進(jìn)制程芯片良率。

發(fā)表于：2/21/2025

WSTS稱(chēng)芯片公司Q1營(yíng)收或?qū)h(huán)比下滑9%

WSTS（世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)）報(bào)告稱(chēng)，2024年第四季度全球半導(dǎo)體市場(chǎng)為1709億美元，同比增長(zhǎng)17%，較2024年第三季度環(huán)比增長(zhǎng)3%。2024年全年市場(chǎng)為6280億美元，比2023年增長(zhǎng)19.1%。

發(fā)表于：2/21/2025

英飛凌比利時(shí)晶圓廠9.2億歐元補(bǔ)貼獲批

2 月 21 日消息，歐盟委員會(huì)比利時(shí)布魯塞爾當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布，批準(zhǔn)德國(guó)政府?dāng)M對(duì)英飛凌位于德國(guó)德累斯頓的新晶圓廠授予的 9.2 億歐元《歐洲芯片法案》補(bǔ)貼。這筆補(bǔ)貼尚待德國(guó)聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)與氣候部的最終核準(zhǔn)與發(fā)放。 英飛凌的德累斯頓新晶圓廠將制造分立功率器件和模擬 / 混合 IC，向工業(yè)、汽車(chē)、消費(fèi)等領(lǐng)域供應(yīng)。該項(xiàng)目整體投資規(guī)模達(dá) 50 億歐元，其建設(shè)已于 2023 年 3 月啟動(dòng)，目標(biāo) 2026 年投入使用，2031 年達(dá)到滿(mǎn)負(fù)荷生產(chǎn)。

發(fā)表于：2/21/2025

泛林集團(tuán)推出全球首個(gè)金屬鉬原子層沉積設(shè)備ALTUS Halo

2月19日，泛林集團(tuán)宣布推出全球首個(gè)利用金屬鉬的能力生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體的工具ALTUS Halo，可以為先進(jìn)半導(dǎo)體器件提供卓越的特征填充和低電阻率、無(wú)空隙鉬金屬化的高精度沉積。

發(fā)表于：2/21/2025