業(yè)界動態(tài) 2025世界物聯(lián)網(wǎng)500強排行榜發(fā)布 12 月 2 日消息，首屆全球萬物智聯(lián)數(shù)字經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展大會暨 2025（第十屆）世界物聯(lián)網(wǎng)大會于 11 月 28-29 日在北京開幕。大會圍繞“萬物智聯(lián)新經(jīng)濟 智慧社會新時代”主題，舉行了世界新經(jīng)濟論壇、大使論壇、世界物聯(lián)網(wǎng) 500 強峰會、國際合作論壇、AI+物聯(lián)網(wǎng)、智慧能源、工業(yè)互聯(lián)、交通車聯(lián)、低空智聯(lián)、標(biāo)準化等十多場論壇活動。 發(fā)表于：12/3/2025 10:05:51 AM IBM：以現(xiàn)有成本建設(shè)AI數(shù)據(jù)中心幾乎不可能回本 12 月 2 日消息，The Verge 昨天采訪到了 IBM 首席執(zhí)行官 Arvind Krishna。他在播客表示，按照目前的數(shù)據(jù)中心建設(shè)與運營成本，行業(yè)投入的巨額資本支出幾乎不可能獲得足夠回報。 發(fā)表于：12/3/2025 9:59:11 AM 英特爾14A制程預(yù)計2027年量產(chǎn)節(jié)點進展順利 12 月 3 日消息，Moor Insights & Strategy 分析師 Patrick Moorhead 昨日透露，英特爾正在開發(fā)的 14A 制程節(jié)點已獲得兩家潛在代工客戶的正面反饋。 發(fā)表于：12/3/2025 9:55:56 AM 我國5G基站總數(shù)突破475.8萬個 比上年末凈增50.7萬個 12 月 3 日消息，據(jù)新華網(wǎng)報道，截至 10 月末，我國 5G 基站總數(shù)達 475.8 萬個，比上年末凈增 50.7 萬個，占移動基站總數(shù)的 37%，占比較前三季度提高 0.4 個百分點。 發(fā)表于：12/3/2025 9:50:51 AM 谷歌發(fā)布2025生成式AI回報報告 12月1日 谷歌最近搞了個大調(diào)研，訪問了全球2508家年收入超1000萬美元的大企業(yè)高管——這些都是真金白銀在用生成式AI干活的公司，不是玩概念的。結(jié)果很實在：生成式AI早就不是"嘗鮮玩具"，而是能賺錢的正經(jīng)工具了。 發(fā)表于：12/3/2025 9:44:56 AM 英特爾持續(xù)投資強化半導(dǎo)體封測布局 12月2日消息，據(jù)彭博社報道，馬來西亞總理安瓦爾·易卜拉欣（Anwar Ibrahim）的說法，英特爾公司宣布將額外對其位于馬來西亞的先進封測廠投資8.6億令吉（約合2.08億美元），進一步z馬來西亞打造為其全球封裝與測試業(yè)務(wù)的中心。此舉彰顯了英特爾對馬來西亞長期投資的高度信心，并強化了馬來西亞在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中不可或缺的地位。 發(fā)表于：12/3/2025 9:25:10 AM 2026年全球半導(dǎo)體營收將逼近1萬億美元大關(guān) 12月2日消息，根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）最新發(fā)布的全球半導(dǎo)體市場預(yù)測報告顯示，2025年全球半導(dǎo)體營收將同比增長22.5%至7720億美元，2026年將再度增長26.3%至9750億美元，逼近1萬億美元大關(guān)。 發(fā)表于：12/3/2025 9:21:00 AM 2035年美國數(shù)據(jù)中心電力需求將是目前的三倍 12月2日消息，根據(jù)彭博新能源財經(jīng)最新公布的研究報告稱，人工智能（AI）訓(xùn)練與推理需求的急速成長，正重新改寫美國能源需求曲線，也使數(shù)據(jù)中心成為未來十年最主要的電力消耗來源之一。預(yù)計到2035年美國數(shù)據(jù)中心電力需求將達到106吉瓦（GW），將是2025年的40GW水平增的三倍，相比七個月前發(fā)布的展望增長了36%。 發(fā)表于：12/3/2025 9:17:26 AM 臺積電攜手世芯和Ayar Labs推封裝內(nèi)光學(xué)I/O構(gòu)架 12月2日消息，臺積電此前在歐洲OIP 論壇公布了一項重大技術(shù)展示，世芯（Alchip）與Ayar Labs 聯(lián)手推出一款完全整合的封裝內(nèi)光學(xué)I/O 引擎，這項解決方案采用臺積電的Compact Universal Photonic Engine（COUPE）平臺，為下一代AI芯片帶來了革命性的光學(xué)連接能力。 發(fā)表于：12/3/2025 9:12:56 AM 三星新型FeFET 3D NAND功耗暴降96% 12月2日消息，三星電子旗下先進技術(shù)研究院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）的研究團隊近日在國際權(quán)威期刊《Nature》上發(fā)表了題為《用于低功耗NAND Flash的鐵電場效應(yīng)晶體管》（Ferroelectric transistors for low-power NAND flash memory）的研究報告，提出基于鐵電場效應(yīng)晶體管（FeFET）的新型3D NAND構(gòu)架，成功將能耗降低高達96%。 發(fā)表于：12/3/2025 9:07:36 AM ?…13141516171819202122…?
