EDA與制造相關文章 三星電子1c nm DRAM內(nèi)存工藝開發(fā)完成 7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報道，三星電子當?shù)貢r間昨日下午對其第六代 10nm 級 DRAM 內(nèi)存工藝 1c 納米授予生產(chǎn)準備批準 (PRA)。這標志著三星完成 1c nm 內(nèi)存開發(fā)，準備向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。 發(fā)表于：7/1/2025 碳化硅巨頭Wolfspeed啟動破產(chǎn)重組 7 月 1 日消息，美國碳化硅 (SiC) 技術(shù)企業(yè) Wolfspeed 當?shù)貢r間 6 月 30 日宣布已采取下一步措施實施此前與主要債權(quán)人達成的《重組支持協(xié)議》，預計將在 2025 年三季度末完成司法重整并恢復正常運營。 根據(jù) 6 月下旬達成的《協(xié)議》，Wolfspeed 的總債務將減少約 70% 發(fā)表于：7/1/2025 香港首座8英寸碳化硅晶圓廠獲批 7 月 1 日消息，據(jù)香港特別行政區(qū)政府新聞公報網(wǎng)站，香港創(chuàng)新科技署（創(chuàng)科署）6 月 25 日宣布，“創(chuàng)新及科技基金”下設的“新型工業(yè)評審委員會”支持杰立方半導體（香港）有限公司提交的“新型工業(yè)加速計劃”申請。 發(fā)表于：7/1/2025 臺積電“2025年中國技術(shù)論壇”揭秘 在結(jié)束了北美、中國臺灣、歐洲、日本等地的年度技術(shù)論壇之后，6月25日，晶圓代工龍頭大廠臺積電“2025年中國技術(shù)論壇”正式在上海召開。 在此次論壇上，臺積電介紹了其對于整個半導體市場的展望，并面向中國客戶介紹其最新的技術(shù)進展。由于臺積電面向中國客戶提供先進制程晶圓代工服務受到了一定的限制（主要是AI芯片相關），因此，在此次中國技術(shù)論壇上，臺積電似乎并未將其尖端制程工藝作為介紹重點。臺積電官方向芯智訊提供的新聞稿也只是介紹了其先進封裝技術(shù)和特殊制程技術(shù)（部分尖端的特殊制程也未介紹）的進展以及制造布局。 發(fā)表于：7/1/2025 消息稱三星SF2P下一代2nm工藝優(yōu)先供應外部客戶 6 月 29 日消息，韓媒 ZDNews 發(fā)文，認為三星 Galaxy S26 系列手機所搭載的 2nm Exynos 2600 芯片，可能并不會采用該公司最先進的“SF2P”技術(shù)，三星計劃將相應工藝優(yōu)先用于為外部代工客戶打造 AI 芯片，而非率先應用于自家手機。 據(jù)悉，目前三星已完成這一“SF2P”下一代 2nm 工藝設計，當下該公司正積極向潛在客戶推廣這一新工藝，試圖在競爭激烈的 AI 芯片市場中提升市場份額。該制程節(jié)點號稱相比上一代產(chǎn)品具備多項優(yōu)勢，包括“性能至高提升 12%、功耗降低 25%、縮小 8% 的芯片面積”等特性。 不過外媒指出，三星代工部門預計將把上述技術(shù)主要用于為外部客戶生產(chǎn) AI 芯片。相應方案將只面向 Foundry（代工）客戶，而不會提供給負責移動芯片設計的 System LSI 團隊，這意味著 Exynos 2600 雖然依舊會使用 2nm 工藝，但有較高概率不會應用 SF2P 技術(shù)。 發(fā)表于：6/30/2025 美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代 6月27日消息，美光本周在最新的財報電話會議中宣布，已開始向客戶提供采用導入極紫外光（EUV）光刻技術(shù)的新一代1γ（1-gamma）制程的首批LPDDR5X 內(nèi)存樣品。這也顯示美光已正式進入EUV DRAM 制程時代。 發(fā)表于：6/30/2025 2028年全球先進制程晶圓制造產(chǎn)能將增長69% 6月26日消息，國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新發(fā)布的預測報告稱，因應生成式人工智能（AI）應用需求日益增長，全球半導體供應商加速擴產(chǎn)，2028年全球12英寸晶圓月產(chǎn)能將達到1,110萬片規(guī)模，創(chuàng)下歷史新高，2024年至2028年復合成長率達7%。 發(fā)表于：6/27/2025 LG Innotek全球首發(fā)銅柱技術(shù) 6 月 27 日消息，韓國先驅(qū)報于 6 月 25 日發(fā)布博文，報道稱 LG Innotek 宣布開發(fā)出全球首個用于高端半導體基板的高價值銅柱（Cu-Post）技術(shù)，在保持性能的前提下，讓智能手機基板尺寸最高可減少 20%，為更輕薄、高性能手機的發(fā)展邁出重要一步。 發(fā)表于：6/27/2025 ASML攜手蔡司啟動5nm分辨率Hyper NA光刻機開發(fā) ASML 技術(shù)高級副總裁：已攜手蔡司啟動 5nm 分辨率 Hyper NA 光刻機開發(fā) 發(fā)表于：6/27/2025 爭奪第二名！2025年英特爾代工大會直襲三星大本營 6月27日消息，英特爾在本月24日在首爾舉行了代工Direct Connect Asia活動，這也是英特爾首次在美國以外的地區(qū)舉辦此類活動。 英特爾的Direct Connect活動類似于臺積電的技術(shù)研討會和三星的代工論壇，旨在展示其最新的工藝技術(shù)。 發(fā)表于：6/27/2025 消息稱三星電子7月初向主要客戶出樣HBM4 12Hi內(nèi)存 6 月 27 日消息，韓媒 the bell 當?shù)貢r間 25 日報道稱，三星電子 HBM4 12Hi (36GB) 內(nèi)存的出樣準備工作已進入最后階段。如果內(nèi)部評估結(jié)果良好，三星計劃在 7 月初向英偉達和 AMD 等主要客戶供應 12 層堆疊 HBM4 的樣品。 發(fā)表于：6/27/2025 高多層PCB拼板如何省成本？5個設計細節(jié)降低30%打樣費用 高多層 PCB 打樣成本通常是普通板的 3-5 倍,合理的拼板設計可顯著優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)。以下是兼顧性能與成本的實戰(zhàn)技巧: 一、拼板利用率最大化設計 拼板數(shù)量優(yōu)化公式:最佳拼板數(shù) = (大板尺寸/子板尺寸)× 利用率系數(shù)(高多層建議0.85) 例:10 層板子板尺寸 5cm×5cm,選用 30cm×30cm 大板,最佳拼板數(shù)為(30×30)/(5×5)×0.85≈30 片。 發(fā)表于：6/27/2025 美國減少對中國稀土的依賴需要“一代人的時間” 當?shù)貢r間6月25日，美國前常務副國務卿庫爾特·坎貝爾（Kurt Campbell）在接受彭博電視臺采訪時表示，要減少美國在稀土和其他供應鏈方面對中國的部分依賴，需要“一代人的時間”。 發(fā)表于：6/27/2025 2025年1-5月日本半導體設備銷售額創(chuàng)歷史新高 日本半導體制造裝置協(xié)會（SEAJ）于6月24日公布最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2025年5月份日本制造的半導體制造設備銷售額為4,462.91億日元，較去年同月增加11.3%，實現(xiàn)了連續(xù)第17個月增長，增幅連續(xù)14個月達2位數(shù)（10%以上），連續(xù)7個月高于4,000億日元，僅略低于2025年4月的4,470.38億日元，創(chuàng)1986年開始進行統(tǒng)計以來歷史次高紀錄。 累計2025年1-5月期間，日本半導體設備銷售額達21,545.84億日元，較去年同期大漲20.5%，就歷年同期來看，遠超2024年的17,880.33億日元，創(chuàng)下歷史新高紀錄。 發(fā)表于：6/26/2025 英特爾宣布關閉汽車業(yè)務 6月25日消息，據(jù)外媒Oregon Live報道，芯片巨頭英特爾將關閉其汽車芯片業(yè)務，并解雇該業(yè)務相關的大部分員工。這是英特爾計劃對其晶圓制造部門啟動裁員之后，又一業(yè)務部門將受到裁員影響。另據(jù)CRN報道，英特爾還計劃對位于圣克拉拉的總部裁員107名員工。這些顯然都是英特爾新任CEO陳立武（Lip-Bu Tan）此前宣布的聚焦核心業(yè)務及裁員計劃的一部。 發(fā)表于：6/26/2025 ?…42434445464748495051…?
