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EDA與制造相關(guān)文章

SK海力士系統(tǒng)IC將出售無(wú)錫晶圓廠(chǎng)49.9%股權(quán)

SK海力士系統(tǒng)IC將出售無(wú)錫晶圓廠(chǎng)49.9%股權(quán)

發(fā)表于：5/10/2024

消息稱(chēng)三星電子已提前組建1dnm內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)

消息稱(chēng)三星電子已提前組建 1dnm 內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，目標(biāo)重建優(yōu)勢(shì)

發(fā)表于：5/10/2024

SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量28.34億平方英寸

SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量 28.34 億平方英寸，環(huán)比下滑 5.4%

發(fā)表于：5/10/2024

美國(guó)最新報(bào)告：2032年美國(guó)將掌控28%先進(jìn)制程產(chǎn)能

5月9日消息，根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（SIA）和波士頓顧問(wèn)公司（BCG）的最新報(bào)告，隨著美國(guó)“芯片法案”的推動(dòng)，預(yù)計(jì)到2032年，美國(guó)在全球10nm以下先進(jìn)制程芯片制造中的份額將達(dá)到28%，而中國(guó)大陸的占比可能僅為3%。美國(guó)政府在2022年通過(guò)的《芯片與科學(xué)法案》中，安排了390億美元用于補(bǔ)貼在美國(guó)建廠(chǎng)生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的項(xiàng)目，旨在減少對(duì)亞洲供應(yīng)鏈的依賴(lài)，并提升本土制造能力。報(bào)告預(yù)計(jì)，到2032年，美國(guó)的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能將增加203%，即三倍于2022年的產(chǎn)能，且在全球晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能中的份額將從10%增長(zhǎng)到14%。報(bào)告還強(qiáng)調(diào)，美國(guó)不僅將在產(chǎn)能上增長(zhǎng)，還將在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，如前沿制造、DRAM內(nèi)存、模擬和先進(jìn)封裝等方面增強(qiáng)能力。特別是，美國(guó)在先進(jìn)邏輯產(chǎn)能方面的全球份額將實(shí)現(xiàn)顯著提升。

發(fā)表于：5/10/2024

SK海力士宣布開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

5 月 9 日消息，SK 海力士公司今日宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI 的移動(dòng)端 NAND 閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。

發(fā)表于：5/9/2024

三星電機(jī)加速玻璃基板開(kāi)發(fā)

5 月 9 日消息，韓媒 ETNews 援引消息人士的話(huà)稱(chēng)，三星電機(jī)半導(dǎo)體玻璃基板中試線(xiàn)建設(shè)完成時(shí)間已提前至 9 月，相較原定的年底完工目標(biāo)提前了一個(gè)季度。相較于現(xiàn)有的有機(jī)基板，玻璃基板在電氣性能、耐熱性能等方面存在較大優(yōu)勢(shì)，可進(jìn)一步降低厚度。玻璃基板也使玻璃通孔（Through Glass Via，簡(jiǎn)稱(chēng) TGV）等新型電路連接成為可能，尤其適合 HPC、AI 領(lǐng)域的芯片。

發(fā)表于：5/9/2024

ASML最先進(jìn)光刻機(jī)今年產(chǎn)能被英特爾買(mǎi)完

5月8日消息，ASML最先進(jìn)EUV光刻機(jī)今年訂單已經(jīng)被Intel包攬，其單臺(tái)售價(jià)超過(guò)了25億元。據(jù)悉，ASML截至明年上半年最先進(jìn)EUV設(shè)備的訂單已經(jīng)由英特爾承包，而今年計(jì)劃生產(chǎn)的五套設(shè)備也將全部運(yùn)給這家美國(guó)芯片制造商。按照消息人士的說(shuō)法，由于上述EUV設(shè)備產(chǎn)能每年約為5到6臺(tái)，這意味著英特爾將獲得所有初始庫(kù)存。這也導(dǎo)致，英特爾的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和 SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年才能獲得該設(shè)備。

發(fā)表于：5/8/2024

三星開(kāi)始量產(chǎn)首款3nm Exynos芯片

三星開(kāi)始量產(chǎn)首款3nm Exynos芯片：Galaxy S25有望首發(fā)

發(fā)表于：5/8/2024

英特爾聯(lián)合多家日企組建后端工藝自動(dòng)化聯(lián)盟

5 月 7 日消息，據(jù)雅馬哈發(fā)動(dòng)機(jī)官網(wǎng)，英特爾將同包括其在內(nèi)的 14 家日本企業(yè)和機(jī)構(gòu)聯(lián)合開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體后端制造過(guò)程自動(dòng)化技術(shù)，目標(biāo) 2028 年前實(shí)現(xiàn)技術(shù)商業(yè)化。

發(fā)表于：5/8/2024

臺(tái)積電A16工藝采用Super PowerRail背面供電技術(shù)

5 月 7 日消息，臺(tái)積電在近日召開(kāi)的北美技術(shù)論壇上發(fā)表了 A16 節(jié)點(diǎn)相關(guān)信息，主要容納更多的晶體管，提升運(yùn)算效能、更進(jìn)一步降低功耗。此外消息稱(chēng)臺(tái)積電 A16 工藝節(jié)點(diǎn)采用了全新的 Super PowerRail 背面供電技術(shù)，其復(fù)雜程度要高于英特爾的負(fù)面供電技術(shù)，可以更好地滿(mǎn)足 AI 芯片、數(shù)據(jù)中心的發(fā)展需求。由于晶體管越來(lái)越小，密度越來(lái)越高，堆疊層數(shù)也越來(lái)越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，需要穿過(guò) 10-20 層堆棧，大大提高了線(xiàn)路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。

發(fā)表于：5/8/2024

三星組建百人工程師團(tuán)隊(duì)爭(zhēng)奪英偉達(dá)下一代AI芯片訂單

5 月 7 日消息，據(jù)韓國(guó)科技媒體 KED Global 報(bào)道，三星電子為了拿下英偉達(dá)下一代人工智能圖形處理器 (AI GPU) 的高端內(nèi)存 (HBM) 訂單，組建了一支由約 100 名頂尖工程師組成的“精英團(tuán)隊(duì)”，他們一直致力于提高制造產(chǎn)量和質(zhì)量，首要目標(biāo)是通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試。

發(fā)表于：5/8/2024

新思科技宣布21億美元出售SIG業(yè)務(wù)

Synopsys 周一表示，將把其軟件完整性 (SIG) 部門(mén)出售給由 Clearlake Capital 和 Francisco Partners 牽頭的私募股權(quán)財(cái)團(tuán)，交易價(jià)值 21 億美元。

發(fā)表于：5/8/2024

SK海力士正在測(cè)試低溫蝕刻設(shè)備

5月7日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士正在評(píng)估東京電子最新的低溫蝕刻設(shè)備，該設(shè)備可以在-70℃的低溫下運(yùn)行，用來(lái)生成400層以上堆疊的新型3D NAND。據(jù)了解，SK海力士此次并未直接引進(jìn)設(shè)備，而是選擇將測(cè)試晶圓發(fā)送到東京電子的實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行評(píng)估，以驗(yàn)證新設(shè)備在生產(chǎn)中的實(shí)際表現(xiàn)。這一舉措顯示了SK海力士在新技術(shù)引入上的謹(jǐn)慎態(tài)度和對(duì)質(zhì)量的嚴(yán)格把控。

發(fā)表于：5/8/2024

臺(tái)積電今明兩年先進(jìn)封裝產(chǎn)能已被英偉達(dá)AMD包下

AI 芯片供不應(yīng)求，消息稱(chēng)臺(tái)積電今明兩年先進(jìn)封裝產(chǎn)能已被英偉達(dá)、AMD 包下

發(fā)表于：5/7/2024

三星GAA工藝高性能移動(dòng)SoC成功生產(chǎn)流片

三星 GAA 工藝高性能移動(dòng) SoC 成功生產(chǎn)流片，采用新思科技 EDA 套件

發(fā)表于：5/7/2024