頭條 東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據(jù)scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結(jié)晶實現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時代延續(xù)摩爾定律的生命力。 最新資訊 英偉達經(jīng)濟學(xué)：在購買GPU上每花1美元，就能賺取7美元！ 英偉達（Nvidia） 超大規(guī)模和 HPC 業(yè)務(wù)副總裁兼總經(jīng)理 Ian Buck 近日在美國銀行證券 2024 年全球技術(shù)大會上表示，客戶正在投資數(shù)十億美元購買新的英偉達硬件，以跟上更新的 AI 大模型的需求，從而提高收入和生產(chǎn)力。 Buck表示，競相建設(shè)大型數(shù)據(jù)中心的公司將特別受益，并在數(shù)據(jù)中心四到五年的使用壽命內(nèi)獲得豐厚的回報。即“云提供商在購買 GPU 上花費的每一美元，四年內(nèi)（通過提供算力服務(wù)，GAAS）都能收回 5 美元?！?/a> 發(fā)表于：7/2/2024 Intel Arrow Lake P/E大小核布局變了 Intel Arrow Lake P/E大小核布局變了！有兩大好處 發(fā)表于：7/2/2024 Pickering為現(xiàn)有產(chǎn)品增加了額定功率加倍的型號， 進一步提升了常用舌簧繼電器的技術(shù)規(guī)格 高性能舌簧繼電器的領(lǐng)先者Pickering提高了最受歡迎的四個繼電器系列的額定功率，包括112,113和116系列，以及超高密度4mm2的122系列，以確保工程師在不占用寶貴的PCB空間的情況下，有更多的選擇來搭建更高規(guī)格的開關(guān)系統(tǒng)。 發(fā)表于：7/1/2024 中國移動發(fā)布安全MCU芯片CM32M435R 中國移動發(fā)布安全MCU芯片CM32M435R：40納米工藝、極其安全 7月1日消息，近日，中國移動旗下的中移芯昇發(fā)布了一款大容量低功耗+PUF+物理防側(cè)信道攻擊的安全MCU芯片“CM32M435R”，采用40納米功耗工藝，基于業(yè)界領(lǐng)先的高性能32位RISC-V內(nèi)核，綜合性能達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。 發(fā)表于：7/1/2024 傳華為正在測試新的TaiShan能效核 6月28日消息，據(jù)wccftech援引社交媒體平臺“X”上的網(wǎng)友@jasonwill101 爆料稱，華為正在測試新的高能效“TaiShan”小核，性能大幅超過Arm Cortex-A510內(nèi)核75%。 此前Mate 60系列所搭載的麒麟9000S內(nèi)部的CPU采用的是自研的TaiShan大核+TaiShan中核+Arm Cortex-A510能效核心，可以看到，雖然大核和中核都是自研的，但是小核依然是Arm公版的Cortex-A510，現(xiàn)在華為將其升級為自研的TaiShan小核，無疑將進一步提升小核的能效，并提升其與TaiShan大核和中核之間的協(xié)同效率，同時進一步提升自主可控的能力。 發(fā)表于：7/1/2024 中國信通院完成華為鴻蒙內(nèi)核自主成熟度等級認證 自主研發(fā)比率100%，中國信通院完成華為鴻蒙內(nèi)核自主成熟度等級認證 發(fā)表于：7/1/2024 三星計劃加入微軟谷歌等八巨頭的UALink聯(lián)盟 6月30日消息，前不久AMD、英特爾、谷歌、微軟、博通、思科、Meta和惠普企業(yè)等八家科技巨頭聯(lián)合組建了UALink聯(lián)盟，旨在推出一項新的技術(shù)標準——Ultra Accelerator Link（UALink），直接與NVIDIA的NVLink技術(shù)競爭。 近日，三星也表現(xiàn)出了加入UALink聯(lián)盟的濃厚興趣，該公司在三星晶圓代工論壇上表示，加入UALink將有助于三星代工業(yè)務(wù)的進一步發(fā)展，更好地滿足客戶需求。 發(fā)表于：7/1/2024 叫囂對標NVIDIA的國產(chǎn)芯片公司左江科技宣布退市 叫囂對標NVIDIA的國產(chǎn)芯片公司退市！300億市值只剩7億 戶均虧39萬 發(fā)表于：7/1/2024 美國等掏空韓國半導(dǎo)體人才 三星和SK海力士成重災(zāi)區(qū) 美國等掏空韓國半導(dǎo)體人才！三星和SK海力士成重災(zāi)區(qū) 發(fā)表于：7/1/2024 中國移動發(fā)布全球首顆RISC-V內(nèi)核超級SIM芯片 中國移動發(fā)布全球首顆 RISC-V 內(nèi)核超級 SIM 芯片 發(fā)表于：6/28/2024 ?…139140141142143144145146147148…?
