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大聯(lián)大品佳集團推出基于Infineon產(chǎn)品的電機控制器方案

  2025年12月4日,致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下品佳推出基于英飛凌(Infineon)TLE9954芯片的電機控制器方案。

發(fā)表于:12/4/2025 8:50:25 PM

美國國際貿(mào)易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項專利侵權(quán)案中勝訴

【2025年12月3日, 德國慕尼黑訊】美國國際貿(mào)易委員會(ITC)裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)擁有的一項氮化鎵(GaN)技術(shù)專利1。此外,在初步裁定中,美國國際貿(mào)易委員會確認,英飛凌在向該委員會提起的訴訟中所主張的兩項專利皆具有法律效力

發(fā)表于:12/4/2025 5:44:13 PM

清研電子PTFE基高端覆銅板中試線投產(chǎn)

2025 年 11 月 29 日,PTFE 基高端覆銅板專場暨清研電子高端覆銅板中試線投產(chǎn)揭牌儀式在深圳清華大學研究院舉行。

發(fā)表于:12/4/2025 2:46:00 PM

消息稱三星新設定制SoC開發(fā)團隊強化自研能力

12 月 3 日消息,據(jù)韓媒“IT Chosun”今日報道,三星電子近期調(diào)整了 DS(Device Solutions)部門架構(gòu),在系統(tǒng) LSI 事業(yè)部內(nèi)部設立了“自研 SoC 開發(fā)團隊”。隨著全球大型科技企業(yè)對專用芯片的需求不斷增加,三星此舉被視為強化自主研發(fā)能力,以更快響應客戶項目。

發(fā)表于:12/4/2025 1:40:51 PM

消息稱美國國會將否決AI芯片出口法案

英偉達的強力游說取得關(guān)鍵成果,一項旨在限制其向部分海外市場銷售先進AI芯片的《GAIN AI法案》,預計將不會被納入美國年度國防法案。

發(fā)表于:12/4/2025 1:29:42 PM

九峰山實驗室最新成果一年可為超大型AI算力中心省3億度電

12月4日訊,100萬個指甲蓋大小的“黑盒子”,裝入一座容量1吉瓦(10億瓦)的超大型AI算力中心機柜里,一年可省近3億度電,約合2.4億元電費。這是九峰山實驗室新發(fā)布的科技成果——氮化鎵電源模塊。團隊負責人李思超博士說,該成果目前已完成概念驗證,即將開始中試驗證,預計3-5年內(nèi)量產(chǎn),屆時可滿足千億級市場需求。

發(fā)表于:12/4/2025 1:25:55 PM

存儲成本上升導致PC新品出廠即虧損

12 月 4 日消息,韓媒 ZDNet Korea 援引匿名 PC 制造商采購供應負責人的話稱,最近一波存儲成本上升導致自今年 10 月開始 PC 新品出廠即虧損,因此明年至少要漲價 20%。

發(fā)表于:12/4/2025 1:20:25 PM

日本通信領(lǐng)域國產(chǎn)化計劃受挫 京瓷放棄5G基站研發(fā)

12月3日消息,據(jù)媒體報道,面對激烈的全球競爭,日本電子產(chǎn)品制造商京瓷(Kyocera)已決定放棄開發(fā)5G無線基站。這一退出對日本實現(xiàn)移動通信基礎設施國產(chǎn)化的目標構(gòu)成了直接打擊。

發(fā)表于:12/4/2025 1:17:37 PM

美國ITC公布英飛凌起訴英諾賽科“337調(diào)查”初步結(jié)果!

12月3日消息,美國國際貿(mào)易委員會(ITC)公布了針對英飛凌起訴中國氮化鎵(GaN)大廠英諾賽科(Innoscience)侵犯其四項專利的“337調(diào)查”初步結(jié)果。有意思的是,英飛凌和英諾賽科均發(fā)布公告說自己獲得了勝利。

發(fā)表于:12/4/2025 1:12:05 PM

SEMI公布2025Q3全球半導體設備市場銷售額排名

12月3日,國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2025年三季度全球半導體制造設備銷售額同比增長11%至336.6億美元,為連續(xù)第6個季度呈現(xiàn)增長,增幅連續(xù)第5個季度達2位數(shù)百分比(10%以上)水準,環(huán)比銷售額連續(xù)第5個季度高于300億美元,超越2024年四季度的335.6億美元,創(chuàng)有數(shù)據(jù)可供比較的2005年以來歷史新高紀錄。

發(fā)表于:12/4/2025 1:07:09 PM

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