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力积电正与美光合作开发1P制程DRAM内存
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三星与SK海力士HBM4E交付竞争加剧
發(fā)表于：2026/4/23 上午9:44:35
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三星西安厂减产 全球最大NAND工厂产能告急
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工信部回应存储器涨价 将多措并举保障产业链供应链稳定
發(fā)表于：2026/4/21 下午2:04:40
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让国产存储“赔本赚吆喝”？
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2027年底全球DRAM供需仍有40%缺口
發(fā)表于：2026/4/20 下午1:08:56
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DRAM提产加速 但仅能满足市场六成需求
發(fā)表于：2026/4/20 上午10:17:24
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SK海力士正式量产下一代AI服务器芯片SOCAMM2
發(fā)表于：2026/4/20 上午10:08:24
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三星宣布LPDDR4/4X年底停产
發(fā)表于：2026/4/20 上午9:30:12
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三星罢工风险升级 工会预警一年损高达203亿美元
發(fā)表于：2026/4/20 上午9:00:06
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三星电子首批HBM4E内存性能样品生产在即
發(fā)表于：2026/4/17 上午10:48:01
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SK海力士投资RISC-V芯片初创公司 推动以内存为中心的AI推理架构
發(fā)表于：2026/4/16 上午9:16:17
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传SK海力士拟将对英伟达HBM4供应量下调30%
發(fā)表于：2026/4/15 下午1:05:38
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内部涨价 三星HBM4内存晶圆代工报价上调
發(fā)表于：2026/4/14 上午10:57:56
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三星工会要求天价奖金 存储部门人均285万元
發(fā)表于：2026/4/14 上午10:46:18
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闪迪开始建立HBF高带宽闪存生产线
發(fā)表于：2026/4/14 上午9:54:40
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存储芯片短缺致全球手机Q1出货量同比下滑6%
發(fā)表于：2026/4/13 上午11:04:50
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SK海力士发力1c DRAM 良率已升至80%
發(fā)表于：2026/4/9 下午10:22:42
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全球首只纯内存芯片ETF横空出世
發(fā)表于：2026/4/9 上午7:47:15
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存储材料原子级“开关”过程首次捕捉 为更小更快存储铺路
發(fā)表于：2026/4/7 上午10:11:14
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三星DRAM二季度合约价将再涨30%
發(fā)表于：2026/4/7 上午9:31:36
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美国团队研发出超耐高温新型存储芯片
發(fā)表于：2026/4/3 上午11:24:53
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苹果正在高价囤积移动DRAM
發(fā)表于：2026/4/3 上午11:22:10
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美光称存储制造设备产能不足成新瓶颈
發(fā)表于：2026/4/3 上午9:05:26
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存储双雄加码混合键合技术 或用于下一代HBM生产
發(fā)表于：2026/4/1 上午10:43:14
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TurboQuant与RaBitQ技术上相似吗？
發(fā)表于：2026/3/31 下午7:20:42
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图解历史上的存储超级周期是如何演绎的
發(fā)表于：2026/3/31 上午10:46:24
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美光尝试垂直堆叠GDDR内存 在GDDR与HBM间开辟新路
發(fā)表于：2026/3/31 上午10:21:23
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TrendForce预计2026年全球笔记本电脑出货将下滑14.8%
發(fā)表于：2026/3/31 上午9:40:01
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三星西安晶圆厂升级完成 实现236层V8 3D NAND闪存量产
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