頭條 東京大學研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據(jù)scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術和電路研討會上，東京大學工業(yè)科學研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結晶實現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領域應用的性能，并在后硅時代延續(xù)摩爾定律的生命力。 最新資訊 高通發(fā)布第二代驍龍XR2+ 將用于三星、谷歌新頭顯 高通發(fā)布第二代驍龍XR2+ 將用于三星、谷歌新頭顯 發(fā)表于：1/8/2024 美國將向Microchip提供1.62億美元補貼 美國將向Microchip提供1.62億美元補貼 發(fā)表于：1/8/2024 2024年或?qū)⒊蔀榕_積電“擴廠年” 2024或?qū)⒊蔀榕_積電“擴廠年”，臺積電3nm有望插旗日本 發(fā)表于：1/8/2024 消息稱：華為在汽車充電方面可能會打造一個聯(lián)盟 消息稱華為在汽車充電方面可能會打造一個聯(lián)盟，提高充電樁利用率 發(fā)表于：1/8/2024 英特爾率先擁抱 High-NA EUV 光刻機 英特爾率先擁抱 High-NA EUV 光刻機，臺積電持觀望態(tài)度 發(fā)表于：1/8/2024 三星宣布與特斯拉、現(xiàn)代汽車展開智能家居和車聯(lián)網(wǎng)合作 三星宣布與特斯拉、現(xiàn)代汽車展開智能家居和車聯(lián)網(wǎng)合作 發(fā)表于：1/8/2024 科技春晚節(jié)目單出爐 小心蘋果、OpenAI“搶風頭” CES倒計時指南：科技春晚節(jié)目單出爐 小心蘋果、OpenAI“搶風頭” 發(fā)表于：1/8/2024 國產(chǎn)256核RISC-V處理器曝光 國產(chǎn)256核RISC-V處理器曝光，計劃擴展到1600核！ 隨著每一代新一代芯片增加晶體管密度變得越來越困難，因此芯片制造商正在尋找其他方法來提高處理器的性能，其中包括架構創(chuàng)新、更大的芯片尺寸、多芯片設計，甚至晶圓級芯片，比如 Cerebras 的 WSE 系列 AI 芯片。 近日，中國科學院計算技術研究所的科學家們也推出了一款先進基于 RISC-V 架構的 256 核多芯片，并計劃將該設計擴展到 1,600 核，以創(chuàng)造整個晶圓大小的芯片，以作為一個計算設備。 據(jù) The Next Platform 報道，中國科學院計算技術研究所的科學家在《基礎研究》雜志最近發(fā)表的一篇文章中介紹了一種先進的 256 核多芯片計算復合體，名為 " 浙江大芯片 "。 發(fā)表于：1/5/2024 世界上第一個石墨烯半導體問世！比硅快10倍 世界上第一個石墨烯半導體問世！比硅快10倍 發(fā)表于：1/5/2024 博世將信息娛樂和駕駛輔助功能集成在單個芯片上 博世將信息娛樂和駕駛輔助功能集成在單個芯片上 發(fā)表于：1/5/2024 ?…205206207208209210211212213214…?
