EDA與制造相關(guān)文章 傳臺(tái)積電擬投資AI芯片廠商FuriosaAI 2月27日消息，據(jù)韓國中央日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，晶圓代工龍頭大廠臺(tái)積電正在計(jì)劃投資韓國人工智能芯片設(shè)計(jì)新創(chuàng)公司FuriosaAI。 FuriosaAI公司也于2月27日回應(yīng)稱，與臺(tái)積電投資談判自2024年第四季開始，也是FuriosaAI此次融資的一部分，是與Meta達(dá)成最新合并協(xié)議的獨(dú)立交易。FuriosaAI與臺(tái)積電旗下投資部門臺(tái)積電全球（TSMC Global）正在討論投資規(guī)模和條件，但尚未定案。 發(fā)表于：2/28/2025 SkyWater收購英飛凌美國8英寸晶圓廠 當(dāng)?shù)貢r(shí)間2025年2月26日，SkyWater公司與英飛凌達(dá)成協(xié)議，收購英飛凌位于美國德克薩斯州奧斯汀的200毫米（8英寸）晶圓廠（“Fab 25”）并簽訂相應(yīng)的長期供應(yīng)協(xié)議。 發(fā)表于：2/28/2025 三菱電機(jī)擬在華構(gòu)建工業(yè)機(jī)器人完整供應(yīng)鏈 2 月 27 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞今日?qǐng)?bào)道，日本三菱電機(jī)將針對(duì)工業(yè)機(jī)器人等主力的工廠自動(dòng)化業(yè)務(wù)調(diào)整中國的供應(yīng)鏈。將縮小大部分產(chǎn)品和零部件從日本出口的體制，攜手當(dāng)?shù)仄髽I(yè)，采購低價(jià)位產(chǎn)品。鑒于美國新政府的舉措，三菱將盡可能在中國國內(nèi)構(gòu)建完整供應(yīng)鏈。 發(fā)表于：2/28/2025 中國20+nm成熟工藝芯片占全球28％ 2月27日消息，雖然我國在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝方面仍有一定差距，但是說起20nm及以上的成熟工藝，我國就誰也不怕了，憑借龐大的產(chǎn)能和超低的價(jià)格大殺四方，直接讓西方企業(yè)惶恐不已。 發(fā)表于：2/28/2025 群聯(lián)電子宣布攜手Lonestar打造月球首座數(shù)據(jù)中心 2月27日消息，今天群聯(lián)電子宣布，將攜手Lonestar共同推動(dòng)月球任務(wù)“Freedom Mission”，并成功發(fā)射登月。 Freedom Mission采用由SpaceBilt提供、并由3D打印的外殼，結(jié)合群聯(lián)企業(yè)級(jí)Pascari SSD的極端環(huán)境耐用特性，打造適應(yīng)太空嚴(yán)峻環(huán)境的儲(chǔ)存解決方案。 發(fā)表于：2/28/2025 消息稱SK海力士HBM4測試良率再創(chuàng)新高 2 月 27 日消息，韓媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱 SK海力士的第 6 代 12 層堆疊高帶寬內(nèi)存 HBM4 測試良率已達(dá) 70%，為即將到來的量產(chǎn)階段奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，也預(yù)示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據(jù)有利地位。 發(fā)表于：2/27/2025 三星計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)1000層NAND 2 月 26 日消息，三星電子 DS 部門 CTO 宋在赫（???）在上周于舊金山舉行的國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上發(fā)表主題演講，并展示了其晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應(yīng)用等技術(shù)。據(jù)介紹，這些技術(shù)將從 400 層的 NAND 閃存技術(shù)開始應(yīng)用，而且他還提到，“鍵合技術(shù)可用于（在 NAND 區(qū)域）實(shí)現(xiàn) 1000 多層（堆疊）”。 發(fā)表于：2/27/2025 美國擬施壓盟友升級(jí)對(duì)華芯片出口管制 2月26日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，美國最近與日本和荷蘭會(huì)面，討論限制兩國半導(dǎo)體設(shè)備制造商?hào)|京電子（TOKYO ELECTRON）和阿斯麥（ASML）工程師對(duì)在華半導(dǎo)體設(shè)備提供維護(hù)服務(wù)，以擴(kuò)大對(duì)中國獲取先進(jìn)技術(shù)的限制。 發(fā)表于：2/26/2025 美光宣布1γ DRAM內(nèi)存開始出貨 2 月 25 日消息，美光科技剛剛宣布，已向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節(jié)點(diǎn)、第六代（注：即 10nm 級(jí)）DRAM 節(jié)點(diǎn)的 DDR5 內(nèi)存樣品。 發(fā)表于：2/26/2025 歐盟宣布向艾邁斯歐司朗提供2.27歐元補(bǔ)貼 2月25日消息，歐盟委員會(huì)依據(jù)《歐洲芯片法案》（European Chips Act）已批準(zhǔn)一筆 2.27歐元的補(bǔ)貼資金，以支持艾邁斯歐司朗在奧地利斥資14 億歐元建造半導(dǎo)體后端制造工廠，該后端制造工廠也將向其他歐洲客戶開放。 發(fā)表于：2/26/2025 英特爾Panther Lake處理器今年初生產(chǎn)良率不到20%~30% 2 月 25 日消息，分析師郭明錤昨日深夜表示，根據(jù)其進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)調(diào)查，英特爾下代移動(dòng)端處理器 Panther Lake 在 2025 年初的生產(chǎn)良率不到 20%~30%，英特爾要想實(shí)現(xiàn)今年下半年量產(chǎn) Panther Lake 的目標(biāo)并非易事。 發(fā)表于：2/25/2025 三星電子公布HBM4E內(nèi)存規(guī)劃 2 月 24 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會(huì)議現(xiàn)場的采訪，三星電子在本次會(huì)議上公布了其 HBM 內(nèi)存路線圖，分享了預(yù)設(shè)的性能參數(shù)目標(biāo)： 發(fā)表于：2/25/2025 臺(tái)積電日本子公司第二晶圓廠調(diào)整為今年內(nèi)動(dòng)工 2 月 24 日消息，據(jù)日本熊本縣當(dāng)?shù)孛襟w《熊本日日新聞》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 21 日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電日本子公司 JASM 位于熊本縣的第二晶圓廠動(dòng)工建設(shè)時(shí)間已從 2025 年一季度調(diào)整為 2025 年內(nèi)，不過該晶圓廠 2027 年投產(chǎn)的計(jì)劃沒有發(fā)生改變。 發(fā)表于：2/25/2025 英特爾首批兩臺(tái)ASML高數(shù)值孔徑光刻機(jī)已投產(chǎn) 2 月 25 日消息，英特爾公司于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一宣布，其工廠已開始使用 ASML 公司的首批兩臺(tái)先進(jìn)光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。早期數(shù)據(jù)顯示，這些新型光刻機(jī)的可靠性優(yōu)于舊款機(jī)型。 發(fā)表于：2/25/2025 消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲(chǔ)的混合鍵合專利 2 月 24 日消息，隨著存儲(chǔ)行業(yè)的激烈競爭，推動(dòng) NAND 技術(shù)不斷進(jìn)步，一個(gè)令人驚訝的消息出現(xiàn)了： 據(jù)韓媒 ZDNet 今日?qǐng)?bào)道，三星可能將使用中國長江存儲(chǔ)的混合鍵合專利，從其 V10（第 10 代）NAND 開始。 報(bào)道稱，三星計(jì)劃于 2025 年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)其 V10 NAND，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約 420 至 430 層。 報(bào)道還提到，三星和 SK 海力士據(jù)說正在與長江存儲(chǔ)協(xié)商一項(xiàng)專利協(xié)議。 發(fā)表于：2/25/2025 ?…37383940414243444546…?
